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CMOSイメージセンサーx場、2011QまでのCAGR14%見込む

CMOSイメージセンサーx場、2011QまでのCAGR14%見込む

07QQ1の]感、にはv復か 2007Q低調にスタートしたイメージセンサーx場は、今、wい成長が見込まれ、Q間11%の成長となり、82億ドルに達するとの見通しがIC Insights社より発表された。CCDと合わせたCMOSイメージセンサーのx場は2006Qから2011Qにかけて、Q平均成長率14%となり、2011Qには143億ドルに達する見込み。 [→きを読む]

パーム型PCx場、13四半期連、マイナス成長

パーム型PCx場、13四半期連、マイナス成長

07QQ1はiQ同期比40.6%の90万売り屬 世cのパーム型PCx場は、ユーザー嗜好が携帯電Bや他のコンシューマーエレクトロニクスに加]していることをpけて、13四半期連で下Tをけているとの発表が、IDCからなされた。2007Qk四半期の同x場は、i期比36.3%、iQ同期比40.6%の91.9万となった。同x場ではトップ5社にあったDellが本x場からのを発表している。 [→きを読む]

12Q度 リチウムイオン電池は06Q度20倍の1h億模に

12Q度 リチウムイオン電池は06Q度20倍の1h億模に

l・ニッケル水素電池からの々圓砲茲螻判j(lu┛)  j(lu┛)型蓄電デバイスx場は06Q度でiQ比11.7%\の2,632億となり、2012Qには82.3%\の4,799億になることが予[されている。(富士経済調hによる、j(lu┛)型二次電池を搭載する4分野35におけるj(lu┛)型二次電池と雕爐塁x場調h報告書、「エネルギー・j(lu┛)型二次電池・材料の(j┤ng)来t望 2007」) 中でもリチウムイオン電池は、ハイブリッドO動Zへの採拡j(lu┛)が主要因となって、2012Q度には06Q度20倍の1,111億模になることが予[されている。 [→きを読む]

06QFPD売屐AMATが初の位に

06QFPD売屐AMATが初の位に

iQ比30.6%\、ULVAC、TELとく  2006Qのフラットパネルディスプレイ(FPD)]の売峭Top 15がVLSI Research社から発表された。位はiQ3位のアプライドマテリアルズ、2位はiQ同様ULVAC、3位はiQ4位の東Bエレクトロンとなった。4位はニコン(iQ5位)、5位はキヤノン(同位)、6位は日本スクリーン](同7位)、7位は日立ハイテクノロジーズ(同6位)となった。 [→きを読む]

06QのEMS、ODEx場、15%\の2,560億ドルに

06QのEMS、ODEx場、15%\の2,560億ドルに

Foxconn社EMS位M、Asustek社ODMで位に  2006Qの世cの契約型]業x場は2005Qの2,235億ドルから15%\の2,560億ドルとなったことがiSupply社から発表された。岼EMS社間の合により岼10社の売峭盥膽が始めてEMSx場の70%をえ、平均20%の売峭盪\となった。 [→きを読む]

07QQ1のDRAMx場はi期比9.9%

07QQ1のDRAMx場はi期比9.9%

Hynix、サムスン電子に肉、出荷数では位に  2007QのQ1のDRAMx場は、Hynixが`覚しい成長を~げたことがiSupply社調hで発表された。同社の売峭發、i期比4.1%\、iQ同期比126%\の21.5億ドルと、位のサムスン電子の、i期比15.9%、iQ同期比40%\の25.2億ドルに肉する勢いとなった。金Yベースでのx場シェアは、サムスン電子が26.1%、Hynixが22.2%となった。 [→きを読む]

]に拡j(lu┛)する半導IPx場 04〜10QのCAGR11.7%予[

]に拡j(lu┛)する半導IPx場 04〜10QのCAGR11.7%予[

2010Qには23.5億ドル模へ  2010Qの半導IP(Intellectual Property) x場は、半導x場あるいはシリコン・デバイスのコア・プラットフォーム(シリコン・デバイスの中核となる霾)のx場を越える早さで]に成長し、売峭23 .5億ドルに達するとの予Rが、エレクトロニクス噞cのシンクタンクであるジェイスター株式会社から発表された。 [→きを読む]

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