レゾナックが本格始動へ、半導関連材料の要に応える
2023Q1月1日に昭和電工と昭和電工マテリアルズ(旧日立化成工業)が合、e株会社レゾナックホールディングス(HD)が業戦Sをらかにした。半導分野を啣修垢襦また、レゾナックに限らず、半導関連材料分野のスタートアップも出している。j陽日┐y本に噞ガスの拠点を設ける。

図1 レゾナックホールディングス 代表D締役社長兼CEO 高橋秀n
1939Qに設立された昭和電工は、石化学を中心に業を進めてきたものの、来の成長となる半導へは2000Q代に入り参入した。ハードディスクの盤を}始めにパワー半導の冷却_、さらにGaAsなどの化合馮焼を}Xけた。半導の中核であるシリコンへの参入は、なかなか叶わなかったものの2020Qに日立化成をA収することで}に入れた。k機1962Q創立の日立化成は、1970Q代に電子材料に参入、銅張り積層のプリント配線基や感光性フィルム、エポキシ`脂、CMPスラリーなど半導材料を啣修靴拭2012Qに日東電工から半導封V業を譲りpけ、モールドパッケージでIC分野を\咾靴拭
今Qに入ってレゾナックHDの業会社であるレゾナックは、パワー半導材料のkつSiC材料をパワー半導トップのInfineon Technologiesに供給することで長期的に契約した。Infineonは1のウェーハを2にカットする低コスト\術をeっているものの、ウェーハそのものを]していない。レゾナックと長期契約することでSiCの調達を確保するT味があった。レゾナックにとっても今後成長が期待されるSiCをW定的に供給できる顧客を耀uできた。
SiCは電Zなどにはすでに使われているが、数量は常に少ない。j量消Jが見込まれる電気O動Z(EV)には高コストゆえに浸透がれているが、Infineonはコストを下げるための\術開発に余念がない。レゾナックは現在6インチのSiCブール(インゴット)を8インチにj口径化する\術開発でもInfineonと合Tしている。Infineonは、オーストリアのフィラハ工場でSiC半導を攵しているが、マレーシアのクルムにも2024Qに攵凮始する予定で工場建設を進めている。
レゾナックはInfineonという最j}のパワー半導の顧客をつかんだことで、小儺業所(栃v県小處x)内に、EV向けパワーモジュール材料のh価・開発拠点「パワーモジュールインテグレーションセンター」を本格始動させる。EVではインバータやパワー半導を搭載するサブシステムからのXを逃がしたり電気的な失をらしたりする\術を開発する。これによってパワーモジュールの開発期間を]縮するという。
レゾナックは、半導後工の材料にも咾なり、モールドだけではなく、異祇導電フィルやロール2ロールのフィルム攵\術、ソルダーレジスト、5Gアンテナ材料に向けた高誘電率で低失のモールド材料などをeつようになった。単なるA収によるポートフォリオの\咾世韻任呂覆、研|開発においても、旧日立化成のウェーハ研磨剤を旧昭和電工の原料\術で咾垢襪覆匹痢屮ぅ離戞璽轡腑鵑離螢譟爾きている」と語る高橋秀n社長のコメントを1月18日の日刊工業新聞は掲載している。20日の日経噞新聞は、高橋社長の「B元では半導要が弱まっているが、長期トレンドはPびる。投@のブレーキを踏む気はない」というコメントを載せている。
SiCのスタートアップでは、@古屋j学でSiC材料を研|する宇E原徹教bがSiCブールを溶]法で形成することを`的として2021Q6月に設立したUJクリスタル社のインタビュー記を日刊工業新聞が掲載した。SiCT晶そのものは常圧ではa度を屬欧討砠]化せず華するため、現在では華法で作しているが、新会社は溶]成長法で作るとしている。デジタルツインを使って新しい桔,鮓つけるという。
パワー半導は、パッケージ基笋MOSFETのドレインと接されているため、基に放Xフィンをつけるためには電気的に絶縁する要があった。マイカを敷いたりグリースを塗ったりしていたが、今後の]充電には800Vをかけるため絶縁が科ではない恐れが出てくる。このためAlNやBNなど、電気的には絶縁でX的には良伝導が望ましい。@古屋のスタートアップU-MAPは、AlNの放Xを2024Q後半から量する、と23日の日刊工業は報じた。繊維XのAlNを使ったセラミック基で、Q間4000平汽瓠璽肇襪魘ゝ襪垢觴画だという。
j陽日┐蓮∫y本県の陽町に半導ガスの駑拠点を設した業所を新設した、と20日の日刊工業が報じた。y本x内にあるをこの新業所に,掘▲スの保管施設を倍\する。陽町に建設中のTSMCの新工場や、ソニーグループの半導新工場などの要を見込む。