加]電圧の広いイオンR入をAxcelisが開発
Axcelis Technologies社は、加]エネルギーJ囲が500eVから4MeVと広いイオンR入Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加]エネルギーを要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。
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今vのイオンR入は、式でスループットが400/時と高い。来のイオンR入はバッチ処理とはいえ、スループットはむしろく、230/時度だという。それは、jきな盤屬13度のウェーハを載せ、盤をvしながらウェーハにイオンをR入していくが、オーバーヘッド時間が無できないためにスループットはそれほどjきくなかった。
今vの式では、イオン源から出たいろいろなイオンをアナライザ、フィルタを通してR入したいイオンだけを分`し、その後加]するまではこれまでと変らないが、ウェーハにイオンを照oする仕組みが新しい。加]したビームを1000Hzの電振動によってスイングさせ、ウェーハに照oするビームをスキャンさせる。ただし、そのiに帯電によるダメージを防ぐため、プラズマフラットガンにより電荷を中和しておく。さらに、ビームが均kになるようにしたあとにウェーハに照oする。ウェーハへの照o角度はユーザーが調Dできる。
のoC積は来のよりも少しjきいという。式のためのスキャニングステージを{加したためだと、している。
Axcelis社は、これまで世c中にイオンR入を550以屐販売してきたが、今vの加]エネルギーの広いイオンR入を投入することで、さらにx場シェアを確実にしていきたいとしている。