図1　新�\術HAMRの読み書き構�]の模式図　出�Z：Seagate Technology

HDDの記�{密度の向�屬蓮�薄膜磁気記�{からMR（Magneto Resistance）ヘッド、GMR（Giant Magneto Resistance）ヘッド、さらにTMR（Tunneling Magneto Resistance）、PMR（�貭昭Уさ��{）へと進化してきた。もはやこれまで、と思われがちだったが、Seagateが新しいHAMR（�X���\�擬Уさ��{）�\術を実��化、ディスク�笋硫���と共にさらに高密度化のロードマップを�Wいた。HDDの記�{密度はさらに4�Q以内に倍�\する、とSeagateはこの新�\術の可��性を期待する。

HDDのようなストレージデバイスの記�{密度をさらに向�屬気擦襪里蓮�AI時代になりより�Hくの学�{データを保�Tしたいからだ。そのためにはデータセンターや�j企業のストレージインフラを拡張するとともに、HDD�笋任魯妊�スク1��あたりのTB（テラバイト）容量を�屬欧討い�。��来のPMR�\術を使ったドライブは16TBがほぼ最�jだったが、今�vの新�\術を使った「Exos 30TB+」����は、ほぼ倍に�Zい30TBもある。データセンターのストレージインフラ容量をこれまでと同じ�o�C積で記�{容量を2倍に�\�咾任�ることになる。

加えて、消�J電��も��来のPMR�\術よりも低く、TBあたりの消�J電��は��来最高の16TBで9��ディスクの�J�T����だと0.5W/TBだが、30TBで10��ディスクの新����では、0.35W/TBとなっている。

今�vのHAMRでは、�_要なカギとなる�\術がいくつかあるが（図1）、そのうちの二つが�jきいという。�kつはディスク�笋亮Уぅ疋瓮ぅ鵑離哀譟璽鵐汽ぅ困鮠�さくするため、��格子構�]を��いたことだ。もともと��格子とはノーベル�駘�学賞を�p賞した江崎玲�P奈�F士が作��した�\術で、半導���T晶を人工的に作るというもの。例えば半導���T晶GaAsとInGaAsなどを交互に配��することにより、新しい半導���T晶を作ってきた。この�\術を磁気ディスクの表�Cに応��した。その詳細については��らかにしていないものの、Fe（鉄）合金とPt（プラチナ）合金を��いたという。ただし、どの組成の層を交互に�_ねたのかついては述べていない。ただ、��格子構�]を導入したことで、�T図する位��に原子が��確に入るため、磁気ドメインのグレーンサイズを微細化し高密度のビットを実現できたと語っている。

その微細化したグレーンサイズの磁化�X��から1と0を識別する。1ビットの読み出し・書き込みには、表�Cのドメインを磁化するか、磁化を解除するかによって判別する。今�vの�\術では、ビーム径が微細なナノフォトニックレーザーを��い、直径10〜12nmと最先端半導��チップとほぼ同じサイズ（直径）の微細な光で加�Xし、2ns以内に加�X・冷却が進むという。溶融された�霾�を�]時間に磁化することで書き込む。消去はその逆の�壻�だ。ナノフォトニックレーザーに関しては��らかにしていない。

溶けたかどうかを検出するのが量子アンテナ�\術。レーザー加�Xによって瞬時に表�Cが溶融しプラズマ�X��となり、プラズモンが発�擇垢襦�このため、そのプラズモンの周�S数と、レーザーの周�S数の共鳴を�W��することによって、加�Xプラズマ�X��を検出するという。そして�t座に磁化するのである。

図2　次機�|もHAMR�\術を使ってさらに�j容量化を�`指す　出�Z：Seagate Technology

Seagateは、今後ディスクあたりの容量を今�vの3TBから、4TB、さらに5TBへと�\加させるロードマップを�Wいている（図2）。その根拠として、Seagate Research VPの Ed Gage��は、研�|開発レベルではすでに8〜10TB/ディスクを�`�Yとして開発している、と述べている。