1月1日の日刊工業新聞は、「IoT時代、本格幕開け」というテーマで、ロボット、ウェアラブル端��、建機という例を解説している。��て、直接的あるいは間接的にインターネットに接��し、遠隔操作あるいはデータ蓄積・応答という動作を行うものである。建機あるいはロボットなどはM2M（Machine to machine：通信モジュール）を搭載し、インターネットにデータを直接�屬欧���身��に�Dり��けるウェアラブル端��は電池��命を�Pばすため、スマートフォンを通してデータをインターネットに�屬欧襦�いずれも幅広い分野に使われるようになる。

IoTは、基本的にセンサ、アナログ�v路、マイコン、送�p信�v路からなる。微細化�\術は直接使わない。むしろ、どのようなデータをどのように検出しインターネットにどのようにして�屬欧襪里�が�_要で、ハードウエアというよりもソフトウエアがカギを�曚襦Ｆ�経は1月1日の��集で、IoTに使うセンサが20�Qに1兆個（トリリオン）になるという調�h会社の予�Rをタイトルに使った。5日の日経�噞新聞は、IoT��半導��として、Aviacomm社のフィルタ�U御可�Δ聞�帯域RFチップを採り�屬欧拭�300MHzから3GHzまでの�Q国・�Q地域で使われる、さまざまな周�S数にプログラムで�官�できる。

日刊工業は、新しいパワー半導��、SiCやGaNなどのMOSFET、HEMTデバイスを1日採り�屬欧討い���「”日の丸”、最後の砦�x守へ」、という見出しだが、企業はもはや日の丸にこだわる��要はない。�Q企業が世�cで�Mつための�戯�、戦�Sを考えればよいのである。日本企業が世�cで�Mてる����を作り、売り�屬�･�W益を成長させていけば、�T果的に税金として国益にかなうからだ。

SiCパワーMOSFETは小田��電鉄に納入され、電�Zのモータの�v転数を�O�y�O在に変えられるインバータに使われる。MOSFETはIGBTよりも高�]のスイッチングができるため、エネルギーをためるコイルやコンデンサを小さくできる。SiCデバイスは、電流がウェーハに�貭��妓�に流れる�e型に�瓦靴董�GaNのHEMTは水平�妓�に流れる横型であるため、耐圧が異なる。600V以下ならGaN、1200V以�屬覆�SiCというすみわけが出来つつある。また、�T晶成長からデバイス作��までのトランジスタレベルでは日本は�咾い�、�v路�\術では��に�咾��lではない。むしろ、�v路�\術で�L外と組めば、性�ΑΦ��Δ旅發�����を早く�x場に出せるようになる。

SiCに関することではないが、パワー半導��でリードする��菱電機は、組立と検�hの後工��を2016�Q度から中国に�ヾ匹垢襦△�12月30日の日刊工業は伝えた。モータ�U御のインバータでは、3相モータを使うことが�Hいため、最低でも6個ずつ使う。このため、トランジスタチップを6個と�Qトランジスタの逆向きに接��するダイオード6個を�kつのモジュールにパッケージングすることが�Hい。こういったパワーモジュールも後工��でハンドリングするが、モジュールも中国に�ヾ匹垢襪�どうかは新聞情報でははっきりしていない。

SiCパワー半導��はまず電�Zから入ったが、この�x場はSiCパワー半導��の実��化というよりも試運転という�T味合いが�咾�。むしろ、パワー半導��の最�jの�x場になりそうなのが�O動�Z向けである。電気�O動�Z、�\料電池�Zいずれもモータで�Z�茲鴈~動する。このためインバータは��須で、ここにSiC MOSFETの�jきな�x場が��来見込める。電気�O動�Z��では�W��性と軽量性との兼ね合いで、おそらく300〜400Vに��圧することが求められている。耐圧1200Vのデバイスが使われるだろう。

�\料電池�Zは水素と��素の�\焼によって発電しモータを�vすが、始動時にはLiイオン電池も���\��に使われる。このため、SiCトランジスタが使われる個数は�\える。��なるコストダウン�\術の開発も�Lかせない。