成長の源泉はやはりIoTとクルマ
アルプス電気は2015Q4〜9月期の連T純W益がiQ同期比97%\の255億になる見通しだ、と9月29日に日本経済新聞が報じた。好調の要因はスマホとクルマ。款氾にPC主のMicronのDRAMとAMDのプロセッサの不調も伝えられた。もはやW益の源泉はスマホを含めたIoT関係とクルマに見てDれる。
アルプスの好調は、スマホカメラの}ぶれモジュールや、クルマのセンサやスイッチなどのpRが旺rであることに裏けられている。款氾にMicronの2015Q6〜8月期の純W益はiQ同期比59%の4億7100万ドル、売り屬欧眛15%の36億ドルに落ちた。DRAMx場の中でもモバイルDRAMの世cx場はまだ\加向にあるが、PC向けがHいMicronがk人負けの様相を呈している(参考@料1)。また、パソコンやIAサーバ向けのx86アーキテクチャに集中するAMDは、2016Qまでに業^の5%に相当する500人の削画を発表した。AMDの4~6月期の最終益は1億8100万ドルのCで、売り屬欧iQ同期の35%の9億4200万ドルとなっていた。
スマホはIoTのkつだが、先週もIoTがらみの記が相変わらずHい。電子メーカーはIoTモジュールにを入れていると10月1日の日刊工業新聞が報じた。センサ端としてのIoTデバイスには、センサとアナログ、マイコンに無線通信機などのv路が搭載されているが、IoTデバイスはこれらをモジュールなどで構成する。TDKは3.5mm角と小さな無線通信モジュールを量僝した。TDKの基内填\術はここでも使われている。アルプス電気は作餞浜などに向け防水処理したIoTモジュールを供給し始めたとしている。
GEのIndustrial Internetは、IoTの応分野のkつだが、GEはビッグデータ解析など顧客のサービスに向けたソフトウエア業を拡jする。10月1日の日経噞新聞によると、2020Qまでに15Q見通しの3倍の150億ドルをソフトウエア業でnぐとしている。
オムロンは、センサやスイッチなどを含むPLCなどのU御機_に通信インターフェース「IOリンク」格を搭載していく疑砲澄センサで集めたデータをU御機_からメインコンピュータやU御機_へと共~、解析し攵掚を屬欧襦9月30日の日経噞が伝えた。
NTTと日立作所が提携し、ビッグデータをして、荼や交通を効率化するというニュースが10月1日の日経に掲載されたが、これもIoTの応例だ。人の流れや駑、交通の流れ、エネルギー管理を把曚掘効率化し、地気砲笋辰討る旅行vへの~益な情報を提供する。地気離┘優襯ー効率を屬押¬犠Gをらすことにもつなげる。
インターネットサービス業vであったGoogleはスマホの新機|を発表し、ハードウエアへの啣修鮨覆瓩討い襦スマホには最新OS「マシュマロ(Android 6.0)」を搭載、最Zの機Δ鯏觝椶垢襪海箸如他の端メーカーのお}本とする。スマホをIoT端あるいはシステムのセンサとして、ビーコンやWi-Fiなどで検出し、スマホ保evの行動(ビッグデータ)を解析、商などのサービスにつなげる。
先週はクルマ関係の業を啣修垢襪箸いΦも相次いだ。まずルネサスは、アナログ・デジタル・パワーのv路を構成できるBCDプロセスを拡充する、と10月2日の日刊工業が伝えた。BCDとは、バイポーラ、CMOS、Double-diffused CMOSのSであり、アナログに咾ぅ丱ぅ檗璽蕕肇妊献織襪CMOS、そしてパワー半導のドライバとして使うDMOSv路からなる。最小線幅90nmのBCDのぞろえを拡充するとしている。
菱電機は発電機(オールタネータ)やスターターに使うモータがuTだが、こういったモータ\術をかし、来の噞向けからO動Z分野にもを入れる。O動Zでは軽量化が須であることから、巻き線を緻密にしてw定子を小型にする。菱はこの\術にノウハウをeっており、OEM(クルマメーカー)のジャストインタイムにも官できる「j量H|」の攵ラインがめ}になるという。
日立作所は、電気O動Z(EV)やプラグインハイブリッドZ(PHV)向けのインバータの電失を6割削したと9月30日の日経噞が報じた。しかし、この記内容はくあやふやでわからなかったため、記の元になっていると思われるニュースリリースをみると、両C冷却型のパッケージに入れたSiCフルパワーモジュールを開発したとある。フルSiCモジュールとは、MOSFETと、逆電流を素早く逃がすためのダイオードを共にSiC半導で構成したもの。並`接したQSiCパワー半導のオンオフのタイミングのズレを最小にするようにドライバv路を工夫し、電流容量を来の2倍に高め、小型化を図ったとしている。
パナソニックもクルマ業を啣修垢襪燭GaNやSiC半導向けの高耐X半導パッケージ`脂を開発、10月からサンプル出荷する。これは`脂のガラス転‥世鴪来の170〜180℃から210℃に高めたもの。加えて、両C放Xパッケージをいて光出4.5Wと高いEレーザダイオードも開発した。クルマのヘッドライトやレーザー加工機への応を狙う。2019Q以Tの実化を狙う、と9月30日の日経噞が報じた。
参考@料
1. Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに`される (2015/08/18)