東��、メモリを軸にパワー、システムLSIは�M��
先週の3月18日金曜日の�D�機�東��は「2016�Q度��業��画説��会」を開��した。仙��での�D材を終えると筆�vは東�Bへとんぼ返りし、説��会に参加した。在�Bテレビ局が集�Tし、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町��志代表執行役社長は、淡々と説��会�@料を読み�屬欧拭Ｆ影�Samsungが設��投�@を半��するというニュースも入った。
21日の日刊工業新聞のウェブ版は、「東��、来�Q度に���C転換−営業益1200億��、成長基盤を構築」(参考�@料1)、19日の日本経済新聞は「東��、3万4000人���^、��模縮小、再建��ぐ、売�峭�3割��、半導��などに集中、来期」(参考�@料2)、また20日の社説では「総合電機の�o��下ろす東��」(参考�@料3)、同じく20日の東洋経済のウェブ版は「東��、�k息ついたがV�C�v復実現には課���兩僉�(参考�@料4)、という見出しをそれぞれが��けた。いずれの見出しも東��の発表会の様子を��しく伝えている。18日の発表会の�iに、東��は東��メディカルのキヤノンへの売却と、白�餡氾鼎涼羚馮�的集団への売却を発表していた。
東��は2015�Q度��(今月��)までは企業としての�T��に��を入れ、2016�Qには�@本�x場に復帰を�`指し、18�Q度に収益基盤を確立するという��画を発表した。企業の�T��を図るために構�]改革を3月��に終えるとして2016�Q度には踏み込まないようだ。2016�Q度では、集中と���Iを行い、ストレージ、社会インフラ、エネルギーの��つの分野に�R��することを��めた。
半導���靆腓呂海海任魯好肇譟璽己�野に�錣垢襦�社�@は以�iのセミコンダクター&ストレージ社からストレージ&デバイスソリューション社へ変わる。「メモリを核に収益の柱へ」を�Y榜しており、SSDとNANDフラッシュ、ディスクリートのパワーデバイス、画�鞠Ъ韻鮹羶瓦縫轡好謄�LSIを�}�Xけるとしている。ディスクリートは、白色LED��業を終息することが��定しているが、パワートランジスタは�Z載分野に集中し拡�jしていくとしている。白色LEDは�盜颪離戰鵐船磧�Bridgelux社からGaN on Si�\術のライセンスを�P入、量�僝を進めていたものの、思うように歩�里泙蠅��屬�らなかったようだ。そのBridgeluxを中国ファンドが昨�Q7月に�A収することで合�Tしたため、東��はどうなるのか�R�Tを払って見ていた。��業を終息することは�Kくはないが、中国のファンドに売却できなかったのだろうか。
2月には�j分工場と岩�}東��エレクトロニクスを合��し、ファウンドリ専門の「ジャパンセミコンダクター」を4月1日に設立することを発表しているが、その狙いは、空いている�攵��ξ�を�mめるため、と室町社長は語っている。アナログファウンドリとして、����したいという�T向だ。ただし、ファウンドリビジネスでは、LSI設��の��識を�eつセールス担当�vが�Lかせない。RTL、ネットリスト、GDS-II、どの設��レベルでも���]を引き�pけ、しかも検証できる�ξ�が求められるからだ。当��、さまざまな設��ツールを���Tしておく。LSIチップの顧客はLSI設��にはほとんど興味はなく、RTLはおろか、GDS-IIまで�}�Xけられる顧客のエンジニアはほとんどいないからだ。元アナログ設���vの採��がマストである。�O社工場の余ったラインを�mめるだけの発�[では、ファウンドリビジネスは無理なことは、ルネサスなどのIDMがよく�瑤辰討い襦�積極的に顧客を�Dりに行くビジネスをする気を��す��要があろう。例えば、アナログ設���vをどのくらい採��するかによって、その本気度がわかる。
NANDフラッシュでは設��投�@は��ける。2016�Q度から18�Q度までの3�Q間で8600億��を投�@する�T向であり、2016�Q度の��1四半期に新��2棟建屋�A工、16�Q度にはさらに次期新棟向けの土地�]成も��画され、17�Q度には次期新棟建設に入る予定だ。今�Qのメモリ売り�屬欧�15�Q度の8000億��から7400億��に���Yしたのは、�wく見ており、16�Q4〜6月は�Kく、後半からよくなると見ているためだ。16�Q度に3D-NANDへの切り��えが始まるため、厳しく予�[している。しかし17�Q度以�TはSSDなどの拡�jにより売り�屬欧��\えると室町社長は述べている。
3月18日には、Samsungが2016�Qの設��投�@を130億ドルから90億ドルに�j幅���Y、というニュースを�f国のKorea Timesが報じている(参考�@料5)。��に、DRAM投�@は2015�Qの21億ドルから51%���Yし、NANDフラッシュも61億ドルから28億ドルへ��らす。残りは���W工場に振り向けるとして、新工場に33億ドルを投�@する。現�Xの�攵��ξ�を�屬欧襪燭瓩棒���投�@を行い、10nmラインへの投�@は2017�Q以�Tになる。ただし、SK Hynixの投�@�Yは57億ドルから54億ドルへとほぼ横ばいだ。
参考�@料
1. 東��、来�Q度に���C転換−営業益1200億��、成長基盤を構築
2. 東��、3万4000人���^、��模縮小、再建��ぐ、売�峭�3割��、半導��などに集中、来期
3. 総合電機の�o��下ろす東��
4. 東��、�k息ついたがV�C�v復実現には課���兩�
5. Samsung to halve investment in memory chips
