Intel、3D-Xpoint\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し
Intelは、データセンターのメモリとストレージの階層構]を見直すべき、新型メモリをサンプル出荷すると発表した。彼らは、CPUに最もZい層では来のDRAM、次に3D-XpointメモリをいたOptaneパーシステントメモリ(図1)、その次に3D-XpointメモリをいたSSD、そして3D-NANDのSSDという構成を提案した。サンプル出荷を始めたばかりのパーシステントメモリは、最j512Gバイトのメモリモジュール。

図1 Intel VPでXeon担当ジェネラルマネージャー兼データセンターグループのマーケティング担当のLisa Spelman }にeっているのがOptaneパーシステントメモリ
パーシステント(Persistent)とは「P的な」というT味であり、DRAMとは違って電源を切っても記憶内容は消えずに保eされる。Intel社のVPでXeon担当ジェネラルマネージャー兼データセンターグループのマーケティング担当Lisa Spelman(図1)によると、25Qの命はあると言う。3D-Xpointメモリは、不ァ発性メモリながら、高]でRAM的な動作ができるようだ。半導ストレージのSSDだとデータを読み出す場合のレイテンシが極めてjきく、システム動作がれてしまうが、ここにパーシステントメモリをくことでレイテンシを最小に抑え、DRAMにZい]度を提供する(参考@料1)。
このOptaneパーシステントメモリの限定顧客への出荷は今Qの後半、k般x場での入}は2019Qになる見込みである。幅広いソフトウエア開発をすぐに始めるため、Intelはソフトウエア開発vに向け、Optaneパーシステントメモリを△┐織轡好謄爐縫螢癲璽箸妊▲セスできるようにするという。Intel Builders Construction Zoneを通してソフト開発とテストが可Δ砲覆襦
このOptane パーシステントメモリの長は高密度であり、PCIeバス屬妊好肇譟璽犬らデータをアクセスする場合のレイテンシ()ペナルティをpけなくて済むようになる。開発vがソフトウエアを適切になるように調Dすると、この新型メモリは低コストでj容量のインメモリデータベースソリューションがuられるように設されている。DRAMメモリモジュールのようにCPU当たり3Tバイト以屬離轡好謄爛瓮皀蠅乏板イ垢襪海箸砲茲辰董▲灰鵐團紂璽織轡好謄爐離┘鵐疋罅璽兇呂海凌祁織瓮皀蠅鮖箸┐仄Q負荷を最適化できるようになる。つまり、jきなデータ量をプロセッサにZづけることによって、システムストレージにZいデータをフェッチする時間れを最小にできるからだとしている。
Intelは、このOptaneメモリを、CPUから最もZいDRAMやHBM-2のすぐ後にくことで、屬暴劼戮燭茲Δ淵譽ぅ謄鵐靴鮑脳にでき、システムを高]化できるとする。さらにこれまではDRAMのストレージとしてSSDが位していたが、このOptaneパーシステントメモリとSSDとの間にOptane SSDをくという構成を提案している(図2)。
図2 Intelが提案する新しいメモリとストレージの構成 DRAMとSSDとの間をOptaneパーシステントメモリとOptane SSDがmめ、さらにSSDとHDDやテープのストレージの間を3D-NANDのSSDがmめる 出Z:Intel
この構成では、Optaneパーシステントメモリがメモリのj容量化をい、Optane SSDがSSDの]度を改する。3D-NAND構成のSSDは高密度ではあるが、]度はSSDよりもいため、HDDとの間の]度差をmめることができるようになる。Intelの3D-NANDのSSDは、4ビット/セル構成で、96層のNANDフラッシュをいるもので(参考@料2)、]度としては来の平CNANDや1ビット/セル擬阿茲蠅碗くなる。このため、SSDとHDDなどのストレージとして位けている。
Optaneはパーシステント、SSDとも同じ3D-Xpointメモリセル構]をいながら、パーシステントメモリとSSDでどのようにして]度差や容量差を実現しているのか、Intelはらかにしていない。
参考@料
1. Reimaging the Data Center Memory and Storage Hierarchy (2018/05/30)
2. Intel/MicronがNAND関係を再啣宗4ビット/セルの64層を認定 (2018/05/23)