SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷
NANDフラッシュをj量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、j量に使われることをT味する。これまでは]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメインだった。

図1 Violin Memory社Product Management & Strategy担当シニアVPのSaid Ouissal
盜颯轡螢灰鵐丱譟爾傍鯏世くViolin Memoryは、もともとハイエンド(ティア0と}んでいる)のフラッシュストレージシステムを構築、販売してきた。高]でしかも仮[化できるシステムを}Xけてきた。このほど発売するフラッシュストレージプラットフォームは、アクティブデータの保Tのための1次ストレージシステムとしてのを狙ったストレージシステムである。同社の定Iでは、2次ストレージはディスクへの保T、3次は長期保Tを`的とするコールドデータ保T、4次はテープなどのアーカイブだとしている。
「当社の\術はSSDではない」、と同社Product Management & Strategy担当シニアVPのSaid Ouissal(図1)は言う。SSDはHDDとの互換性を保つためのインターフェースを△┐討り、故障時のデータ復旧のためのU御\術が確立されていないという。またSSDは性Δ粒笋鵬然覆高く、フラッシュの性ΔU限しているとも言う。SSDのDはディスクという言を当てはめているが、HDD(ハードディスクドライブ)をエミュレートしているだけで実際にディスク(盤)を△┐討いlではない。
これに瓦靴董∈v発売されたNANDフラッシュストレージプラットフォーム7300/7700は、3Uラックサイズで、実的に217TBの容量(駘容量は最j70TB)があり、1GB当たりの価格は1.5ドルとWい。その割に性Δ高く、最j100万IOPS(1秒間に読み出し・書き込みのできるv数)だとしている。
アーキテクチャ的には、Concerto OS7と}ぶ独OOS(operating system)を使い、ハイエンドからミッドレンジまでカバーするようにデータ保護エンジン、データ削エンジン、FFA(Flash FAbric engine)を△┐討り、OSがそれらを管理する(図2)。OSの屬APIをTしてあり、APIを使っててのジョブを管理する。画C屬話厭kウィンドウで使いやすいGUIをTしている。残りはNANDフラッシュチップをモジュラー構成でずらっと並べている。このシステムは仮[化されており、OSが複数のプラットフォームを管理できる。
図2 Concert OS7で管理する 出Z:Violin Memory
データ保護エンジンは、故障した時にデータをリカバリさせるために使うRPO(recovery point objective)/RTO(recovery time objective)がほぼゼロであり、すぐに復旧できる。またミラー構成でN長の同期複を行う。また、性Δ屬欧蕕譴燭里蓮▲如璽榛鑿エンジンによる。このエンジンがメモリブロック内で_複するファイルがないかどうかをチェックし、しかも独O圧縮擬(1/6に圧縮)でデータを圧縮している。仮[化することで_複データがHくなるため、もっと効率よくするために_複vc\術を使っている。
加えて、NANDフラッシュアレイは階層構成を採っており、メモリの劣化を防ぐための書込み・読み出しセルを万遍なく平均化することは言うまでもなく、R/Wの混在性Δ鯱♯的に実現している。Qモジュールに搭載されたメモリを階層構成にしており、ブロックごとに分け、セルまでの高]アクセスを実現している。メモリを書込み・読み出しの時にバックグランドで、_複作業などを行っている。DRAMキャッシュを使わないため、ミスヒットによるデータアクセスのは擇犬覆ぁ
今v、としてITベンダーや企業に販売するのは、3機|。ストレージ容量で、駘容量が70TBで、実効容量217TBとしたのは、圧縮・_複vcなどの}段をとっているためだ。機|は高さが3RUタイプの7300Eシリーズ(図3)と7300シリーズ、6シェルフまで拡張可Δ如半ラック最j1.3PBの7700シリーズである。容量・レイテンシ、最j帯域幅などで違いはあるが、てプラットフォームとして扱う。
図3 7300Eシリーズの内霍暑]
7300E/7300シリーズでは、メモリ容量でさえも当初10TBを26TBあるいは35TBなどに拡張できる料金Uも設けている。メモリセルはSLC(1ビット/セル)擬阿MLC(Hビット/セル)擬阿盪箸辰討い襪、なるj容量化に瓦靴討3次元NANDフラッシュも画している。Violinには東も10%喀乘@しており、東からNANDフラッシュをW定供給されているとする。東の3次元NANDの出来差腓縫螢鵐しており、2016Qには3次元NANDフラッシュの供給を期待している。