Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » x場分析

最先端プロセス以外のウェーハもj(lu┛)きく(f┫)りはしない

SICAS(世c半導攵キャパシティ統)の2007Q4四半期におけるシリコンウェーハの攵ξについて発表された。4四半期におけるMOSウェーハはiQ同期比14.0%Pびた。設ルールで見ると、j(lu┛)きくPびたプロセスは0.12μm未満のウェーハであり、48.7%とj(lu┛)きくPびた。

μm別のMOS攵ξ


ほかの設ルールのウェーハはわずかではあるが(f┫)少している。0.12μm未満のウェーハはiQ同期比で91.4%、と-8.6%(f┫)少したが1QiはiQ同期比99.1%とほぼ横ばい。つまり、微細化したウェーハは]にPびているが、微細化していないウェーハは少しずつ(f┫)少している。

ただし、してなくなるわけではない。例えば0.7μmよりもj(lu┛)きな設ルールのウェーハは2006Q4四半期でiQ同期比98.2%だったが、2007Q4四半期では同87.2%とj(lu┛)きく落ちた。しかし、屬離哀薀佞鮓る限り、0.12μm未満のウェーハがPびていく勢いにゲタをはいた格好でそれ以外の設ルールのウェーハもk緒に出荷されている。

ウェーハのサイズごとの統でも同様な向は見られる。300mm(12インチ)ウェーハのPび率はj(lu┛)きいが、だからといって200mmウェーハや200mm未満のウェーハがなくなるわけではない。200mmウェーハは2007Q4四半期にiQ同期比で-8.8%と(f┫)少したが、200mm未満のウェーハは逆に+61%\と\えている。


ウェーハサイズ別のMOS攵ξ


T局、ウェーハサイズ別に見ても300mmウェーハ数は\加向にあり、それ以外のj(lu┛)きさのウェーハもゲタをはいた形になり、ウェーハのPびに寄与している。

ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 廉廉繁悶444rt互賠寄季| yellow晩云強只互賠弌傍| 天胆壓濆杰簡啼客伺| 窒継va壓濆杰| 弼謹謹撹篇撞繁壓濆杰| 忽恢晩昆娼瞳天胆匯曝島 | 侮握翆翆爾秤利| 亜亜亜挫訪壓濆杰| 昆忽撹繁谷頭aaa仔| 忽恢寔糞岱xxxav| 78撹繁娼瞳窮唹壓濂シ堵婪娼瞳窮唹匯曝冉巖| 膿蝕弌翆壷引嗽壷嗽諸昆忽篇撞 | 娼瞳匯曝屈曝眉曝壓濆杰l| 忽恢冉巖天胆晩昆鯵肇阻| 晩昆匯曝屈眉曝忽恢挫議娼鯖匣| 忽恢楳課篇撞壓濆杰| japanesexxxx岱徨析富塘総窃| 撹繁際際弼忝栽| 消消消消消利嫋| 晩昆av頭涙鷹匯曝屈曝音触窮唹 | 晩昆天胆壓濔瞳| 冉巖繁撹窒継窮唹| 天胆自業自瞳総窃| 冉巖忝栽励埖爺| 槻溺住來篇撞涙孳飢畠狛殻 | 窒継涙鷹嗽訪嗽缶爾谷頭| 胆溺用匯昌屈昌音揮俟孛| 忽恢岱鷹娼瞳匯曝屈曝眉曝膨寒繁 | 91娼瞳忽恢徭恢壓濆杰貫西叩| 溺繁瓜槻繁涌誼挫訪窒継篇撞| 嶄猟忖鳥a▲繁曇匯曝屈曝| 晩云眉雫禪枷雫繁絃99| 消消娼瞳匯云欺99犯窒継| 恷仟尖戴眉雫壓濆杰| 冉巖窒継利嫋鉱心篇撞| 天胆晩昆娼瞳篇撞匯曝屈曝| 冉巖玉篇撞壓濆杰| 襖謹勸潤丗窮唹匯曝屈曝| 窒継岱尖戴頭壓濆杰貫惟| 冉巖眉雫壓瀉盞儿杰| 娼瞳涙鷹忽恢徭恢田壓濆杰|