BroadcomがQualcommを1000億ドルでA収する?
半導同士のA収合戦がこの半Q間は少なくなり、もはやソフトウエアメーカーのA収に点が,辰討たかと思われた矢先、BroadcomがQualcommA収を検討しているというニュースをBloombergが11月3日に掲載、驚かせた。k(sh┫)、ルネサスエレクトロニクスが7〜9月期のQを発表、好調さを(j┤)した。クルマ向けのパワー半導も動いている。
Bloombergは、BroadcomのCEOであるHock Tan(hu━)が1000億ドルでQualcommのA収を検討していると親しい仲間にらしたと報じた。1株70ドルで提案しているようだ。BroadcomはWi-FiやBluetoothに(d┛ng)く、Qualcommはセルラーネットワーク通信に(d┛ng)い。今後の5Gを考えると、Wi-Fiと5Gは相う関係がくため、今後の無線通信をて1社が独する形になる可性がある。
ただし、このところQualcommは中国地場のファブレス半導メーカーによるスマートフォンのモデムとアプリケーションプロセッサに押されており、Z戦している。湾のMediaTekもく同じで、中国ファブレスにx場をDられている。QualcommはCDMAの基本をeっているため3Gでは完独X(ju└)を実現したが、4G(LTE)のOFDMでは保~数は最j(lu┛)だが基本ではないため、4Gとその先の5GもZ戦が免れない。
Broadcomは~線通信でもクルマに軽くて細い配線を使うEthernetで優位な地位にあり(参考@料1)、さらに今後のコネクテッドカーでは、Wi-Fi格の802.11pよりもセルラーネットワークを使う動きが出ている。ドローンの通信でも電池さえせば遠くまで飛ばせるセルラーネットワークが~望されている。このため、BroadcomがQualcommを欲しがるのは納u(p┴ng)できる。BluetoothではQualcommは英国ファブレスのCSRをA収したため、_なるもあるが、ほとんどの通信では_なりは少ない。
Bloombergによると、BroadcomのTan(hu━)は、現在シンガポールにある本社を(sh━)国に,港T向も(j┤)しており、Tan(hu━)O身も(sh━)MIT(マサチューセッツ工科j(lu┛)学)で機械工学の学位、Harvard Business SchoolでMBAの@格をDu(p┴ng)しており、(sh━)国になじみがある。元々シンガポール本社は、2QiにA収された旧Avagoの本社であり、実はシリコンバレーで行われているので、(sh━)国への‥召砲禄j(lu┛)きな問はない。
現X(ju└)の半導ブームはメモリのバブルによるところがj(lu┛)きいが、11月2日の日経噞新聞は、7〜9月期のSamsungの半導業の営業W(w┌ng)益率が50%をえたと報じている。メモリバブルのおかげで東の経営陣が迷走しても、東メモリのビジネスは順調なようだ。
メモリ以外でもルネサスが先週発表したように好調で、同社の2017Q3四半期の売幢Yは(r┫n)GAAPベースで1955億、営業W(w┌ng)益率18.4%を屬靴討い襦ルネサスは4四期の見通しも発表し、2017Qの通期(1〜12月)ではiQ比22%\の7567億、営業W(w┌ng)益率15.5%を見込んでいる。6日の日経噞は、今後を入れるアナログ半導の@で、A収したIntersilのノウハウを吸収していると報じている。これまでのルネサスは顧客ごとに設するカスタム仕様がHく、W(w┌ng)益が出てなかった。
ルネサスのu(p┴ng)Tなクルマでは、EV化のSと共にパワー半導への(ji┐n)要も\えてくる。東のパワー半導の16Q度の売幢Yは900億i後と6日の日刊工業新聞が報じているが、Siパワー半導の攵ξを20%に屬押SiCパワー半導のラインを4インチから6インチへ切りえ、17Q度中に∀工場のライン構築に}するという。
富士電機も投@を?q┗)発にする?017〜2020Qの4Q間で500億模の\欫@を行うと2日の日刊工業が報じたが、10月30日の日経噞は17Q度と18Q度で500億と報じていた(参考@料2)。富士電機の17Q度の売幢Yは1000億で、23Q度までに1500億に引き屬欧觴画だとしている。
パワー半導向けの絶縁基として、W(w┌ng)工業は厚さ0.08mmと薄い絶縁のエポキシ`脂基を開発した。アルミや銅箔に張り、パワートランジスタの電源端子などを絶縁する。セラミック基の1/10の価格で済むと日刊工業は伝えている。
参考@料
1. Broadcom、クルマEthernetスイッチの性・機Δ鮓 (2015/11/05)
2. EVシフトがzに、設投@も発 (2017/10/30)