64Mバイトの��1��不ｧ発性RAMモジュール

BALIは����も�h価キットも入�}可�Δ世�、ハイエンドのCAPRIは2009�Q7月にサンプル出荷、9月に量��という予定だ。不ｧ発性RAMであるため、��来のRAMのようにほぼ無�U限の書き込み・読み出しができ、しかもアクセスは高�]、そして電源を落としても内容が記�{される。これまでの不ｧ発性RAMは例えばFRAMやMRAMのように8Mビット（1Mバイト）��度の小容量しか����にはなっていない。�O動�Zエレクトロニクスなど���zな����にしか使えなかった。バッテリ内�鼎離瓮皀蝓爾蝋��]だが、バッテリが�Qえる�~害����を含む、設��が複雑、充電時間が長い、動作��命が�]い、などの問��があった。

この不ｧ発性RAMモジュールは電池を�eたないため�屬里茲Δ別筱�はない。しかし、AGIGARAMは1チップではなく、モジュール内�陲帽��]のSDRAMとNANDフラッシュメモリー、スマートパワーマネジメント、そして独�Oのシステムコントローラを集積している。通常の動作では高�]のSDRAMとして動作し、電源が切れるとデータを�O動的にDRAMからNANDフラッシュへセーブする。このときパワーマネジメントシステムに残っているエネルギーを�W��してデータを転送する。このエネルギーとして�j容量コンデンサ（通称キャパシタ）を�W��する。電源が再び入るとデータはSDRAMへ戻される。このため電源の割り込み/ロス耐性が高く、�t時オンでき、書き込みキャッシングとポスティングもできる。データロギングやサービス・メンテナンスなどの����にも向く。

デバイスはまるで、高�]・高集積の不ｧ発性RAMとして使える。ストレージやネットワーキング、通信、工業��コンピュータ�U御機�_、医��機�_、ATMやPOS端��、プリンタ、スキャナ、コピー機、�O動�Zなど幅広い����に使える。

ハイエンド版のCAPRIの仕様はまだ�o表されていないが、BALIの主な使��は次の通り：
・4MBから64MBまでの不ｧ発性RAM
・高�]100MHzのSDRAM
・転送レートは最�j200MB/秒
・I2C通信バス・�U御バス
・4MB〜32MBではVccは3.3V、64MBでは5V
・200ピンのSO-DIMMパッケージかメザニンカード
・動作��命は3�Q、5�Q、10�Q版あり、データリテンションは10�Q
・動作�a度�J囲は0〜70℃

��来、48Gバイトの不ｧ発性RAMの��画がある。また、メモリーインターフェースとしてDDR2/3、PCI Expressも予定している。