2020�QにSiCを採��する�Zを走らせる、とトヨタ�O動�Zが�o表していたが、2020�QまでにSiCウェーハの供給が不�Bすると見込まれており、トヨタは新型のIGBTに切り��えると12月17日の日経Xtechが報じた。SiCのクルマでの�W(w┌ng)��は、インバータが実��化される�iに使われそうだ。まずオンボードチャージャー（AC-DCコンバータ）とDC-DCコンバータのような�W定化電源�v路だ。電源�v路で実績を�屬押▲潺奪轡腑鵐�リティカルなインバータへと�t開する。

SiCデバイスがクルマに使われるようになると、その�x場は�j(lu┛)きくなり、これまでのような量�����U(ku┛)では�官�できなくなる恐れがある。パワー半導��は、メモリなどの量����とは違い、月��1000個��度以�屬鯲名�と定�Iしているためだ。クルマ応��はこれまでにないSiCパワー半導��の応���x場となる。

Siと比べ、SiCが高�a(b┳)に耐えられるという��長は、逆にプロセス処理しにくいことの裏返しでもある。Siよりもずっと硬いSiCの�T晶インゴットからウェーハに切り出すのにも何時間もかかるが、ディスコがレーザーで切��した後、仕�屬恩λ甓湛�までを�O動化することに成功、スループットを��来よりも5割高めた、と21日の日経�噞新聞は報じた。ウェーハ1��当たりの加工時間は10分に�](m└i)縮したという。さらにウェーハにロット番��(gu┤)などを刻印し、トレーサビリティの管理も改��したとしている。

SiC MOSFETはSiのIGBTよりも高�]動作が可�Δ世�、その分使いづらいという�mもある。��菱電機と東�B�j(lu┛)学はゲートしきい電圧Vthを�屬欧襪海箸如�外�陬離ぅ困留惇xを�pけにくいMOSFETを開発したと発表した。これはMOS表�CにS（硫黄）を添加することで、電子の�k�陲鯤畭�しゲートしきい電圧を高めながら、オン�B�^はそれほど�\加しないという。また、�噞�\術総合研�|所と富士電機は共同で、高�a(b┳)でのオン�B�^が1平��(sh┫)cm当たり0.63 mΩと低い1200V耐圧のSiC MOSFETを開発した、と20日の日刊工業新聞が伝えた。二つの発表共、12月3~5日、��(sh━)国のサンフランシスコで開かれたIEDM 2018において発表されたもの。

デンソーがHV（ハイブリッド�Z）向けの半導��デバイスを�攵�する岩�}の新工場が完成した、と20日の日経�噞が報じた。トヨタ東日本は岩�}、宮城の工場に小型�Zなどの�攵�を集約する��(sh┫)針で、新工場は電子機�_(d│)の���]拠点として機�Δ垢襪箸靴討い襦�2019�Q1月から、HVに使われる半導��デバイス「パワーカード」の�攵�をはじめ、メーター類も���]する。SiCを�攵�するかどうかは��らかにしていない。

IoTを�~使して工場の�攵掚を高めるデジタルトランスフォーメーションを推進する、とOKIのサービス戦�Sを19日の日経�噞が紹介している。設�△良n働率をセンサで把��(┐i)し、ミスを��(f┫)らす。この�攵掚向�屬離機璽咼垢鮑８�3�Q間で50億��の売�幢Yに�\やすことを�`�Yとしている。まず��業�^が�^から�Dり出す����をプロジェクタで指��(j┤)する。����を作業��で組み立てる工��の作業マニュアルもプロジェクタで指��(j┤)する。��来はLEDで指��(j┤)していたが、�^や作業��ごとに設��するためコストがかかりすぎていた。プロジェクタの導入により設��投�@�Yを75%��(f┫)らすことができたという。OKIはすでに�j(lu┛)�g(sh┫)工業の工場に導入し、効果を検証している。

TDKは秋田県にかほ�xの稲倉工場で、��来200mもあった�攵�ラインを5mに�](m└i)縮、��業�^の�‘意{(di┐o)�`が1/50、リードタイムが1/10に�](m└i)縮し、時間当たりの�攵��ξ�が4倍に�屬�った、と19日の日経�噞が報じた。ここではフェライトコアを�攵�しており、これまでの材料調達、設��、�攵厙理、出荷まで��ての工��での不良��をなくすことに��を�Rいだ�T果だったとしている。次はデジタルトランスフォーメーションに向けて動きだす。