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GaNパワーデバイスx場の立ち屬りは本

GaNパワーデバイスx場の立ち屬りは本

GaNパワーデバイスが立ち屬りそうだ(図1)。2019Q9月に中国j}スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高]充電v路に採したことをpけ、GaN半導が]に立ち屬るという予[をx場調h会社のYole Developpementが]ち立てた。c旱x場での採はGaNx場がjきくなるというT味である。 [→きを読む]

ところがどっこい、ムーアの法Г擇ていた

ところがどっこい、ムーアの法Г擇ていた

半導に集積されるトランジスタ数がQ率2倍で\えていくという「Moore’s Law(ムーアの法А法廚麓造郎でも成り立っている。図1をみてみよう。e軸は歓凜好院璽襪任△襪ら、歓瑤把樟だということはQ率何%あるいは何倍でPびているというT味である。これはx場調h会社のIC Insightsがグラフ化したT果だ。なぜだろうか。 [→きを読む]

2019Q半導P入企業のトップはApple、4Qぶりの返り咲き

2019Q半導P入企業のトップはApple、4Qぶりの返り咲き

2019Qの半導スローダウンのQに最もHYの半導をP入した企業はAppleであった。これは、毫x場調h会社のGartnerが調hをまとめたもの。iQトップだったSamsungは2位に落ちたが、7位まではiQと同じ順位であった。8位にはiQ10位だった中国の小櫃飛躍し、10位にはiQ圏外のVLが入った。 [→きを読む]

世c半導x場、2019Q12月は単月プラス成長になった

世c半導x場、2019Q12月は単月プラス成長になった

2019Qの世c半導x場は、iQ比12%の4120億ドルだったと、WSTS(世c半導x場統)の数Cを元にSIA(殀焼協会)が発表したが、12月は単独でプラス成長したことがわかった。SIAは、3カ月の‘以振僂派修靴討り、その数CだとiQ同月比5.5%のマイナスだが、単月に直してQ出すると12月は2.3%\のプラス成長だった。 [→きを読む]

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