Samsungが20Q間で31兆投@、菱電機は8インチのSiCラインに投@
Samsungがf国内に今後20Q間で300兆ウォン(約31兆)を投じ、新たな半導攵妌場を設立すると表した。また、日本ではf国との懸案項であった半導材料3`の輸出管理を緩和すると経済噞省が発表した。また、菱電機はy本のパワー半導工場において1000億を投@、SiCのための新棟を建設する。InfineonがZ載マイコンでUMCと長期契約した。
半導は経済成長をけん引する先端噞であることから、Q国のE屬了從任半導噞に影xを及ぼすようになっている。Samsungが300兆ウォンを投@することが発表されたのはソウルの迎賓館で15日午iに開かれた経済会議の席屬世辰拭△16日の日本経済新聞は伝えている。Q国の通信社やメディアもk斉に報じた。ユン・ソンニョルj(lu┛)統襪簣B・企業の(chu┐ng)陲集まり、Samsungが新半導工場の建設を発表したという。
日経は「Samsungにとって国内4カ所`となる半導攵喤点は、ソウルZ郊の龍nxに新設する。710万平(sh┫)メートルの敷地を確保して2026Qに工し、29Qごろの n働を`指すという。その後も、pm攵とメモリの先端半導を量する工場を5棟建設する画で、42Qまでの総投@Yは300兆ウォンを[定している」と報じている。
SamsungはTrendForceのファウンドリ岼10社ランキングでTSMCにく2位の地位をめているが、Samsungはファウンドリだけの財をo表せず、メモリ、その他の2つに分けてo表してきた。その他には、ファウンドリ業に加え、O社スマートフォン向けのAPU(アプリケーションプロセッサ)とディスプレイドライバIC、CMOSイメージセンサなどを含んでいるが、内のがHそうだ。ファウンドリだけの売幢Yはo表していない。
ただし、外雜けにはファウンドリ業で5nmプロセスの量を今Q開始する予定だと発表しており、3nmのGAA(ゲートオールアラウンド)構]のトランジスタを使ったプロセスも攵凮始した、と\術を誇(j┤)する発表を行っている。
今vの長期的な発表では、メモリだけではなくファウンドリ業にもを入れていくことを表している。(sh━)国にも半導工場の新設を発表しているが、f国から中国へのICの輸出は2022QにiQ比6.1%\の6837億ドルとなっており、中国依Tがj(lu┛)きい。加えてSamsungは中国のWにNANDフラッシュの工場があり、|Δ砲魯僖奪院璽献鵐姐場がある。f国にとってこれ以崔羚颪帽場を作ることは(sh━)中肝屐Mしいため、f国国内での工場ではなくO国内の工場を\設することをめたとみられる。
日本とf国との間の易に関しても、フッ化水素や高性Ε譽献好箸覆匹鯑本は実?j┼n)U限してきたが、供給メーカーは日本以外の工場からf国の半導メーカーに輸出してきたため余り効果はなく、E的な感情だけが先走っていた。Bが輸出を緩和することは、c間の材料企業にとっても}き屬糧僂錣靴気なくなり迎される。
図1 8インチのSiCウェーハプロセスラインの新棟イメージ 出Z:菱電機
また国内でも菱電機がy本県の池xの工場にSiCウェーハプロセス工場を新設する。SiCウェーハの8インチライン(図1)に加え、6インチのSiCラインも拡充する。さらに100億でパワー半導の後工工場にも新棟を福K地区にも新設し、福K地区内に点在する組み立て・検h工を集約する。菱は、2021Q度から25Q度までの搥設投@Yを来画から倍\し、2600億を投@する。
ウェーハプロセスラインで使われる搬送システムを?y┐n)]する田機械は、28億を投じて_県伊勢xの工場に新棟を建設中で、2023Q10月の操業開始を見込む、と17日の日経が報じた。半導のi工で使われるW井走行搬送システムでは、g塵防Vのための(r┫n)接触給電や、H数のZのリアルタイムk括U(ku┛)御などに(d┛ng)みがあるとしている。
クルマ向け半導の供給を確保するため、GM(General Motors)がGlobalFoundriesと長期契約をTんだことにき、Infineon TechnologiesはUMCと長期契約をTんだ。40nmのマイクロコントローラの攵を確保する。これまでTSMCに依頼していたが、供給ソースを広げる狙いがある。InfineonはパワートランジスタやレーダーセンサなどのアナログICをOiで設・]しているが、マイコンはファウンドリに]を委mしていた。