図　��菱電機の156kVAのSiCインバータ

SiCのパワーMOSFETを使えばクルマや�噞機�_などのインバータを小型化できる。理�yは二つある。�kつ�`として、SiCは元々の誘電耐圧が高いために不純�馭仕戮鬟轡螢灰鵑茲蠅瞶�らすことなく、アバランシェ耐圧を�屬欧襪海箸�できることで直流ロスを��らせる。二つ�`は、IGBTとは違いスイッチング時における少数キャリヤによる蓄積時間が�T在しないため高�]スイッチングができ交流ロスも��らせるからだ。IGBTはバイポーラ動作をするため、スイッチングオフ時に少数キャリヤの蓄積時間があるため、すぐには電流が�Vまらない。

��菱電機は、��積が3.1リットルで出��156kVAというSiCフルインバータを開発、その動作を実証した。SiCフルインバータとは、スイッチングトランジスタにSiC MOSFETを使い、余分な電流を素早く逃がす高�]ダイオードにもSiCショットキーダイオードを��いたもの。��積1リットル当たり50kVAと高密度であり、しかも出��が156kVAと�jきいため、�O動�Z����には�科�使える容量である。kVAは電圧（kV=1000V）に電流（A）を�Xけただけの数値であり、実際の出��は電流×電圧にさらに��率（りきりつ）を�Xける。��率は交流電圧に�瓦靴禿杜�が少し��れる�X��に使う�駘�量で、負荷に寄�撻ぅ鵐瀬�タンスが加わると��れが�擇犬襦�このインバータは���U空冷で動作する。5月31日の日経�噞新聞によると5�Q以内の実��化を�`指すという。

先々週、横�pで開��された「人とクルマのテクノロジー�t」では、デンソーが3インチウェーハで作��したSiC MOSFETを��いてインバータを試作し、その��積が0.5リットルで出��30kWを��したデータを�t��していた。1リットル当たり60kWという出��になる。小型化を�{求するため、ダイオードとしてMOSFETに内�鼎気譴討い覺韶�ダイオードを使い、ショットキーバリヤダイオードは使わなかった。���U空冷を�i提としている。これはトヨタ�O動�Zと�l田中央研�|所との3社による共同研�|だということだが、SiC MOSFETでインバータをどこまで小さくできるかという試作的な�T味合いが�咾�。

パナソニックはGaNトランジスタとダイオードをサンプル出荷しており、2012�Q度下期（1〜3月期）にこのパワー半導��を量��する予定だ、と5月29日の日刊工業新聞が報じた。6インチシリコンのウェーハ�屬�GaNを成長させ、低コスト化を�`指す。まずは600V耐圧の����から量��するとしている。

試作��のファウンドリサービスは国内では�噞�\術総合研�|所で行っているが、NTTアドバンステクノロジはファウンドリ��業を�啣修垢�、と5月30日の日刊工業新聞が伝えた。半導��やMEMS、材料分析などを専門とする10人��度の�靆腓鮗卞發棒���、NTTの��国の����が�j学や�c間研�|機関の�X口となるという。ファウンドリビジネスは���]することが専門であるが、顧客をとるためには設���\術に�@通していなくてはならない。どのような顧客にも�官�するため、あらゆる設��ツールを揃え、RTL出��からRDS II出��に至るまで、さらにはシミュレーションツールや検証ツールを揃え、さらにはIPをビジネスにするためにはシリコンで動作を実証することも��要だ。ビジネスとしてファウンドリサービスを成立させるためには設��エンジニアがマーケッティングや営業をすることは�Lかせない。彼らを雇わなければ、�`�Yとする�Q商10億��は無理だろう。

�櫂好僖鵐轡腑鵑�NANDフラッシュも����化するが、このほど�f国のSKハイニックスに�攵�を委�mする、と31日の日経�噞が報じた。スパンションはこれまでエルピーダメモリをファウンドリのパートナーとしてきたが、エルピーダでの�攵���画が�Vまっているとしている。ファウンドリの顧客としてはリスク分�gの�T味で2社�P�Aは当��のことであり、エルピーダはこれによって顧客を逃がしてしまったという�lではない。ただし、顧客�官�をしっかりしていなければ本当に逃してしまうことになる。

これまで�Hくの日本企業のファウンドリ��業は、�O社の�攵��ξ�が余っている時だけ�p�Rするという「殿様商売」であり、�L外のファウンドリ企業が行っている顧客�_��のビジネスモデルとは��く違う。ファウンドリ��業を�Pばして顧客を�\やすためには設��ツールや設���\術に�@通した人間を雇うことがマストであることは言うまでもない。