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テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

(sh━)国のテキサスΔ半導噞に14億ドル(約2300億)を\すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024Q4~6月期の営業W(w┌ng)益が10兆4000億ウォン(約1兆2100億)だったと発表した。メモリx況はv復しつつあり、SK Hynixは2028Qまでの5Q間に12兆を投@すると発表、キオクシアも新\術開発により2Tビットをサンプル出荷した。

テキサスΔ離哀譽奪亜Ε▲椒奪(m┬ng)が7月6日から湾、f国、日本を歴訪しているが、`的は業誘致であり、同盟国の企業をO国に}び寄せて、半導のサプライチェーンを(d┛ng)化する狙いだ。テキサスΕースチンには(sh━)国内の半導工場は複数あり、L(zh┌ng)外勢ではf国のSamsungがすでにファウンドリ工場をn働させて10Q以峽个帖Samsungはオースチンから25kmほど`れたテイラーxにも170億ドルをかけてファウンドリの新工場を設立することを2021Qに発表している。


このところSamsungはAIチップとセットで使われるHBM(High Bandwidth Memory)メモリでSK hynixにリードされており、その巻き返しを狙って営業W(w┌ng)益が\えたことを(d┛ng)調した。6日の日経が報じたものだが、L(zh┌ng)外メディアも報じており(l┐i)式に発表したようだ。ただ、Samsungの4~6月期Q報告は7月31日に予定されており、今vの発表では売幢Y、W(w┌ng)益などの基本的な数C(j┤)が発表されず、営業W(w┌ng)益がiQ同期比16倍に\えたと発表しただけにとどまった。(l┐i)式のQ発表iにリークすることは法的にされないが、さまざまなメディアにk霹表したことは、容J(r┬n)囲内かもしれない。

Samsungメモリのシェアはトップではあるが、HBMビジネスで出れたために、っているように映る。HBMでトップのSK Hynixに負けているだけではなく、Samsungと同じ度に出れていたMicronの最新のHBM(HBM3E仕様)は、Nvidiaに採されすでに出荷が始まったという報O(p┴ng)もある。SamsungのHBMはNvidiaの認定テストで不合格になったと伝えられており、SamsungはHBMで完に出れた。おそらくそのために、今vの発表になったのであろう。W(w┌ng)益が\えたことを(d┛ng)調するがDRAMの、単価も屬ってきたため、日経は、アナリストのコメントを引し、HBMの寄与よりも@メモリの値屬りが営業W(w┌ng)益の\加に影xした、と報じている。

メモリがv復し単価も値屬りしてきたことで半導メモリQ(ch┘ng)社の株も屬っている、と3日の日経が伝えた。SK hynixの株価は2023Q比で66%、Micronは54%峺(j━ng)した。メモリはスマートフォンとパソコンがj(lu┛)量に消Jするが、その成長率は鈍化しておりj(lu┛)きな成長は見込めない。このため株価では(j┤ng)来性が反映されるため、これから成長してゆくAIとk緒に使われるHBMがデータセンター向けに(d┛ng)く要望されている。

SK Hynixは、28Qまでに総Y103兆ウォン(約12兆)を投入すると発表した。103兆ウォンには4月に発表したf国{(l│n)xの半導工場への20兆ウォンも含まれているが、総Y103兆ウォンの内、8割をHBMなど先端?j┴)の研|開発や量に投じるとしている。

メモリx況のv復で、キオクシアも2024Q1〜3月期にC(j┤)化させた今、積極的にめていく。まず2T (1T=1024G) ビットのNANDフラッシュメモリをサンプル出荷した。DRAMメモリアレイウェーハとCMOS周辺v路ウェーハを張り合わせる「CBA(CMOS directly Bonded to Array)」\術を使い、(k┫)直・水平(sh┫)向のスケーリングでビット容量の向屬3.6Gbpsの高]インターフェイスを実現した。メモリセル霾は4ビット/セル(sh┫)式を採、これもビット容量向屬北鯲つ。

キオクシアはこのチップを1パッケージ内に16積層することで4TBのNANDフラッシュができるとしている。この場合でもパッケージサイズは11.5mm×13.5mm×1.5mm(高さ)ですむという。ストレージシステムのPure Storage社は、2Tビットを導入する。


キオクシア四日x工場5]棟

図1 屋屬縫宗璽蕁璽僖優襪鮴したキオクシア四日x工場5]棟


キオクシアは、四日x工場5]棟にO家消J型陵杆発電システムを導入し、7月1日よりn働を開始したと発表した。これは、6]棟にき、四日x工場で2棟`の導入例となる。今v導入する?y┣n)陵杆発電システムの発電設ξは?.4MW、Q間発電見込量は約3,800MWhで、これにより、四日x工場でのCO2削(f┫)効果は約3,700トン/Qとなる見通しである。

(2024/07/08)
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