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携帯電Bのメモリコンテンツ、NANDとNORのクロスオーバーは07Q

 2007Q、携帯電B1当りのメモリコンテンツ量は、NANDフラッシュがNORフラッシュをえ、480Mbとなり、その後は2008Qに1024Mb、2009Qには1408Mb、2010Qには2070Mbと\していくとの予RがInStat社から発表された。

携帯電B1あたりのメモリコンテンツ推〕襲R

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