インホイールモータEVは日リーフと同じ電池容量で1.6倍の踉{(di┐o)`を達成

電気O動Z(EV)のZ茲瓦箸縫癲璽燭鯑Dりけ、そのモータで~動する「インホイールモータ(sh┫)式」がEVのc(di┌n)き所であった踉{(di┐o)`を長くできることを、クルマを試作したシムドライブ社が実証した。同社は葼IIj(lu┛)学教bの{(l│n)水浩(hu━)がこの(sh┫)式のEVの早期実現のために、ベネッセホールディングス会長の福總kr(hu━)らと共に設立した研|開発会社。 [→きを読む]
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電気O動Z(EV)のZ茲瓦箸縫癲璽燭鯑Dりけ、そのモータで~動する「インホイールモータ(sh┫)式」がEVのc(di┌n)き所であった踉{(di┐o)`を長くできることを、クルマを試作したシムドライブ社が実証した。同社は葼IIj(lu┛)学教bの{(l│n)水浩(hu━)がこの(sh┫)式のEVの早期実現のために、ベネッセホールディングス会長の福總kr(hu━)らと共に設立した研|開発会社。 [→きを読む]
オランダのNXP Semiconductor社は、カーラジオやカーステレオなどのカーエンターテインメントやZ載ネットワークなど高周S無線\術でカーエレクトロニクス分野をPばしてきた。これまでのO動Zの無線\術をさらに擇し、クルマ同士の通信や、クルマと柱の無線機_(d│)との間の通信などを(d┛ng)化するコネクテッドモビリティと}ぶ通信にを入れ始めた。 [→きを読む]
震u後の電復旧にk役Aうかもしれない。電線通信(PLC)をW(w┌ng)して電の(ji┐n)給関係をモニターし、U(ku┛)御するためのスマートメーターモデムチップのことである。日本ではくなじみのないであろう、スペインのファブレス企業ADDセミコンダクタ(ADD Semiconductor)社が低ビットレートのPLCデジタル通信によるスマートメーターICを開発した。 [→きを読む]
スマートフォンやタブレットなどビジュアルな携帯機_(d│)では低消J電化が不可L(f┘ng)であるが、携帯機_(d│)向けの半導v路を設してきた英国のイマジネーションテクノロジーズ社やCSR社は、消J電をできるだけ抑えながら、よりリアルなグラフィックス開発や、Bluetooth LEの新分野を切りこうとしている。 [→きを読む]
プロセッサコアの代表的IPベンダーであるARM社をはじめとする英国企業は、携帯機_(d│)向けに低消J電をこれまでずっと{求してきた。IPコアやワイヤレスチップの低消J電化は進んできたが、携帯電B送信機のパワーアンプの低電圧化も進んでいる。携帯電Bのインフラや電B機に使うパワーアンプの低消J電化をレポートする。 [→きを読む]
「32ビットの壁」がいよいよ、邪魔になってきた。32ビットのメモリーアドレス空間は4GB(2の32乗)が峺造箸覆辰討い襪、32ビットシステムを使う限りこの壁を突破できない。英ARMのCortex-A15はメモリーアドレス空間のみ40ビット(1TB分)を確保しているが、(sh━)MIPSは峺造鬚曚椚廃できる64ビットのプロセッサIPコア「Prodigy」を発表した。64ビットのIPコア時代の幕開けである。 [→きを読む]
Mobile World Congress 2011では、始まったLTE時代をにらみ、世cQ地で異なる周S数帯やデータ変調(sh┫)式、二_化(sh┫)式など、プログラムによってt座に官できるソフトウエア無線が本格化してきた。機Δ鯢w定してはx場を縮めてしまうため、LTEの専ASICはj(lu┛)きなx場に照を合わせるしかないが、プログラマブルICだとQ国に官できる。 [→きを読む]
データ通信は、来の通信機_(d│)をえて発tしている。M2M(machine to machine)と}ばれる通信モジュールは、あらゆる機_(d│)に通信}段をeたせるのに使われ始めている。Mobile World Congress 2011のUKパビリオンではM2Mに関するハードウエアからソフトウエアに至るエコシステムを構成する要素\術が集まってきた。 [→きを読む]
MWC(Mobile World Congress)のUKパビリオンでは、Oで出tできないがテクノロジーはO慢できるものをeつベンチャーが並んでいる。いくつかRってみると、OSやゲーム機が違っていても変換して使えるソフトウエアを開発したAntixLab社、携帯機_(d│)をトントンとき、く場所でコマンドを使い分けられるソフトウエアを開発したInput Dynamics社、携帯で切符をP(gu─n)入、そのまま改札口も通れるソフトウエアのMasabi社などが出tした。 [→きを読む]
菱電機の先端\術総合研|所は、SiCのパワーMOSFETとショットキーバリヤダイオードをいた直流-交流変換_(d│)を試作、その入出の変換効率をR定したところ、98%(d┛ng)という値をu(p┴ng)た。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせによる変換_(d│)と比べ、2ポイント以峺屬靴討い襪箸いΑ [→きを読む]
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