次のk}を模索する半導]メーカー
先週、ビッグニュースはなかったものの、次のk}に向けた動きがあちらこちらで見かけた。半導・エレクトロニクス噞がやはり噞を牽引するキーインダストリーであることは噞cの常識であるが、j日本印刷が発表した2010Q3月期の見通しにおいて、印刷靆腓稜笋屬欧印刷靆腓sきそうだというニュースはZ型的な例だ。
2月24日けの日本経済新聞によると、j日本の・噞靆腓留超半W益は垉邵嚢發380億になりそうだとしている。そのけん引役は世cシェアの7割を曚謇]晶の反o防Vフィルム。湾、f国が今や]晶向けフィルムのkjx場。グローバル化が奏功した。
シャープがCCDセンサーの売り気を変え、グローバルx場を狙ったソリューション提案する妓に向けた。CCDは41万画素と130万画素という今どき低い画素数のセンサーをTし、イメージセンサーからの信、鮟萢するICとしてデジタルカメラのDSPを開発した。CCDとDSPをセットにして中国などのBRICsに売り込む。ローエンドでj量のx場が見込まれる屬法▲妊献メ専DSPだとカメラの仕様がH少変わってもプログラムによって~単に変えられるため、]い開発期間でカメラの信ス萢チップを開発できるという咾澆ある。
半導]メーカーとしては、何を次のk}とすべきか。先週3つのC白い試みが登場した。kつは東Bエレクトロン(TEL)が次世代リソグラフィのEUV\術に関して、櫂縫紂璽茵璽Ε▲襯丱法爾砲△SEMATECHの開発画に参加すると発表したというニュースだ。2月25日の日経噞新聞にはそれ以屬里海箸浪燭盻颪い討い覆い里妊廛譽好螢蝓璽垢鯑匹爐函EUV露光\術とそれに関係するマスクのL陥削、マスクR、光源、レジストプロセス、エッチングの研|を行うとある。それもレジストパターンの倒れやパターンのエッジラフネス、ウェーハC内均k性などを問と指~している。
TELはCVDやエッチング、スパッタリング、コータ・デベロッパなどリソグラフィ以外のプロセスを}Xけてきた。しかし、リソは本来レンズメーカーでもあったニコンやキヤノンが咾ったが、X線にZいS長13.5nmのEUVではレンズUではなく反oUを使わざるをuない。となるとレンズのノウハウを瑤蕕覆ぅ瓠璽ーでもリソ分野に参入できるはず。あるいはマスク検hかもしれない。
マスクのL陥検hではニューフレアテクノロジーがv割当\@に踏み切ると発表した。\@の引p先はj日本印刷と版印刷。共にマスクメーカーである。ニューフレアは東と東機械が出@するマスク検hメーカーで、KLAテンコールに眼^すべき国堌hという位づけ。
メーカーのもうkつの次のk}は、後工でモールディング機械を]するアピックヤマダの採る、~機材料向けの塗布。プリンテッドエレクトロニクスや、~機EL、~機半導などのv路を印刷などで形成するためのスプレイ噴擬阿療鰭で、jC積のデバイスに向く。
こういった次のk}だけではなく、微細化は順調に進tしており、FPGAメーカーのザイリンクスは28nmのを開発した。FPGAはプログラム可Δ淵蹈献奪であるが、チップがバカでかいことがM点。このため微細化は須。
k機▲汽爛好鵑4GビットのDRAMを出荷すると発表した。40nmのプロセスで作るという。4Gビットだと8個積んで4Gバイトが32ビットシステムの限cであるため、高集積化のメリットは価格しかない。パッケージ\術で複数のチップをスタックするため、もはやDRAMの高集積化はあまりT味をなさなくなる。