図1　シリコンウェーハの出荷�C積　出�Z：SEMIの発表データを基にセミコンポータルがグラフ化

このデータは、ポリッシュ（研磨）ウェーハだけではなくエピタキシャル層を形成したウェーハや研磨していないウェーハも含んでいる。ポリッシュウェーハにはテスト��もバージンウェーハも含んでいる。

今�vの出荷�C積の��少についてSEMI SMGのグループ長であり、GlovbalWafers社のVP兼主席監�h役（Chief Auditor）であるChungwei Lee��は、「ICプロセス工場の�n働率が依��として下がっており、まだ在�U調�Dしているため、ポリッシュウェーハ出荷�C積の��少はエピウェーハよりも�j(lu┛)きい。ただし、ウェーハプロセスの�n働率は2023�Q��4四半期に�fを迎えた工場もあり、AIチップへの��要が立ち�屬�っているためデータセンター向けに先端プロセスのロジックとメモリの��要が�\えている」と見ている。

先週のルネサスエレクトロニクスの���Q発表の例では、8インチラインの�n働率は2023�Q��4四半期を�fとして�屬�り始めている。12インチ(300mm)ラインの�n働率は、39%まで低下した23�Q��3四半期を�fにして�屬�り始め、��4四半期に1~2%�屬�ったが、24�Q��1四半期になるとさら15%��度�峺�している。とはいえ、2022�Q��2四半期に工場����で平均90%を��す�n働率だったが、2024�Q��1四半期でも�峺���向とはいえ、まだ60%に達したばかりだ。また、ルネサスは�O動�Z向けと�噞機�_・IoTをビジネスの����(j┫)としているため、ICの出荷数量はパソコンとスマートフォン向けほどは出ていない。

また、データセンター向けのメモリとしてSK hynixの例では、この3月からHBM（High Bandwidth Memory）3EおよびHBM4の量��を開始したとしている。このため、シリコンウェーハ�C積が�\えるのは次の��2四半期であろう。NANDフラッシュはまだ動きが鈍いようだ。