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SICASの3QにおけるMOS ICの攵ξ・実投入数から見えるn働率の少

SICAS(世c半導攵キャパシティ統)が発表した2008Q3四半期(7~9月)のMOS ICの攵ξは、214万/週、実投入数は187万/週となり、ウェーハプロセスn働率は87.5%になった。i四半期は89.5%、そのiの1四半期は90.7%であったことから、n働率はに低下したことがわかる。にブレーキがかかったXに瑤討い襦

MOS


ミクロン別のMOS実投入数を見ると、80nm未満のプロセスウェーハは順調に\えており、そのn働率は95.2%と落ちていないが、プロセスサイズがjきくなるにつれ落ちている。80~120nmプロセスは88.1%、120~160nmプロセス85.6%、160~200nmプロセス83.1%、0.2~0.3μmは79%、0.3~0.4μmは75.6%、0.4~0.7μmは74.4%、0.7μm以74.1%とn働率は下がってくる。すなわち、ウェーハ投入数は微細化すればするほど効率よく攵されており、微細化しないウェーハは攵されていないことを餮譴襦


μm別のMOS攵ξ
μm別のMOS実投入数


これをウェーハ径別に見てみると12インチ(300mm)ウェーハ攵ξは8インチ換Qで順調にPびているが、8インチウェーハや8インチ未満のウェーハの攵捓量を絞りつつある。n働率をQすると、3四半期における12インチウェーハプロセスのn働率は96.5%、8インチウェーハプロセスは84.3%だが、8インチ未満のウェーハプロセスは64.3%と次に落ちてくる。すなわち5インチ、6インチウェーハの攵ξは余っているが12インチウェーハの攵ξはBりないことを表している。工場笋呂發舛蹐鵝口径の小さいウェーハの実投入数を絞り込んでいることが図からk`yで読みDれる。300mmへのシフトがきていることを餮譴辰討い襦


ウェーハサイズ別のMOS攵ξ
ウェーハサイズ別のMOS実投入数


ウェーハ攵ξはやや微\で\やしてきていたが、実投入数がアタマ]ちあるいは3四半期になって少というを迎えたことは、早めにブレーキを踏んだと考えてよいだろう。


(2008/12/08 セミコンポータル集室)

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