ストレージソフトウエア、14四半期連��成長
今後は異機�|環境�官�でさらに�Pび期待 2007�QQ1の世�cのストレージ��ソフトウエア�x場は、�i�Q同期比11.4%�\の27億ドルとなり、これで14四半期連��の成長となったことが、IDCから発表された。 [→��きを読む]
�x場分析
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�i工������メーカ顧客ランキング ��位はVarian、日本企業はTop10に5社
VLSI リサーチ社ランキング �盜�VLSIリサーチ社による��例のカスタマー満�B度別半導������メーカーランキング2007において、�j(lu┛)�}半導�����]�����i工��メーカーTop10に、日本のメーカーが昨�Q同様５社入ったことがこの度VLSIリサーチ社から発表された。 [→��きを読む]
CMOSイメージセンサー�x場、2011�QまでのCAGR14%見込む
07�QQ1の���]感、��には�v復か 2007�Q低調にスタートしたイメージセンサー�x場は、今��、�wい成長が見込まれ、�Q間11%の成長となり、82億ドルに達するとの見通しがIC Insights社より発表された。CCDと合わせたCMOSイメージセンサーの�x場は2006�Qから2011�Qにかけて、�Q平均成長率14%となり、2011�Qには143億ドルに達する見込み。 [→��きを読む]
パーム型PC�x場、13四半期連��、マイナス成長
07�QQ1は�i�Q同期比40.6%��の90万��売り�屬� 世�cのパーム型PC�x場は、ユーザー嗜好が携帯電�Bや他のコンシューマーエレクトロニクス����に加�]していることを�pけて、13四半期連��で下�Tを��けているとの発表が、IDCからなされた。2007�Q���k四半期の同�x場は、�i期比36.3%��、�i�Q同期比40.6%��の91.9万��となった。同�x場ではトップ5社にあったDellが本�x場からの����を発表している。 [→��きを読む]
12�Q度 リチウムイオン電池は06�Q度20倍の1�h億������模に
�l・ニッケル水素電池からの�々圓砲茲螻判j(lu┛) �j(lu┛)型蓄電デバイス�x場は06�Q度で�i�Q比11.7%�\の2,632億��となり、2012�Qには82.3%�\の4,799億��になることが予�[されている。（富士経済調�hによる、�j(lu┛)型二次電池を搭載する4分野35����における�j(lu┛)型二次電池と�雕爐塁x場調�h報告書、「エネルギー・�j(lu┛)型二次電池・材料の��(j┤ng)来�t望 2007」） 中でもリチウムイオン電池は、ハイブリッド�O動�Zへの採��拡�j(lu┛)が主要因となって、2012�Q度には06�Q度20倍の1,111億����模になることが予�[されている。 [→��きを読む]
06�QFPD����売�屐�AMATが初の��位に
�i�Q比30.6%�\、ULVAC、TELと��く 2006�Qのフラットパネルディスプレイ（FPD）���]����の売�峭�Top 15がVLSI Research社から発表された。��位は�i�Q３位のアプライドマテリアルズ、2位は�i�Q同様ULVAC、3位は�i�Q4位の東�Bエレクトロンとなった。4位はニコン（�i�Q5位）、5位はキヤノン（同��位）、6位は��日本スクリーン���]（同7位）、7位は日立ハイテクノロジーズ（同6位）となった。 [→��きを読む]
06�QのEMS、ODE�x場、15%�\の2,560億ドルに
Foxconn社EMS��位�M��、Asustek社ODMで��位に 2006�Qの��世�cの契約型���]業�x場は2005�Qの2,235億ドルから15%�\の2,560億ドルとなったことがiSupply社から発表された。�岼�EMS社間の合��により�岼�10社の売�峭盥膽�が始めてEMS�x場の70%を��え、平均20%の売�峭盪\となった。 [→��きを読む]
07�QQ1、中国の携帯電�B売�峭�10.4%�\の3,690万��に
Nokia、Motorola、Samsungと��く [→��きを読む]
07�QQ1のDRAM�x場は�i期比9.9%��
Hynix、サムスン電子に肉��、出荷数では��位に 2007�QのQ1のDRAM�x場は、Hynixが�`覚しい成長を�~げたことがiSupply社調�hで発表された。同社の売�峭發�、�i期比4.1%�\、�i�Q同期比126%�\の21.5億ドルと、��位のサムスン電子の、�i期比15.9%��、�i�Q同期比40%�\の25.2億ドルに肉��する勢いとなった。金�Yベースでの�x場シェアは、サムスン電子が26.1%、Hynixが22.2%となった。 [→��きを読む]
���]に拡�j(lu┛)する半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[
![���]に拡�j(lu┛)する半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[](/assets_c/900px/ip0410cagr117.png "���]に拡�j(lu┛)する半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[")
2010�Qには23.5億ドル��模へ 2010�Qの半導��IP（Intellectual Property） �x場は、半導���x場����あるいはシリコン・デバイスのコア・プラットフォーム（シリコン・デバイスの中核となる�霾�）の�x場を越える早さで���]に成長し、売�峭�23 .5億ドルに達するとの予�Rが、エレクトロニクス�噞�cのシンクタンクであるジェイスター株式会社から発表された。 [→��きを読む]
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