図1　���L(zh┌ng)�Oの新�h歳空港に�Zい�h歳美々ワールド工業団地　出�Z：���L(zh┌ng)�O�h歳�x工業団地

ラピダスは�h歳�xに最初の量�妌場を建設すると2月28日に発表した。��め�}となったのは�l(shu┴)富な水と�h歳空港に�Zい立地、���L(zh┌ng)�O�j(lu┛)学や室蘭工業�j(lu┛)学などからの人材確保などだ。欧��(sh━)では雪の�Tる地域での半導���攵�は珍しくはないうえに、広�j(lu┛)な土地も���L(zh┌ng)�Oの魅��。���L(zh┌ng)�Oの�]�v直�O��(m┬ng)��が東�B麹町のラピダス本社を訪問したことに��き、ラピダスの小池淳�I社長も���L(zh┌ng)�O庁を訪問し、��地を��定した。

���L(zh┌ng)�O�h歳�xには�Hくの工業団地があるが、ラピダスが��めたのは、�h歳美々ワールドと�}ばれる工業団地（図1）。空港からのアクセスが良く、�o立�h歳科学�\術�j(lu┛)学があり、�劜連携の拠点の�kつとなっている。3月1日の日本経済新聞は、「再�撻┘佑矣~望��されており、国の�h価では、陸�嵒���発電、�陵杆�発電などの導入余地が��国で�k番�j(lu┛)きいとされる。���L(zh┌ng)�Oは50�Qまでに�a(b┳)暖化ガス排出量実��ゼロを掲げており、ラピダスの進出についての『�_要なファクタ』（小池社長）となった」と報じている。

2nmプロセスの半導��ICの量��を�`指しているラピダスに�瓦靴董�JSファンダリはアナログやパワー半導��など先端プロセスを��いない半導��のファウンドリを�`指す。旧��洋半導��の新�觜�場は、パナソニックに�A収された後、onsemiが�Aい�Dり、数�Q間�n働させていたが、古い設�△��Hく300mmへの�々圓��Mしく、onsemiが半�Qほど�iから�Aい�}を探していた。その�}を挙げたのが、M&Aアドバイザの�噞創�撻▲疋丱ぅ競蠅筺�国内ファンドのマーキュリアインベストメント、地銀�U金融機関などであった。�A収後すぐにJSファンダリを立ち�屬欧拭�onsemiは旧IBMイーストフィッシュキル工場を譲渡されたGlobalFoundriesから300mm工場を�}に入れたため、新�觜�場が不要になった。

JSファンダリの新�觜�場で�}�Xけるアナログやパワー半導��の線幅は350nm以�屬如◆�30�Q以���iの�\術でも�科�通��する」（�K田社長）���]プロセスだという。onsemi時代はIPM（Integrated Power Module）などパワーICを�攵�していた。パワー半導��のファウンドリを設立した理�y(t┓ng)は、「ひとつは�噞機械や�O動�Z、家電����などに搭載するパワー半導��の��(ji┐n)要が�\えて�攵�が間に合わなくなっていること。2つ�`の理�y(t┓ng)は経済�W��?zh┳n)歉磴��菘世�ら半導��の国内�攵�の��要性が高まっていること」だという。もちろん、設�△鮑�新する場合の���Bの�\成金�U(ku┛)度も����する。

すでに30社から���]委�mの商�iが来ており、これまで中国や��湾のファウンドリに委�mしていたが、国��ファウンドリを��迎する�mが�Hいという。日経�噞によると「新�觜�場では約300億��を投じて27�Q度までに�攵��ξ�を2.5倍に引き�屬欧觴�画」。日本のパワー半導��メーカーは残念ながら、電��機�_(d│)会社の1�靆腓箸靴沌T在するため、内���x場という�O社向けの����しか���]していないところが�Hい。外販が少ないため、成長�x場にもかかわらず日本のパワー半導��はそれほど�j(lu┛)きく成長していない。

パワー半導��には、例えばGaNやSiCトランジスタを使えば、シリコンのIGBTなどよりも効率が高く、少ない電��で�U(ku┛)御できるというメリットがある。このため、GaNではこのメリットに�`を��けたPower IntegrationsやNavitas Semiconductorなどが�x場の先頭争いを繰り広げている。��に����が�Hいのは、スマートフォン��の電源ICだ。電��効率を�屬欧譴仂�型にできる�屬�GaNは高耐圧・�j(lu┛)電��を扱いやすいため、���]充電�_(d│)にもたくさん使われている。今後は、EV（電気�O動�Z）の���]充電�_(d│)への応��も�R�`されている。

この�x場を狙うのが外販に��(d┛ng)い、半導��専業メーカーのローム。ロームは、GaNパワートランジスタ（HEMT：高�‘暗戰肇薀鵐献好拭砲鮃��]に�~動するためのGaNドライバICを開発した。パルス幅2nsで細かく�U(ku┛)御できるようにしたことによって、最�j(lu┛)60Vから0.6Vまで�k気に変換するDC-DCコンバータが作れるようになるという。中間の12Vなどへ変換しなくても済むため、��来と比べボード�C積が1/7に小さくなるとしている。2023�Q後半に100V入��のサンプル出荷する予定。