SEMATECHと東Bエレクトロン、3Dインターコネクトと高‘暗戰船礇優觝猯舛廼
東Bエレクトロンと半導]のコンソーシアムであるSEMATECHが、先端半導]における、3Dインターコネクト\術と高‘暗戰船礇優觝猯舛砲いて、複数Qにわたる共同開発プログラムを開始した。
来半導デバイスメーカーを会^企業とするSEMATECHであるが、先端半導]には優れた・材料サプライヤーとの共同開発など協業がLかせないとの見気ら、今vの相互協は、SEMATECHと優れたサプライヤーとの新しいコラボレーションのスタートといえる。また、今vの協業モデルはサプライヤーに瓦靴董研|開発コストの削、\術開発における成果の膿福∈農菽攵妌場への効率的かつ効果的な\術導入をもたらす。
両v間の契約には、的財の交換と@金提供を含み、SEMATECHと東Bエレクトロンのエンジニアは、(1)量における3Dインターコネクトプロセスの障壁]破を`指す3Q画のプログラム、(2)トランジスタのゲートスタックにSiGeを使し、処理スピード向屬硫性を高める2Q画のプログラムという2つのプロジェクトを平行して走らせる。
今vの3Dインターコネクトプログラムでは、SEMATECHと東Bエレクトロンは、Cost of Ownership(COO)モデリング、プロセスのベンチマーク、Y化確立、\術ロードマップの作成、3Dインターコネクト(楉魅ΕА璽魯轡螢灰鵝Ε咼△侶狙)など、開発の初期段階におけるさまざまな課に共同でDり組むことになる。このDり組みに関連して、東Bエレクトロンは、国内の開発拠点でこれまでに培った広Jなハイレートエッチングのξをするとともに、SEMATECH傘下にある試作開発ファンドリー、ATDFにインストール済みの低誘電率(low-k)エッチングをアップグレードする。このアップグレードにより、H孔性のlow-k素材のエッチングの解析における柔軟性がjきく\すとともに、プロセス均k性とチャンバーのξの向屐△気蕕砲蓮45nmおよび32nm世代向けのlow-k素材の開発に寄与することが期待される。
3Dインターコネクトテクノロジは来の2次元デザインに比べて、高性Α高機性、省電、省スペース、開発J削、Time-to-marketの]縮化などにjきな期待が寄せられている、とSEMATECHのInterconnect靆臘垢Sitaram Arkalgudは述べ、東Bエレクトロンの本プログラムへの参画はこの\術開発にむけたインフラ構築に画期的なk歩となったと語っている。
東Bエレクトロンが3Dインターコネクトと同時にTんだもうkつの契約プロジェクトは、FEP分野で、両vはhigh-kメタルゲート材料開発にむけて共同でDり組む。