世c半導材料x場、2012Qには4兆1,100億に
−2012Qの異(sh┫)導電フィルム世cx場予R 1,400億 2006Q比47%\に−
富士経済は、先端材料を中心に成長をける世cの半導噞のプロセス材料について調hを行った。そのT果を調h報告書「2007Q 半導材料x場の貌」にまとめた。この報告書は、最先端の世c半導材料x場のi工および後工の主要材料58`をDり屬欧瞳Q|素材別、地域別などあらゆる角度から分析して開発のマーケティング戦Sを立案するためのデータを提供する。
06Qの世cの半導材料x場模は、i工と後工を合すると3兆2,100億となっている。今後半導x場の成長に伴い、12Qには、4兆1,100億に達すると予Rされる。06Q実績を分野別に見ると、最j(lu┛)の材料x場は「半導ウエハ」であり1兆1,800億(の37%)である。次いで「実関連」の7,430億(同23%)、「フォトリソ関連」の3,860億(同12%)といている。
◆調hT果の要
今日、世cの半導噞は、アジア地域を中心としたエレクトロニクスの要拡j(lu┛)を背景に好調な成長をけている。世c半導x場統(WSTS)によると、07Qには世c半導x場の模はiQ比8.6%\の2,679億(sh━)ドルに達する見通しである。こうした発tは、携帯電B、FPD、デジタル家電といった応のH様化および高機Σ宗中国を始めアジアx場の成長が背景となっている。
今後はカーエレクトロニクスもこのx場を牽引すると期待が高まっており、半導メーカーはj(lu┛)口径ラインの\設U(ku┛)を(d┛ng)化するなど、発な投@を進めている。k(sh┫)でHT晶シリコンの供給が逼して、Jに供給不Bと単価の峺(j━ng)をdいている。また環境U(ku┛)が厳格化して半導関連メーカーに瓦靴討眞狼縣a(b┳)暖化係数の低い材料の使や効率的なリサイクル・プロセスシステムの構築を求めている。
半導噞をГ┐襯廛蹈札杭猯舛こうしたX況下でR`を集めている。に微細化\術(45nmのn動から32nmの実化)や銅配線化の進tなどは、今後デバイスの性Ω屬柾L(f┘ng)かせない。そのため、Low-k、High-k、高誘電率キャパシタ絶縁膜など先端プロセス材料の最新動向は、次世代高機Ε妊丱ぅ抗発屬年定的な_要性をeつ。

◆半導材料の世cx場t望
2006Q 3兆2,100億 iQ比16.9%\
2012Q 4兆1,100億 2006Q比28.0%\
06Qの世cx場模は、i工と後工を合すると3兆2,100億となっている。今後半導x場の成長に伴い、12Qには、4兆1,100億に達すると予Rされる。06Q実績を分野別に見ると、最j(lu┛)の材料x場は「半導ウエハ」であり1兆1,800億(の37%)である。次いで「実関連」の7,430億(同23%)、「フォトリソ関連」の3,860億(同12%)といている。
(1)i工材料x場(44`)
2006Q 2兆750億 iQ比17.5%\
2012Q 2兆6,440億 2006Q比27.4%\
i工材料は半導材料の6割(d┛ng)をめる。その中でも最j(lu┛)のシリコンウエハx場が1兆1,000億、Q平均3%Pびて12Qには1兆3,300億(06Q比21%\)になると予Rする。300mmのj(lu┛)口径化や半導x場の成長に伴い\加している。但し、懸念材料は陵枦澱咾悗厘要からHT晶シリコンの供給が逼していることである。
2番`にj(lu┛)きいフォトマスクx場は、09Qに本格化する32nmプロセス露光(sh┫)式の動向がターニングポイントとなる見込み。最先端材料としてR`されているLow-k(誘電率k<3.0の層間絶縁膜)x場は12Qに倍\、高誘電率キヤパシタ絶縁膜は12Qに3倍模に達する見通しであり、(j┤ng)来性が期待される。High-kゲート絶縁膜材料x場は09Q頃に本格的な立ち屬りが見込まれる。
CMP(化学的機械研磨)関連ではスラリー(研磨剤)とパッド(研磨布)共に銅配線向けが\加しており、参入メーカーが相次いでいる。高純度薬]はW定したx場推,鮓せており、浄・エッチングガスではフッ化窒素、アンモニアガスの成長が`覚しい。またZQは亜┣獣眩任両\がR`されている。
(2)後工材料x場(14`)
2006Q 1兆1,346億 iQ比15.8%\
2012Q 1兆4,692億 2006Q比29.5%\
後工材料では最j(lu┛)模の実関連分野においてリードフレームx場が2,350億、今後Q平均3%Pびて12Qには2、870億になると予Rする。これにlフリーはんだが2,270億でいており、同じくQ平均3%Pびて12Qには2,650億になると予Rされる。素原料の値屬欧發△襪要は拡j(lu┛)している。
