図1　シムドライブが開発したSIM-LEI は24.9kWhの電池で333kmの�踉��{(di┐o)�`を達成

電気�O動�Z（EV）は電池容量を�j(lu┛)きくすれば�踉��{(di┐o)�`が長くなるが、その分、�j(lu┛)きな��積を��めてしまい居住空間が狭くなる。今�v開発したSIM-LEI(図1)は、トヨタのレクサス並みの居住空間を�eち、�踉��{(di┐o)�`は333kmと日���O動�Zのリーフ（Leaf）の200kmより1.6倍以�屬眥垢�(表１)。Tesla社のRoadstarと比べると1.8倍長く、��菱のiMiEVと比べると1.3倍も長い。SIM-LEIは��長4790mm、��幅1600mm、��高1550mmの4人乗りの乗���Zで、トランクルームにはゴルフバックが4つ入るほどのスペースがある。

SIM-LEIはモータで�Z�茲鯆樟樌~動することによって、トランスミッション�Uの機械的なロスがなくなるため、エネルギー効率が高く、�踉��{(di┐o)�`がこれまでの電気�O動�Zよりも長いという。モータのトルクはガソリンエンジンのトルクよりも�j(lu┛)きいため、加�]性�Δ睥匹�、0→100km/時は���Q値だが4.8秒だという。最高�]度は150km/時。ガソリン�Zの�\�J換�Qではリッター当り70kmと�s群である。

表1　これまでの電気�O動�Zとの比較　*1）JC08モード走行、*2)　LA4モード走行、*3)　10.15モード走行、*4)　�o表されている�踉��{(di┐o)�`および電池容量から�Q出した値、*5)　SMI-LEIは他のEVよりどの��度、�踉��{(di┐o)�`が長いかを��(j┤)している　出�Z：シムドライブ

SiCデバイス実現に�j(lu┛)いに期待
シムドライブの代表�D締役社長の�{(l│n)水浩��(hu━)は、「開発という��点からも改良すべき点はまだ�Hい。��に�j(lu┛)きな��積を��めるインバータ�霾�を小さくしたい」と述べる。インバータで最も�j(lu┛)きな��積を��める�霾�は水冷����である。現在使っているシリコンの「IGBTをSiCデバイスに��えると、水冷しなくてもすみ250℃��度でも使えるようになる」として、�{(l│n)水社長はSiCデバイスを早く欲しいと要望している。

実��的なSiC FETでは、MOSFETよりもJFETの��(sh┫)が量�僝は早そうだ。ロームやデンソーなどからSiC MOSFETの開発発表はあるが、これまでのところ量�僝にはまだほど遠く、表�Cを流れる電流が�科�ではない。これに�瓦靴謄ぅ鵐侫�ニオンが発表しているSiC JFETはバルクを電流が流れるため、表�C��位の影�xを�pけることがなく�科�な電流を採れるという��(d┛ng)みがある。しかし、通常はノーマリオン型になってしまうため�v路を工夫してpチャンネルMOSFETと組み合わせたカスコードライト接��によってノーマリオフを実現している(参考�@料1)。

ドイツのインフィニオンテクノロジーズ社は6月15~17日、東�Bビッグサイトで開かれた「スマートグリッド�t2011/次世代�O動�Z�噞�t2011」においてSiCのJFETとショットキダイオードを�t��(j┤)しており、それを使ったハーフブリッジのモジュールも�t��(j┤)している。ここでは耐圧1200V、電流30A、オン�B�^100mΩというJFETモジュールの仕様である。このSiC JFETを使って20kWのインバータを組み、効率97%で��積は10cm×10cm×10cm以内（885cm3）に収まり、�_量1.7kgを実現している。ただし、商業的に入�}可�Δ砲覆襪里�2011�Q12月の予定だとしている。インフィニオンはまだシムドライブに納入した実績はない。

シムドライブは、�O動�Zメーカー、����メーカー、モータメーカー、材料メーカー、商社、販売会社など32社と二つの�O�E��が研�|開発�Jとして�k口単位で�@金提供する研�|開発のための会社であり、�Q度ごとに参加�vからの会�Jで��ての�J��を��っている。単�Q度に1��試作�Zを作り、�Q社に�\術を�‥召垢襪箸い�仕組みのサポート・コンサルティングも行う。この会社で作るクルマにはインホイールモータ、バッテリ搭載�陝▲ぅ鵐弌璽��陲覆疋�ルマの基本的な構成を共通プラットフォームとし、この�屬縫�ルマ���~の機�Δ筌椒妊�の形を�O動�Zメーカーなどの参加企業が作り込んでいく。今�vの��1��(gu┤)�Zは2010�Q1月19日から2011�Q3月31日までの間に作り込んだクルマとなった。

�{(l│n)水社長が��業したのは、電気�O動�Zの開発を30�Qもやってきてインホイールモータ��(sh┫)式のEVを早期に実��化したいという��(d┛ng)い思いがあり、�j(lu┛)学教�bという立場では�Mしいと判��したため。ベネッセの福��總�k�r��(hu━)やナノオプトニクス・エネジーの藤原洋社長、ガリバーインターナショナルの羽鳥兼�x会長などからの出�@を元に2009�Q8月に��業した。今後はさらに2��(gu┤)�Z、3��(gu┤)�Zを開発していく。

参考�@料
1. SiC Switching device by Infineon"Cascode-Light": SiC JFET and Low power MOSFET、SPIフォーラム「パワーエレクトロニクスの��貌と半導��の未来――電気�O動�Z、環境、再�擴��Ε┘優襯�ーのカギを�曚襦廖⊆臾�(h┐o)セミコンポータル
http://www.589173.com/spiforum/1009/