日経�噞によると、新工場の場所や投�@��模、�攵��ξ�、合弁条�Pなどはいずれも��らかではないが2012�Qに��工し、13�Qに�n働するとしている。さらに、当初は現在の最先端の�\術である�v路線幅20nm��の�\術を��いるという。2013�Qで20nm��ということはおそらく28nm�i後という�T味だろう。中国への機械の輸出に関しては旧ココムに代わるワッセナール条約によって�U限され、最先端の機械を中国へ輸出できない。しかし、1世代�iの機械は導入できる。このため、2013�Qで最先端になる22/20nm以下のプロセスを導入できないことは��確であるが、13�Q時点で28nmは最先端ではないことを�f国���Bに理解させる��要がある。

NANDフラッシュは、微細化の最先端をけん引するデバイスでは��ずしもない。要は��争��さえあればいいのであって、��争��＝微細化という図式はもはや崩れつつある。新聞では東��に�瓦靴薙e機感を�vっているが、これは��ずしも当てはまらない。というのは中国ではインフラコストは�Wいが、まだ総じて�Wかろう�Kかろうの世�cである。停電や電��の����（高調�Sや��率、電��送�p信の�U御など）は日本とは比較にならない。半導���i工場では、例えばプラズマエッチやCVD、レジスト���`などの工��では瞬時停電さえ��されない。瞬停時にはプラズマが暴れて、ウェーハ内、間のバラつきが�jきくなり、歩�里泙蠅�極端に�Kくなり、下�}をすると廃棄せざるを�uないこともありうる。これでは��争��はつかない。

サムスンはおそらく�O�iの電���U御施設を導入することになり、変電所からの�U統と、�jきな�O家発電を含む�U統をしっかり管理しなければ現地の電����はとても使い�颪砲覆蕕覆ぁ５佞妨世┐弌▲汽爛好鷙�場内でスマートグリッド(マイクログリッド)の実�xを兼ねながら、半導��工場を運営していくと考えることもできる。このことがコスト的に�~�Wかどうか、もっとち密な原価���Qが��要となる。

もう�kつのニュースは、やたらとSiC関連のニュースが�Hかった。12月9日の日経�噞によると、東��は鉄�O�Z両向けに耐圧4500VのSiCダイオードを��いたインバータを採��したと発表した。SiCダイオードと�P久磁石をモータに採��することで��積6割、消�J電��は2割削��されるという。新日本��鉄は直径6インチのSiCウェーハを開発したと、7日の日経�噞が伝えた。2013�Q度をメドに量�僝するとしているが、SiCのMOSFETの表�C�L陥問��の解��はまだ�科�なレベルに至っていない。同日の日刊工業新聞では、富士電機とルネサスエレクトロニクスが6インチのSiCウェーハの検討に入ったと伝えている。パワートランジスタやダイオードはLSI並みにチップ�C積が�jきいため、数量が�\えてくると�j口径化はマストになる。まずショットキダイオードを����化し、MOSFETは次の時代になる。6日の日経�噞はロームがトレンチ構�]のMOSFETで電����失を7割削��したと報じたが、9月にセミコンポータルが伝えた記��(参考�@料1)と代わり映えしない。

SiCと��合する材料として、GaNのパワーチップがある。9日の日刊工業によると、日本ガイシはGaN�T晶を開発、2014�Qから量��を開始する。�]相成長法を使うとしているが、その詳細は不��である。GaNはパワーデバイスのほか、LEDの基��にもなる。

最後に先週開��されたセミコンジャパンからのニュースとして、学�攜�けの説��会が開かれたことを日経、日刊工業共報じている。学�擇閥Δ縫札潺灰鷸臆担覿箸離屐璽垢��vり、�Q会社の説��を学�擇吠垢�せる�lだが、12�Q度に卒業予定の学�據�院�據�高専卒を����にしている。この企画に参加したあるメーカーは、B2C企業は���@度があるが、B2B企業は�瑤蕕譴討い覆ぁ�会社について詳しく説��するための場になっている、と語る。�t��会はリクルーティングの舞��にもなるという新しい�t��会ビジネスの企画といえる。

参考�@料
1. ローム、SiCトレンチMOSFETで250℃動作、モータへの内�泥棔璽匹鮗存� (2011/09/13)