TAB/COF(Tape Automated Bonding/Chip On Film)x場は、TABからCOFへ代が進んでおり、08QにはCOFの850億がTABを{い越す見込みである。ボンディング材料では、ボンディングワイヤが2,500億に達した。またダイボンディング材料は08Qにフィルムタイプの130億がペーストタイプの125億を?j┼n)vると見られる。封V材料では、パッケージの小型・微細化を背景にフリップチップ向けやCOF向けの]X封V材料が成長している。
◆R`されるx場
(1)高誘電率キャパシタ絶縁膜材料
2006Q 65億 iQ比30.0%\
2012Q 190億 2006Q比192.3%\
来からキャパシタ絶縁膜で採されていたSiO2UやSi3N4Uと比べて、高誘電を採したキャパシタ絶縁膜を指す。06Qの世cx場模は、数量ベースで4.3トン、金Yベースでは65億となっている。
JにR&D主から量僝へ本格t開が始まっており、販売量もQ々\加している。06Qはウィンドウズ・ビスタ搭載PCや高性Ε押璽犁 福Wii」のDRAM混載LSIなど)向けにDRAMの攵を任掘Samsungの攵ラインの立ち屬りやNEC儼舛覆匹療蟀@が要を押し屬欧燭噺られる。07Qは引ききDRAMやフラッシュメモリの\が見込まれ、08Q以Tもエルピーダメモリと晶半導(湾)の合弁メーカーによるj(lu┛)型投@画が(g┛u)に要を押し屬欧襪抜待される。今後もデバイスのj(lu┛)容量化や薄膜化に伴い、要は拡j(lu┛)しける見込みである。
世cのトップメーカーADEKA(日本) がの7割弱と圧倒的なポジションを確保しM(f┬i)的にシェアを維eする可性が高い。く高純度化学研|所は\術と高度なレベルに定hがある。
(2)フッ化窒素(NF3)
2006Q 500億 iQ比16.3%\
2012Q 840億 2006Q比68%\
フッ化窒素は、環境官に優れたプラズマCVD(化学^)チャンバークリーニングガスとして成長している。B都議定書により半導工場が排出するPFCガスU(ku┛)が厳しくなり、地球a(b┳)暖化係数が高く、j(lu┛)気T在Q数の長いガスを削(f┫)する動きが{い風となっている。エアープロダクツ(アメリカ)や国内メーカー中心のx場にZQはf国・湾・中国メーカーが参入してQ社とも\画が`立つ。今後とも新設工場では、6フッ化硫黄の代としてe素の出ないフッ化窒素が使われる見込みである。
06Qの世cx場模は、iQ比20%\の3,850トン、金YベースでiQ比16%\加の500億であった。地域別では日本を含むアジアが圧倒的なシェアとなっている。国内x場の模は数量ベースで650トン、金Yベースで86億度である。現在、半導やLCD要の拡j(lu┛)によりQ率10%以屬寮長であり、世cx場は10Q頃には7,000トンをえると見られる。f国や湾などが世cの半導・]晶攵呄地として巨j(lu┛)な要量となっている。半導では300mmラインの\加や]晶では8世代以Tのj(lu┛)型パネル攵が牽引してゆくことは確実であろう。今後は中国やシンガポール要の頭、]晶向けではf国・湾メーカーの新\設が牽引役となる。
世cのメーカーシェアは、エアープロダクツが39%と圧倒的に高い比率をめている。国内メーカーは世cシェア20%で関東電化工業と井化学がっている。
(3)異(sh┫)導電フィルム
2006Q 950億 iQ比13.1%\
2012Q 1,400億 2006Q比47.4%\
異(sh┫)導電フィルムは厚み(sh┫)向(e(sh┫)向)に導電しC(sh┫)向(横(sh┫)向)では絶縁するフィルムで、FPD、にLCDのICドライバ実の要が殆どである。要量はj(lu┛)型]晶パネルの攵剦j(lu┛)に伴いj(lu┛)幅に拡j(lu┛)している。06Qの世cx場模は、iQ比29%\の49万キロメートル、金YベースでiQ比13%\の950億であった。要はj(lu┛)型]晶パネルの攵剦j(lu┛)とともに拡j(lu┛)して12Qには110万キロメートル、金Yベースで06iQ比47%\の1,400億模になると予Rする。先行メーカーである日立化成工業(@「ANISOLM」)がトップシェアである。 高い\術が要とされるため日U企業のシェアが高く、日立化成工業とソニーケミカル&インフォメーションデバイスの合販売数量が45万キロメートルでの約92%をめていると推定される。
ソニーケミカル&インフォメーションデバイスは携帯電B機やノートPC向けで価格の高いCOG(ガラス基に直接半導チップを実△靴)の販売数量がHく、販売金Yでは40%度のシェアをめていると推定される。サムスン電子のU`であるk毛EやLG電子のU`であるLS Cableが参入しているが、\術からj(lu┛)きなシェアをめるまでには至っていない。