日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い
日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj(lu┛)}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。
日経噞によれば、VLSI Researchと提携するテクノロジー・パートナーズ社が発表した。総合1位は盜颪慮hメーカーTeradyneで、2位アドバンテスト、3位ASML、4位日立ハイテクノロジーズ、5位j(lu┛)日本スクリーン]という順。以下、6位Applied Materials、7位東Bエレクトロン、8位日立国際電気、9位Lam Research、10位ニコン、となり、日本勢の健hが`立つ。
半導]設△話渦舛数h万から数臆にも及び、設⊇却期間について噞cから1Q償却の要望がBに出ていた。これをpけて、経済噞省は2014Q度の税U(ku┛)改において、投@したQ度に(f┫)価償却Jをk括屬任るという新しい税U(ku┛)(sh┫)針をwめた、と6月14日の日本経済新聞が報じた。来は、5〜15Qかけて(f┫)価償却していた。投@した企業は、もし同じQにW(w┌ng)益をHく擇濬个擦疹豺腓1Qで償却を済ませることで、I税できるというメリットがある。ただし、次Q度以Tの税金は変わらない。経愱は設投@の性化策として財省や与党と調Dに入るとしている。
~機ELの]では、カネカは運転コストを低(f┫)できる^を、子会社のOLEDE森に\設する、と発表した。この^は、ノズルを1本あるいは数本線Xに配した来(sh┫)式ではなく、CXに並べたもの。これによって、ガラス基C内の^膜厚分布を来の5%から3%以内に抑えることができた屐∈猯舛了斑効率は来の5%から20%に高まり、高価な~機EL材料の使量を削(f┫)できるようになった。13日の日経噞によると、攵コストを来に比べて6割削(f┫)できるという。カネカは、2010QにOLEDE森を100%出@で設立、~機ELパネル攵も試x的に始めた。パネルは照_(d│)困箸靴謄ネカが販売する。カネカは、~機ELパネルの価格を現在の1/10に引き下げることを`指しているという。
パワー半導関係のニュースは2Pあった。まず富士電機が松本工場内に33億を投じてSiCパワー半導の攵ラインを設け、10月から量すると11日の日経噞が報じた。SiCパワー半導の最j(lu┛)の問はコスト。SiのIGBTよりも数倍~10倍も高い。現在主流の100mmウェーハを150mmにj(lu┛)口径化することでチップコストを下げ、最j(lu┛)3割の]コスト削(f┫)が見込めるとしている。同社は、2009Qから噞\術総合研|所と共同でSiCデバイスを開発してきた。O社でのSiC攵ライン新設は今vが初めてだという。松本工場の新ラインは、2015Q度までにフル攵、月1500を見込んでいるとしている。
日立作所は、パワー半導業をY出@の子会社に集約すると発表した。10月1日けで、]専門の日立原町電子工業にその業を引きM(f┬i)ぎ、この子会社を日立パワーデバイス(仮称)に社@変(g┛u)する。このT果、パワー半導業の設、]、販売までのkU(ku┛)を構築できるとしている。日立本や臨L工場の業^は新会社が引きM(f┬i)ぎ、日立パワーデバイスは1160人になる予定である。
最後のニュースはNANDフラッシュメモリ。11日の日経によると、NANDフラッシュのデータセンター要が拡j(lu┛)しているという。データセンターではストレージシステムにHDDがj(lu┛)量に使われているが、そのHDDをNANDフラッシュ主のSSDにき換えようとしている。来のHDDはビットコストがNANDフラッシュよりも1/10とWいものの、読み出し・書き込み]度が圧倒的にい。
に、金融D引では1秒未満の単位の]度が要求されるようになってきており、IBMは10億ドルもの@金を投入してSSDの開発を始めている(参考@料1)。SSDは、5月8〜10日に東Bビッグサイトで開された2013 Japan IT Weekにおいても、バッファローやSwissbitなどJTのj(lu┛)}ストレージメーカーだけではなく、国内の日立ハイテクノロジーズやストレージ・ビジョン、中国Biwin Storage Technology、Smart Storage SystemsなどQ社からtされており、HDDからSSDへの流れはVめられなくなっている。
参考@料
1. IBM、フラッシュストレージの新開発に10億ドルを投@、東はどう出る? (2013/04/17)