投@が相次ぐパワー半導と関連噞
今Qも半導は二桁成長がきそうだ。先週は半導噞の好調さを伝えるニュースが相次いだ。NANDフラッシュメモリ業を}放した東は、パワートランジスタとLiイオンバッテリに投@することを発表、日新電機はタイとベトナムでの半導]の佗藕場に投@、湾のGlobal Wafersも480億の投@を検討している。先端半導では2nmを2025Qまでに揃えるとTSMCは発表した。
東が300億を投じパワー半導の攵ξを5割\咾垢襪7月2日の日本経済新聞が伝えた。菱電機や富士電機も攵摚△了\咾鰺縦蠅靴討い襦E贄は加賀エレクトロニクスを中心に∀工場とタイの組み立て工場を啣修垢襪箸靴討い襦2020Q度にパワー半導の攵ξを17Q度比50%\にする。国内最j(lu┛)}の菱電機はy本県と中国にある主工場を中心に100億を投@、22Q度までにパワーデバイス業で2000億の売り屬欧鰆`指す。富士電機も今Q度中に200億を投じて国内工場を\咾垢襦17Q度に新型パワー半導の量UをDえたばかりだが、パワー半導の売り屬欧23Q度には現在の1.5倍となる1500億へと引き屬欧襦
日本のパワー半導メーカーはやっと投@に踏み切ったが、パワー半導で世cトップのInfineon Technologiesは、この5月にすでにオーストリアのフィラッハに300mmのパワー半導工場を新設することを発表している。2019Q嵌彰に新工場の建設を始め、2021Qに攵を開始する画だ。6Q間で16億ユーロ(約2000億)を投@し、総建設C積は6万平(sh┫)メートルになる。
こういったパワー半導メーカーが投@に踏み込むのは、EV(電気O動Z)x場の拡j(lu┛)と工業IoTやFA(ファクトリオートメーション)のデジタルトランスフォーメーションにより、モータU御のパワー半導のx場が拡j(lu┛)するからだ。これらのx場はこれまでの工業半導の成長]度とは異なり、2020Q代に渡り成長のエンジンとなる。EVに要なバッテリチャージャーやインバータ、DC-DCコンバータなどのv路てにパワートランジスタを使うほか、\料電池Zでさえv撻屮譟璽などのマイルドハイブリッドv路にもモータを使うため、どのOパワー半導が要になる。また、モータを使う新しい応ではインバータW(w┌ng)が\えていくため、パワー半導x場はこれまでとは違うスピードで成長していくだろう。
東はW性の高いリチウムイオン電池である「SCiB」電池に50億をようやく投@、新觚柏崎工場でセル数に換Qして月100万個を150億個に\する、と6月26日の日経が報じた。O動Z向けのバッテリとして見込むようだ。Jにスズキの小型Zや東B地下鉄のZ両に供給しているという。
半導]のpm攵ξを倍\させる日新電機は、タイに新工場を建設し、ベトナムに最新の加工設△鯑各したと26日の日経噞新聞が報じた。総投@Yは8億3000万。Global Wafersの定時株主総会で、投@はまだ定していないとしつつも実現する可性は極めて高いと同社トップの徐秀蘭董長が語っている。
リソグラフィメーカーのキヤノンは、2018Q1〜3月期の連TQで半導]はiQ同期比2.5倍の27出荷したと29日の日刊工業新聞が報じた。18QではiQ比1.8倍の126を見込んでいる。
半導ファウンドリ最j(lu┛)}のTSMCの創業vであり会長でもあり6月に引したMorris Changは、3nmは2Q以内に開発でき、2nmも2025Qまでには世に問えるだろうと語ったと26日の日経噞が報じた。半導の微細化を膿覆垢襯妊丱ぅ垢蓮∈はアプリケーションプロセッサになり、現在最先端の7nmは、今秋Appleが発売すると予[されている新型iPhoneに使われるとみている。