Z載半導x場の成長と共に拡j(lu┛)するSiCx場
パワー半導x場がk般噞からO動Zへと拡j(lu┛)するにつれ、SiCパワーMOSFETx場も拡j(lu┛)している。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。Z載x場もこれまでのEV(電気O動Z)化からインホィールモーター(IWM)や、ステアリング-バイ-ワイヤー(Steering by Wire)などへ拡j(lu┛)、SiCやGaNのx場は拡j(lu┛)する勢いだ。
より高耐圧、よりj(lu┛)電、より高効率により、SiCパワーMOSFETx場拡j(lu┛)に向けたニュースが相次いでいる。ロームは、出光興の100%子会社であるソーラーフロンティアの旧国富工場の@をDuすることで合Tに達したと発表した。敷地C積40万平(sh┫)メートル、建騅べoC積23万平(sh┫)メートルとなっており、Du時期は2023Q10月を予定している。元陵枦澱咾]工場であったが、これをSICパワー半導の攵剦j(lu┛)に使う。
ロームはすでに宮崎xと福K県筑後xに6インチのSiCラインをeっているが、今vの国富の工場では8インチのSiCT晶ブールを攵する。7月13日の日本経済新聞によると、ロームは27Q度までの7Q間にSiC業で5100億を投じる(sh┫)針で、22Q度に約300億だったSiCパワー半導の売峭發蓮27Q度に2700億を見込む。
14日の日経地(sh┫)版では、デンソーがSiCパワー半導を使ったインバータを開発、電効率を10%改できると報じている。SiCウェーハの8インチ攵ラインはSTMicroelectronicsが先行しているとみられるが、デンソーも8インチラインの構築にDり組むとしている。
図1 DeepDrive社の新型デュアルローターをeつモーター 出Z:DeepDrive
SiCパワー半導に新x場ができた。モーターやインバータをZ茲涼罎貌各するインホィールモーター(In-Wheel Motor)(sh┫)式だ。4茲鯑販にU(ku┛)御できるため、e`駐Zが~単にできる。これまでは効率がさほど高くなく、来のクルマとの差別化要因が少なかった。新しいモーターを開発してIWMを実化しようとしているのは、21Qに誕擇靴織疋ぅ弔離好拭璽肇▲奪DeepDrive社だ(14日の日経噞新聞)。BMWやContinentalのベンチャーキャピタルなどから出@をぎ、総Y1500万ユーロ(24億)を調達した。
DeepDrive社のモーターはユニークだ。来のモーターはv転するローター陲伴囲のw定陲箸覆襯好董璽陲嚢柔されるが、この新会社はデュアルローターを使い、互いに逆v転することで、モーターのv転のパワーが2倍になりトルクを\j(lu┛)する。そのT果、磁性材料は半分、鉄の使量は80%削(f┫)され、レアアースの使はゼロ、トルクNm当たりのコストは30%Wいという(参考@料1)。SiCパワーMOSFETをインバータに使うことで小型化を図ることができる。2026Qの量に向けて協議していると日経噞は報じている。
ずしもSiCを使うlではないが、ハンドルとZ軸とが`れていて、Z茲慮きを小型モーターで変えるステアリング-バイ-ワイヤーもパワー半導のx場となりうる。14日の日経噞は、ドイツのZFが2023Q内にその量をはじめ、日本のジェイテクトも間Zに呂┐襦△畔鵑犬拭ステアリング-バイ-ワイヤーは、ハンドルのv転を検出するECUと、タイヤの操舵角を変えるモーターを~動するECUとの間を電気信(gu┤)配線でTび、Z軸がいらない。O動運転になれば、ハンドルそのものが不要になるため、いまからステアリング-バイ-ワイヤー\術が浮屬靴討るというlだ。タイヤの効率を優先するならここでもSiCが使われる可性は残されている。
SiCだけではなくGaNでもこれまでの常識をえた高耐圧、j(lu┛)電のパワー半導になりうることを、セミコンポータルですでに報じたが(参考@料2)、14日の日経噞でも栃vのパウデック社の紹介記が掲載された。GaNはSiCよりも高]、低オンB^という長があるが、これまでは耐圧がせいぜい650VVまりだったが、パウデック社が来の横型MOSFETで1200Vが可Δ覆海箸鮨し、SiCの次にクルマや再エネなど電グリッドに使われる可性をしている。
Z載x場はこれからも拡j(lu┛)していくため、f国の総合電機であるLG電子がZ載業の売峭發2030Qに22Q比で2倍となる20兆ウォン(約2兆)に引き屬欧襦△13日の日経が報じた。同社は2030Qの社売幢Yを100兆ウォンと`Yに掲げており、Z載業はその20%に相当する。
参考@料
1. DeepDriveホームページ
2. 「GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー」、セミコンポータル (2023/02/10)