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サムスン、3次元e構]NANDフラッシュの量凮始を発表

8月6日の日本経済新聞は、1Cトップに「東、サンディスクと半導新工場、4000億投@、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記を掲載、半導業cを驚かせた。ただ、直後の7日に開された東の経営疑棒会では、このことに関して田中久d社長はk切Bをせず問も出なかった。

どうやら、kつの工場建設に今Q4000億というlではないらしい。何Qかかけてトータルで4000億、サンディスクと折半、ということかもしれない。6日に東はすぐ、「本日、当社の半導新工場建設に関するk霾麑Oがありましたが、当社から発表したものではありません」というコメントを発表している。東、サンディスク共、四日x工場の5]棟の2期分の工に関しては、2014QのA工をめざし、8月から工場を建設していく旨を7月2日のプレスリリースに発表している。

東のプレスリリース(参考@料1)によると、NANDフラッシュの次世代プロセスや3次元構]の攵スペースを確保するため、5]棟の2期分として建設をめた。1期分は2011Q7月からすでにn働している。今vの2期分は、スマートフォンやタブレット、エンタープライズサーバ向けSSDなどを中心に要が\加向にあること、中長期的にもx場拡jが見込まれることから、定したとしている。

同じ6日には、f国のサムスンが3次元のe構]のNANDフラッシュを量凮始したと発表した。7日に日経もこれを報じたが、サムスンが発表したプレスリリース(参考@料2)とほぼ同じ内容だ。メモリ容量は128Gビットで、そのセルには来のフローティングゲートに代わり、MNOS構]のCTF(Charge Trap Flash)\術を使っている。セルをe妓に24個_ねる擬阿如⊃爾ぅ肇譽鵐舛砲茲辰謄船奪徂Cから24段`のセルまで接する。今vのチップのデザインノードは28nm以屬∨,里茲Δ澄20nmノードのプレーナ型のNANDと比べ、容量を2倍にできるとしている。来は1Tビットを`指す。

東が開した経営疑棒会にも~単に触れておこう。これは、中期画の説会であり、田中社長は2015Q度に7兆の売り屬欧鰆`指すとしている。今Qの3月に終了した12Q度では、5兆8003億に低下しており、これをfとしてVCv復を`Yにしている。ただし、これまでのピークだった2007Q度の7兆4043億にはまだ到達しない。売屮▲奪廚離ギを曚訐鐓SがL外売り屬欧了\加。現在55%のL外売嵌耄┐15Q度までに65%まで高めると述べた。また、業の柱として、エネルギーなどのインフラ、半導を主とする電子、そして医を加えた。

ここ直Zの経済X況は良い妓に向かっている。日経新聞社は2013Q度の研|開発動の調hを行ったT果を8日の日経LCで発表している。これによると、研|開発Jは12Q度と比べ、主要261社で5.4%\の11兆3800億になった。その内、24%に当たる63社が2桁Pばす画だという。研|開発JのトップはトヨタO動Zの9000億で、iQ比11.4%\になる。2位のホンダは12.4%\の6300億となり、O動Zメーカーの研|開発投@がjきい。電機・ITでは、日立作所が6.3%\の3630億、東は12.7%\の3450億と\やしたk気如家電のパナソニックは2.4%の4900億、ソニーは2.8%の4600億となった。投@する研|テーマは省エネ\術、新エネルギー\術がHいという。

半導関係企業の2013Q度1四半期(4〜6月)のQ報告が先週もいていた。後工のテープフィルムを]するリンテックが純W益39%\の23億、検hに使うプローバの東B@密は営業W益が37%\の25億i後だとしている。

参考@料
1. 四日x工場 5]棟の2期分の建設について (2013/07/02)
2. Samsung Starts Mass Producing Industry's First 3D Vertical NAND Flash (2013/08/06)

(2013/08/12)

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