もともと、薄い膜の���]に向く�\術であったためDRAMのキャパシタ絶縁膜に使われていた。誘電率の高いシリコン窒化膜の形成からガスを変えることでHigh-k膜にも適��できる。DRAMだけではなくNANDなどのフラッシュメモリーも薄い膜を使うため、ALD�\術が使える。

薄い膜の形成だけではない。日立国際によると、ALD�\術の��長はコンフォーマルな膜、すなわちシリコン表�Cの凹��に忠実に膜が成長することである。��にアスペクト比の高い�霾�に�~効だ。これはマイクロローディング効果、すなわちパターンの密度の高い場所と低い場所で�\積�]度が違うという効果がないことによる。もともと、ALDはシリコン表�Cに1原子層ずつ形成する�\術であるため、表�Cに原子層が吸��すると次の原子はもう入りこむ余地がなくなる。このため、ステップカバレージがよい、すなわちコンフォーマルな膜を形成できる。

このことはメモリーだけではなく、ロジック半導��でも�~効になる。ALDは400℃��度の低�aで膜形成ができるため、�a度を�屬欧燭�ないロジックの���]にも向く。��来のLPCVD�\術ならマイクロローディング効果はあるため、パターン密度の高いSRAM�霾�と密度の低いロジック�霾�とで�\積�]度が違ってしまい、膜厚が異なってしまう。低�aで形成できる�屬縫泪ぅ�ロローディング効果のないALDなら、こういった問��がない。

�盜颪�Aviza Technology社は、メモリーメーカーがアジアに集中していることでセミコン��湾に積極的に出�tしている。メモリーは価格へのプレッシャーが�咾い燭疊�細化への�々圓�著しい。形成する膜はやはりDRAMキャパシタ膜だけではなくメモリーセルに��要な膜の形成に�W��する。例えばキャパシタの���霤填砲�TiNもALDで形成する。コンフォーマルの��長を�擇�しトレンチ/スタックいずれにも使える。加えて、シリコン窒化膜からHigh-k膜への�々圓砲矣~効である。キャパシタをオンオフするトランジスタのゲート�┣祝譴�ALDで形成するとしている。

NANDのトンネル�┣祝譴侶狙�にも�~効で、トンネル�┣祝譴里茲Δ覆�わめて薄い膜は下地のシリコンの�T晶�C�軌未亦�うと、同社����ディレクタのVivek Rao��は言う。この性��を�W��すると、トレンチやスタックのように水平�Cと�貭��Cを使うメモリーセルでは�T晶�C�軌未�異なるため、�┣修垢詼豸�が違ってしまい、薄い�霾�ではリーク電流が�\加する。これを防ぐため、Avizaは��素ラジカルを�W��する�┣祝譴魴狙�し�T晶�C依�T性を��らしている。

フローティングゲート型NANDセルに加えて、MirroBit構�]のNOR型セルではキャパシタ膜にONO膜を使う。この�┣祝譟�窒化膜の形成や、これらの膜をHigh-k膜に��き換えてもALDが使える。

同社は当�Cメモリー応��が主��だが、低�aプロセスが使える点でロジックにも�~効だとみている。