図1　ソシオネクストの開発した60GHzの広帯域ToFセンサ　出�Z：ソシオネクスト

10月12日にソシオネクストが東�B証�w�D引所のプライム�x場に�崗譴靴燭�、先週（10月21日）の終値は4965��となり、�o開時よりも1000��以�峭發�なった。�o開株価は、3650��だったが、�崗貭掌紊�3835��と5%���vった実績があった。最�Zはさらに株価を�Pばし��けている。21日の日経�噞新聞によると、EV（電気�O動�Z）や�O動運転�Z向けのチップには5nmプロセスノードの����を考えており2024〜25�Qに量��が始まると報じた。�Z載向け半導���x場は成長�噞であり、マクロ経済の影�x（メモリは�pけている）は�pけていないという。

ソシオネクストは、富士通とパナソニックのシステムLSI��業を統合したファブレス半導��だが、�崗譴鉾爾ぅ僖淵愁縫奪�は主要株主ではなくなり、日本��策投�@銀行と富士通がそれぞれ約15%を�eつ主要株主となった。筆�vがあるエンジニアにインタビューした時、「ファブレスになってから工場からの月����模が少ないと����化できなかった�垉遒箸楼磴ぁ�月����模を気にせずのびのび設��できる点がファブレスの良さ」と語っている。

��湾のIT19社の業績がまとまり、9月における合��売�幢Yは�i�Q同月比21.3%�\の1兆7060億��湾元（約7兆9000億��）となった。これは21日の日経�噞が報じたものだが、ファウンドリのTSMCが同36.4%�\と相変わらず好調だ。それでも2022�Qの設��投�@�Yを1割��の360億ドルに���Yすると10月中旬発表していたが、これは���Yというより投�@を来�Qに先��ばししただけとTSMCは述べている。メモリメーカーのビジネスは深刻で��湾の、南亜科�\は、2022�Qにおける��来の予�[設��投�@を4割���Yすると中旬に発表したが、さらに2割��らすと日経�噞は報じた。

�f国のウェーハメーカー、SK Siltronは�f国の�n�_工場を�\�咾垢襪犯�表したが、21日の日経�噞は、今後5�Q間で総�Y2兆3000億ウォン（約2300億��）を投じ、11月から新���]棟の建設を始めて2024�Q�嵌彰�の量��を�`指すと報じた。この新棟建設に8550億ウォン（約855億��）の投�@を�D締役会で��定した。直径300mmのシリコンインゴットの�攵摚�△鮖\�咾靴討い�。

住友電気工業は、10GHzでの�W(w┌ng)�uが13dB��度�eつGaN-HEMT（高電子�‘暗戰肇薀鵐献好拭砲魍�発したと発表した（参考�@料1）。�W(w┌ng)�uは40GHzでも7~8dB��度あり28GHzの��ミリ�Sから39GHzのミリ�Sに使える可��性がある。GaN-HEMTは送信機のパワートランジスタとして使う。��来のショットキーバリアFETではなく、絶縁ゲート型のMISFET構�]に改��している。

これまで半導��チップビジネスには縁のなかったベトナムがファブレス半導��に参入した。ベトナムのIT�j�}FPT社が子会社FPT Semiconductorを設立した。ベトナム国内で通信や�O動�Z向けなど7分野向けに半導��を設��、�f国で���]する。2023�Qまでに2500万個供給する��画だと19日の日経�噞が伝えた。国内の通信業�vを始め、日本、�f国、��湾の企業に期待している。

またインドでは10�Q以���iから半導�����]�噞を作ろうと���Bが�}びかけてきたが、�}応する企業がなく、いまだに�攵�メーカーは出ていない。最�Zも���Bが2021�Q12月に半導��と�]晶の�攵�に7600億ルピーの�мq策を�]ち出した。今�Qの9月には��湾の�V�L�@密工業傘下のFoxconnはインドのコングロマリットのVedantaと提携、半導��を�攵�する覚書を交わした、と18日の日経が報じた。Foxconnは1億1870万ドルを投�@、40%の株式を�eつ見込だ。インドはこれまで半導��設��には極めて�咾�、デザインハウスが�Hかった。Texas InstrumentsやSTMicroelectronics、最�ZではSamsungも半導��設����業を�个栄蕕Ε妊競ぅ鵐魯Ε垢魴eったり現地のデザインハウスと提携したりしている。しかし、���]は弱かった。

参考�@料
1. 「“ポスト5G”を担う世�c初のGaN-HEMTを開発 〜高出��・高周�Sニーズに�官�する次世代情報通信システムの実現に�i進〜」、住友電気工業 (2022/10/18)