さらに、2006�Qの��二四半期に��工した11ファブのうち、8ファブが2007�Qには�n動することになる。�攵��ξ�200万��は現在の�攵��ξ�の17%に匹�發垢襪發里任△襦Ｆ閏劼呂海��攵��ξ�の�\�咾蓮�半導���x場の成長をもたらすと同時に、��にメモリ分野における�埔��攵�のリスクをもたらすことにもなりうると分析している。
　35ファブの新設ファブの今後2−3�Qの設��投�@�Yは、これからフル�n働にむけて、560億ドルになるとみられる。このうち60%�Zくの新設ラインはメモリ、��にDRAMはフラッシュメモリに充てられている。
　�\設が旺�rなフラッシュメモリでは、Samsung Electronics, Hynix Semiconductor, IM Flash, Powerchip Semiconductor, ProMOS Technologies,　Nanya Technologyがあるが、中でも�R�`されるのは、Toshiba-SanDisk連合であり、2008�Q��までに３つの300mmラインを建設する予定。この3ラインはそれぞれ、月��10万����模となり、その暁には、Samsungを�sくことになるとの見通しである。
　ファンドリーもまたファブ�\設に積極的で、TSMC、SMIC、Hua Hong Electronicsなども2007�Qには新たな300mmファブを�n動させる予定。
　SMAでは、設��投�@�Yとして、2006�Qは�i�Q比14%�\の473億ドル、2007�Qは10%�\の590ドルを見込んでおり、史�嶌嚢發鬟沺璽�した、2000�Qの615億ドルに��るとの見込みでいる。
　�����x場は2004�Q以来最高の成長率を見せているものの、�k��(sh┫)で、半導��売�屬蓮�2006�Q���k四半期、�i期を下�vった。しかしSMAでは、���k四半期の下�Tは、平常のものと考えている。
　SMAでは、2007�Qに�埔��攵�の懸念があると見ており、設��投�@は2007�Qの��二四半期にピークを迎えるものと予�[している。