Samsungの業績は、連�T売�幢Yは56兆1300億ウォン（1ウォン＝0.092��）、営業�W(w┌ng)益が6兆6000億ウォンとなった。このうち半導���靆腓惑��幢Yが�i�Q同期比27%��(f┫)の16兆900億ウォンで、営業�W(w┌ng)益は71%��(f┫)の3兆4000億ウォンとなった。Samsungはメモリ�靆腓�圧倒的に��(d┛ng)く、売り�屬欧�9割がメモリだと見られている。8月1日の日本経済新聞は、システムLSIが半導����業の営業�W(w┌ng)益に��める比率は5%弱のもようだ、と述べている。

この業績を見る限り、Samsungが世�c�kのシェアを�曚�DRAMやNANDフラッシュなどのメモリ単価の値下がりが�Vまらないまま来ていることがマイナス成長の最�j(lu┛)の要因である。2017�Q、2018�Qのメモリバブルでは�攵盋をあまり�\やさず単価の値�屬�り�W(w┌ng)益を�\やしてきたツケが�vったと言える。ユーザーはメモリバブルの間、二�_���_の発�Rによりメモリを確保し��けてきたため、在�Uがたまりすぎた。今度は逆に単価が下がり始めたものの、���Vめがかからない�X況だ。メモリユーザーからすれば、供給不�Bの時に�攵盋を�\やさず値�屬欧砲茲辰鴇W(w┌ng)益を貪っただけに、この値下がりは、「それ見たことか」と言わんばかりの�X況が��いている。この��3四半期もDRAMは10〜15%値下がりするようだ(参考�@料1)。

メモリ偏�_を心配していたSamsung経営陣は、��(r┫n)メモリ�靆腓���(d┛ng)化を�|んできたものの、「笛吹けど踊らず」�X��が��いていた。メモリバブルがはじけたことでようやく��(r┫n)メモリ�靆腓���(d┛ng)化し始めた（参考�@料2）。同社は昨�Q、ファウンドリ��業を��(d┛ng)化しており、��業本�陲箸靴童�(j━ng)格させた。

Samsungと同様、メモリメーカー��2位のSK Hynixは、メモリ不況を乗り切るため、�f国�n川工場のDRAMラインM10 FABでのDRAM�攵�を中�Vし、CMOSセンサの�攵�へ19�Q後半から切り��えるという。DRAMの�攵��ξ�を��(f┫)らし、CMOSイメージセンサ��業を��(d┛ng)化し、ファウンドリには乗り出さない。

ところが、日�f通商問��で日本���Bは、�f国をホワイト国から外し、輸出�}��きが最長90日かかるように先週、議会��定した。半導��と�~機ELに向けた3�|類の化学薬��の�kつEUVレジストは、これからSamsungが��を入れようとしているファウンドリビジネスで��要になる材料である。Samsungから見れば、フッ化水素は�f国国内でもすでに�攵�しているため、それほど深刻な問��ではないが、EUVレジストはファウンドリビジネスにとっては極めて�_要な化学薬��となる。もちろんSamsung����からすれば、まだ微々たる金�Yだが、これから��を入れていく戦�S����であり、しかもライバルTSMCにはその�U(ku┛)限がないだけに深刻な問��となる。

片や、TSMCの6月の業績は�峺�いており、8月2日の日経�噞新聞によれば、6月の売�幢Yは�i�Q同月比22%�\の858億��湾元（1��湾元＝3.4��）となった。TSMCは、「高価格帯のスマホや次世代高�]通信��格『5G』向けの��要が旺�rだ」、「19�Q7〜9月期は直�Zの4〜6月期よりも良くなる」とのコメントを残したと報じている。2017�Q、18�Qとメモリバブルの恩�Lを��く�pけなかったTSMCだけに、ようやく本業での成長に戻ってきたことに��(d┛ng)気になっている。

8月1日の日経は、「TSMCは2019�Q��までに、��湾で3000人以�屬龍\術�vを新��採��する。人工��(m┬ng)�Α�AI）や次世代高�]通信��格「5Ｇ」関連の半導����要の開��に向け積極投�@を�]ち出しており、��せて人�^も�\やす。�f国サムスン電子との��しい��争を�Mち�sく狙いだ」と報じている。TSMCはこれからのAIや5Gで半導����要が旺�rになると見ている。ファウンドリビジネスでの�M�Qをつかんでいるようだ。

参考�@料
1. DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスが��く (2019/07/31)
2. �f国でなかなか育たない��(r┫n)メモリビジネス��情(3)−巨�Y投�@��画��らかに (2019/05/15)