» セミコンポータルによる分析 » �x場分析
アレグロレポート 2005 �Qの中国の半導���攵�は、�i�Q比約35%�Pびて162 億��(sh━)ドルに達している。2005 �Q中国IC 総�攵捓量は270 億個と�i�Q比23%�\加した。今後5 �Q先には、中国IC �噞の�Q平均�Pび率は約20%と予�Rされ、2010 �Qには500 億��(sh━)ドルに達すると見込まれる。これに伴い、中国IC パッケージング・テスト�噞��模も拡�j(lu┛)していく。このIC パッケージング・テスト�噞を�Г┐討い襪里話羚颪傍鯏世鱆~する外�@�U企業である。 [→��きを読む]
2007�Qに�n動する半導��の新ファブは、8インチ換�Qで月��200万��の�攵�キャパシティとなるとの見込みがStrategic Marketing Associates (SMA)から発表された。これらのファブはほとんどが、2004�Qに建設��工した35ファブである。 [→��きを読む]
インドの電子機�_(d│)�攵�は2005�Q、�i�Q比25%の成長となり、今後も高い成長率が見込まれ、2007�Qには40%�\、2010�Qには34%となることが見込まれている。2010�Q〜2015�Qの世�cの電子機�_(d│)�攵�の成長率と比較すると、インドのそれは、5.5倍の成長率になるものと推定されている。2015�Q、インドの電子機�_(d│)消�Jは3,630億ドルに達すると見られており、��世�cの電子機�_(d│)�攵�の11%を��める��模となる。（India Semiconductor Association（ISA）発表） [→��きを読む]
![2006�Qの半導�����]�����x場、18%�\の388億ドル��模予�[](/assets_c/900px/200618388.png "2006�Qの半導�����]�����x場、18%�\の388億ドル��模予�[")
SEMIコンセンサスフォーキャスト 2006�Qの半導�����]�����x場は、�i工������の20%�\を主��として、����で18%�\の388億ドル��模になるとの予�[がSEMIより発表された。2000�Qについで史��2番�`の��模となる。 [→��きを読む]
セミコンダクタポータルのコンテンツパートナー、アレグロ インフォメーション・インク(以下アレグロ)による、中国のエレクトロニクス・半導��・�]晶分野のマーケット情報です。アレグロは、同社独�Oの調�h及び、中国国家統��局、CCID、中国電子報、経済参考報、国際金融報などから�u(p┴ng)たフレッシュな情報をベースに、��に中国のIT、エレクトロニクス、半導��・�]晶関連の情報収集・提供、分析、調�hを行っています。今�v、提供したのは、同社の月刊レポート「中国レポート：Electronics and Semiconductor China」の2006�Q6月��(gu┤)からの�k���s粋です。 [→��きを読む]
�k��(sh┫)でメモリー集中投�@への懸念感 2006�Qの半導��投�@は、�i倒し策が進み、当初予定を�j(lu┛)きく��?j┼n)vり、�i�Q比16.6%�\の552億7,980万ドルになるとの予�[がGartner Dataquest社からこのほど発表された。 同社は、5月時点の見込みでは、2006�Qの半導��投�@����を8.8%�\と見込んでいたが、24.8%へと�j(lu┛)きく�Pびている。 [→��きを読む]
06�Q、07�Q連��二桁��の成長見込む（SEAJ） 日本��半導�����]����の販売高は、2005�Qから2008�Qは平均成長率7.9%を維�eし、2008�Qには1兆9�h億��を越えるとの見通しが（社）日本半導�����]����協会(SEAJ)から発表された。 [→��きを読む]
小型�O動�Zの�攵�ハブへ インドの�O動�Z�x場は、2005-2006�Qの国内販売��数では891万��と�i�Q比16%の�Pびを��(j┤)している。その80%�Zくを二�葫Zが��める。四�葫Z����では149万��となり、その7割が小型�Z（Mini,Compact）が��める。そのインドの小型�Zが今、小型�Z革命��二��をむかえている。 [→��きを読む]
サプライサイドから見た半導���噞�x場の�](m└i)期予�R ICT リサーチ会社ジェイスター株式会社（代表�D締役：�l(shu┴)崎��久��(hu━)）は、�H�T晶シリコンの供給�ξ�の��点から、2006 〜2007 �Qの半導���噞�x場��模の予�Rシミュレーションを行った。その�T果、半導��向け�H�T晶シリコンと�陵枦澱啗�け�H�T晶シリコンが、現�X(ju└)と同様に分配された場合、2006 �Qの半導���噞�x場の�Q(ch┘ng)成長率は、2005 �Qの成長率並みの6%��に�Vまるという。 [→��きを読む]
