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週間ニュース分析

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O社はuTな\術の開発に専念、k陲龍\術は外韋P(gu─n)入で開発期間を]縮

O社はuTな\術の開発に専念、k陲龍\術は外韋P(gu─n)入で開発期間を]縮

8月おV休みけの週は比較的かな週だった。その中で、グローバルな協業を進めている企業のニュースが相次いで発表された。8月19日に日本以外の企業が、外国企業との提携や外国企業との関係を通じてビジネスモデルを変えるといったニュースを紹介したが、他にもグローバルな提携が勢いを\している。 [→きを読む]

発表相次ぐ電気O動Z、期待される2〜3倍ビッグな半導デバイスx場

発表相次ぐ電気O動Z、期待される2〜3倍ビッグな半導デバイスx場

7月最後の週におけるニュースを見ていたときに8月2日に日O動Zが2010Q度までに発売、量するといわれている電気O動Z「リーフ」発表のニュースが飛び込んできた。加えて、サムスンとLGの提携というニュースもf国では実はj(lu┛)Pだ。今vはこの二つのニュースを中心に、それ以外のニュースも交えて解説する。 [→きを読む]

4〜6月Q、株価峺向、@金調達Yなどから見えてくる実なIT経済のv復

4〜6月Q、株価峺向、@金調達Yなどから見えてくる実なIT経済のv復

7月19日の週のニュースは、世c経済、にIT経済がv復してきたことを伝えている。株式x場、@金調達Y、日本Bмq策の効果が見えてきたこと、など実な経済v復に向けた動きがはっきり見えたといえる週であった。今vの世c同時不況はQ国が協調して敢に乗り出したところが1929Q世cj(lu┛)恐慌との定的な違いだ。100Qにk度の不況とグリーンスパン元FRB委^長が表していたが、わずか2Qくらいでv復しそうだ。 [→きを読む]

電気O動ZにZいハイブリッド中心のカーエレは半導にはj(lu┛)きなビジネスチャンス

電気O動ZにZいハイブリッド中心のカーエレは半導にはj(lu┛)きなビジネスチャンス

7月13日の週は、半導業cにおいてビッグニュースというべきものはなかった。ただ、半導の応という点ではO動Z噞のハイブリッドカーへのシフトが顕著に表れたこと、ノートパソコンx場でいわゆるネットブックやスマートブックと}ばれる小型パソコンの売れ行きが好調であることがはっきりしたことを中心にとり屬押∈埜紊縫后璽僉璽灰鵐團紂璽審発に富士通のみが参加することについて触れる。 [→きを読む]

グーグルのクロムOSは半導メーカーにとってビッグチャンス、擇せるか

グーグルのクロムOSは半導メーカーにとってビッグチャンス、擇せるか

先週のニュースで最j(lu┛)のインパクトはグーグルが新型OSを発表、これを搭載する小型ノートパソコンが来Qにも出てくる、というニュースだろう。ネットブックあるいはスマートブックにおけるOSとして、ウィンドウズやLinuxがあるものの、新しくかつ無料のOSとして期待がかかる。もうkつj(lu┛)きなニュースは沖データがルネサスの高崎工場のk陲AいDったこと。 [→きを読む]

携帯の共通充電_(d│)開発画をEUが迎、WiMAXサービスがj(lu┛)都x圏でスタート

携帯の共通充電_(d│)開発画をEUが迎、WiMAXサービスがj(lu┛)都x圏でスタート

6月最後の週におけるニュースで最も気になったものは、通信関係のニュース3本であり、エルピーダは予定通り日本策投@銀行から300億の出@をpけることが確定した。通信のニュース3本とは、欧Δ之搬單Bの共通の充電_(d│)を開発する画に世c10社の携帯電B機メーカーが合Tしたこと、WiMAXサービスが日本でスタートしたこと、そして総省が主導する「ブロードバンドワイヤレスフォーラム」が発Bしたこと、である。 [→きを読む]

インテルとノキアの提携にみる、半導メーカーをより咾する(sh┫)法

インテルとノキアの提携にみる、半導メーカーをより咾する(sh┫)法

先週におけるニュースとしてDり屬欧燭い里蓮▲ぅ鵐謄襪肇離アの提携、である。半導メーカートップのインテルと、携帯電Bメーカートップのノキアがk緒に組み、(j┤ng)来の小型携帯機_(d│)を作ろうとしている。違う分野の咾い發瞭瓜里組む、という(j┤ng)来のMちをT識した提携である。インテルはもはやパソコンだけのプロセッサチップの会社では擇残れないことをよく瑤辰討い。別のBはエルピーダへのリスクである。 [→きを読む]

半導の営業を\咾垢詁阿、高a半導開発とその問点を議bする

半導の営業を\咾垢詁阿、高a半導開発とその問点を議bする

先週の動きの中でLSIチップとして最も気になったニュースは、日本TIが半導の営業拠点を5倍に\やすというニュースである。ここ1〜2日ではパワー半導の開発に向けたニュースが出てきた。パワー半導とはいっても電気O動Zx場に向けた高a動作が可ΔzなSiCあるいはGaNによるデバイス開発だ。 [→きを読む]

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