Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » \術分析

厚さ50μmのリチウムイオン電池を作できる\術、をアルバックが開発

リチウムイオン2次電池の厚さがなんと0.1mm以下とLのように薄いバッテリが可Δ砲覆襦あまりにも薄いバッテリなので、ICカードやウェラブルコンピュータ、デバイスなど、折り曲げ可Δ淵侫譽シブルな電池を実現できる。アルバックはアルバックマテリアルと共同で50μm以下の薄膜でリチウムイオン電池を攵できる\術とを開発した。

薄膜のリチウムイオン電池


この薄膜のリチウムイオン電池は、電解をw化しスパッタや^などの真空で攵できる。この薄膜リチウムイオン電池は、極と負極に電極層、電極集電層、w電解層、封V層という4つの霾から構成されている。極のコバルト┘螢船Ε燹LiCoO2)とw電解のリン┘螢船Ε燹Li3PO4)、電極集電層は式スパッタ(SME-200J)で形成する。電極集電層は負極笋任NiかCuを、極笋任MgO/Ti/Ptをそれぞれ使う。負極の金錺螢船Ε爐録振^機(ei-5)で形成し、~機膜・バリヤ層・~機膜の3層構]からなる封V層は式^_合(PME-200)で形成する。

w電解を使うため、来のリチウムイオン電池で懸念材料であった]れの心配がなく、爆発や発の心配もない。薄膜で形成する電池であるため、半導のプレーナダイオードのような構]をしている。

スパッタはDC、RFマグネトロンスパッタ(sh┫)式であり、極のLiCoO2を形成した後にそれをT晶化させるためのRTA(高]アニール)室など最j(lu┛)5室のプロセスチャンバをeつ。スパッタリングターゲットは極にLiCoO2、w電解にLi3PO4を開発している。アルバックマテリアルは高密度で均kに作ることにRした。直径440mmのj(lu┛)型ターゲットも開発している。プラズマダメージをvcするための工夫を施しているとしている。

成膜するのは極がLiCoO2、電解はLiPON、負極がLiであるが、ターゲットには極、電解とも素がHく含んでいるため、窒素でターゲットを恩気靴得膜する。w電解のスパッタレートは5.4μm/時と来よりも3倍以]い。

封V層はWLP(ウェーハレベルパッケージ)のようにデバイスに被戮垢襪錣韻世、水^気を吸いやすい~機膜を保護するため、バリヤ層をコーティングして水^気による劣化を抑えた。

C積20mm×20mmのセル性覦茲鮑したNuricell社のLiイオン電池では、トータルの厚さが50μmで、動作電圧は3.0~4.1V、電流容量は0.5~1.0mAh、最j(lu┛)電流が15mA動作a(b┳)度-20〜120℃という性がuられている。この薄膜電池をICカードにも実△靴仁磴鮨している。


OTP CARD


今v、アルバックはこの試作をSEMICON Japanでtした。この試作や\術を邵澹楜劼妨てもらい、その反応を見ながら新しい可性を探っていくとしている。


(2008/12/03 セミコンポータル集室)

ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 撹繁窒継咸頭壓澤儿杰| 谷頭a雫谷頭窒継鉱心瞳鋲利| 忽恢撹繁冉巖娼瞳築竸唹垪| 冉巖天巖晩恢忽鷹www| 昆忽弼眉雫戴音触互賠壓濆杰| 天胆videosdesexo景禿| 忽恢匯曝屈曝眉曝音触壓濆杰 | 忽恢窒継匯曝屈曝眉曝音触| caoporn仇峽| 忽恢仔寄頭壓濆杰| 消消爺爺夊際際夊匚匚利嫋| 母絃繁曇音触嶄猟忖鳥| 嗽寄嗽諸嗽頚壷18p富絃| 楳課嚔赤自瞳窒継篇撞| 忽恢槻溺値倉涙孳飢| 777謎致唹篇膨弼喟消| 涙鷹覯娼瞳匯曝屈曝窒継 | 匯屈眉膨壓濆杰潅盞冰侘超只井| 晩云冉巖天胆壓瀛唸杰| 裕爺右授壓濆杰| 娼科篇撞匯曝屈曝眉曝| 忽恢冉巖繁撹利嫋壓濆杰| 忽恢寔糞岱xxxav| 忽恢娼瞳匯雫頭| 2019嶄猟忖鳥涙濛丗| 壓潦蛭鵬シ澱頭| 嶄猟忖鳥天胆壓濆杰| 晩云窮唹匯曝屈曝眉曝| 消犯嶄猟忖鳥壓濔瞳窒継| 天胆匯雫頭壓濆杰| 窒継心匯谷匯雫谷頭篇撞| 俤俤篇撞窒継心| 忽恢匯曝屈曝壓濆杰澗藏| 2022忽恢醍狭丞惚恭勧箪秘笥| 匚匚互咳爺爺訪天胆| 消消消消消消忽恢a‥| 晩昆h頭壓濆杰| 消課窮唹壓濆杰| 恷挫心議2019嶄猟涙忖鳥| 冉巖娼瞳篇撞廨曝| 際際繁曇消消消消消忝栽築孟|