SICAS統、微細化がf屬押高い攵n働率を維e
SICAS(世c半導キャパシティ統)が2008Q2四半期の半導ウェーハの攵ξと実績、n働率を発表した。これによると、MOS ICの2008Q2四半期の攵ξは2138.2h/週でi四半期から2.9%\、iQ同期比で12.8%\のプラス成長となった。

では、0.08μm未満がi月比23.6%\とプラス成長をけ、微細化が進んでいるといえる。微細化が加]するk機Å来の0.08μm以屬砲弔い討蓮`立った少はみられない。これは、来のデバイスの使われ気諒儔宗機Δ凌焚修覆鼻加価値をけることで微細化に頼らず残っているといえる。半導デバイスは、微細化がのf屬欧鬚靴弔帖⊃靴燭加価値の創]によって今後も成長がくとみられる。
ウェーハサイズ別の攵ξ/実投入数でも、さきほどのμm別MOS攵ξ/実投入数と同様に、12インチウェーハは順調にPびている。k機8インチおよび8インチ未満のウェーハは少していくlではなく、をf屬欧靴討い襦
MOSの攵ξと実投入数の推,鬚澆討澆襪函n働率は今四半期の攵n働率は89.5%で、i期の90.7%から1.2%少している。3Q07、4Q07、1Q08は3期連で90%をえていた。今後のn動の推,鮓守りたい。
(セミコンポータル集室 囘墜愡辧