1月20日の日経�噞新聞は、�x場調�h会社の矢野経済研�|所が2013�Q~2017�Qのパワー半導��の成長率を10%と見込んでいる、と報じた。2011�Qは�i�Q比10.4%�\の156億7000万ドル、12�Qは2.2%�\の160億2000万ドルになると見積もっている。今�Qは、欧�ι��Wによる景気後��、�陵杆�発電の投�@抑�Uなどで成長率はやや鈍化すると見ている。2017�Qには261億2000万ドルに成長するとしている。

富士通セミコンダクターがパワー半導��に参入し2013�Q4月から福��県の工場でGaNパワー半導��を量��すると、18日の日本経済新聞が報じた。富士通の半導���靆腓蓮△�つてRET（リングエミッタトランジスタ）と�@��けたバイポーラのパワートランジスタを量��していた。今�vの参入は��確には再参入ということになる。15�Q度までに100億��の売り�屬欧鰆`指す。GaNデバイスは富士通研�|所で開発されていた。このパワートランジスタは富士通研がかつて開発したHEMT構�]をしており、ノーマリオン型である。空��層を調�Dしてノーマリオン型にすると電流があまり採れず、パワー半導��には向かなくなる。しかし、�Z�Q、ドイツのインフィニオンがHEMTと同様、ノーマリオン型のJFETでもカスコード接��という�v路的な工夫により、初期化するとノーマリオフ型トランジスタと同様に使えることを��らかにしており(参考�@料1、2)、ノーマリオン型であってももはや�L点とはならない。

パワー半導��を実�△垢觝猯舛魍�発する動きもある。日立化成工業はエポキシ�`脂にBNを混ぜた絶縁シートを開発した、と18日の日経�噞新聞が伝えた。絶縁シートは、ドレイン(あるいはコレクタ)がパワートランジスタの金����パッケージを兼ねるため、放�Xフィンとは絶縁して設��する��要がある。昔はマイカ、最�Zは�X伝導率の高いセラミックを使っていた。�k般材料では�X伝導率が良いものは電気伝導も良い(絶縁性が�Kい)ため、�X伝導性が良く電気伝導性の�Kい材料を作り出すことが�Mしかった。しかしパワートランジスタを放�Xフィンに実�△垢襪里砲賄典い鯆未気阪Xだけ通す材料が望まれてきた。日立化成の開発した材料の�X伝導性は40W/Kmと��来同社������の4倍優れているとしている。セラミックよりも低価格にできる可��性がある。

日本触��はガラス転�‥世�250℃と高い�X硬化性�`脂を開発、SiCやGaNなど高�aに耐える半導��の封�V材としての����を狙う。これは19日の日刊工業新聞が伝えたもの。�`脂の�~機成分に、無機のナノ��子を混ぜることで転�｝a度を高めたとしている。

パワー半導��材料として��3の材料であるGaOを使う研�|についての記��が19日の日経�噞に掲載されている。ただし、新聞にはGaOパワー半導��の��性については��く触れられていないため、トランジスタとしての性�Δ鰐���数である。

最後に、�櫂哀蹇璽丱襯侫．Ε鵐疋蝓璽此�GF）がルネサスエレクトロニクスと東��の工場�A収を�]�い靴討い襪函�23日の日刊工業が伝えた。ルネサスの鶴�K工場と東��の�j(lu┛)分工場がその����(j┫)だとしている。この情報は、業�cメディアの�k�陲��瑤辰討�り、�A収が成功するまでは密かに見ていた。しかし今�v、日刊工業が検討段階で��らかにしたことは勇み�Bではないだろうか。半導��関係のメディアがこの情報を�eっていて表�Cに出さなかったのは、何とかうまくいってほしいと願っていたからだ。

日本のプロセスエンジニアは優秀だが、�Q半導��メーカーのファブライト戦�Sにより開発のモチベーションが下がっており、企業としても����をそいだ形になっていた。彼らを?q┗)���することは彼らのモチベーションが�屬�り、GFとしては良い�Aい�颪砲覆襦�というのは、日本以外の国で優秀なプロセスエンジニアを�j(lu┛)量に探すことはほとんど困�Mだからだ。プロセスエンジニアにとっても、プロセス開発の仕��が��けられる良いチャンスなのである。GFが工場を�A収し、エンジニアはプロセス開発を��けられることを願う。

最後にエルピーダが�Zしんでいることについてあまり触れたくはないが、いよいよマイクロンまで巻き込まざるを�uないことが報じられている。マイクロンの�\術はエルピーダとは相いれないくらい異なるものだ。それまでして�噞再��するのはなぜだろうか。今�kつ未来が見えない。

参考�@料
1. 最初の商��SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−�i�� 82011/08/18)
2. 最初の商��SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後�� (2011/0819)