帯域幅を屬欧覆ら消J電を下げるシリアルメモリーの新}法
シリアルメモリーといえば、I/O端子数をらし、いアクセスのW颯瓮皀蝓爾箸いΠをeつ読vはHいだろう。ところが、シリアルメモリー擬阿帯域幅を屬欧覆ら消J電を下げられる}法として、新たなモデルチェンジを行っている。このほどSPMTコンソシアムの会長が来日し、その新}法について語った。

^真 SPMTコンソシアム会長のJames Venable
SPMT(Serial Port Memory Technology)コンソシアムのメンバーは昨Qの8月時点では、サムスン電子、ハイニックス、LG電子、シリコンイメージにARMが加わったが、今vはさらにアプリケーションプロセッサのマーベルも参加した。
今、SPMTが推進するシリアルポート\術は、DRAMメモリーの入出を単純なシリアル形式にするのではなく、]度と消J電の両気鬚砲蕕澆覆ら、シリアルI/OとパラレルI/Oを切りえられるスイッチを設けたSerialSwitchと}ぶ新しい擬阿澄HD動画や3Dゲーム、3Dテレビなど高帯域を要とする携帯機_がこれからPびてくると見られており、「2012Qには携帯機_でさえも12.8GB/sのデータレートが要となると、業cの認識が変わった」とSPMT会長のJames Venableは言う。
12.8GB/sを来のパラレル擬阿播樵するためにバンド幅を広げるとなると、クロック周S数を屬欧襪並`性を屬欧襪になるが、いずれも消J電がjきくなってしまう。このため、ある度、バンド幅がjきくなると、DDR2 DRAMメモリーのアクセスをシリアルに切りえて消J電をO動的に下げてしまう、という\術がSPMTである。
図1 SPMTはPLLを内鼎靴討い詈、小さなバンド幅では消J電がjきい
SerialSwitch内鼎離妊絅▲襯癲璽匹世函▲丱鵐鰭が1.6GB/s(入クロックが400MHz、16ビット並`の場合)以下では通常のLP DDR2(低消J電ダブルデータレート2)モードで動作し、それ以屬離丱鵐鰭が要求される場合にはシリアルモードで動作する。シリアルモードでは4倍の6.4GB/sで動作し、しかも0.1Vの差動信、妊如璽燭鮟侘する。LP DDR2からシリアルモードへの切りえは、MRW(mode register write)コマンドを動作させることで、内鼎PLLとCDR(clock data recovery)v路がイネーブルXに,蝓▲轡螢▲襯癲璽匹,。その間最j10μsで、クロックサイクルは10クロック以内。
図2 DDR2モードからシリアルモードへの切りえ動作
このシリアルモードを搭載するDRAMのピン配は、LP DDR2パッケージと完互換であり、ユーザーは単純にき換えるだけですむ。SPMTコンソシアムにはf国の2jメーカーが入っているが、エルピーダとマイクロンはまだ参加していない。に、このメモリーは携帯機_向けなので、ビデオや映汽灰鵐謄鵐弔鮓るための携帯機_にはこのメモリーは須になる。DRAMメーカーは来のパラレルI/Oに加え、シリアルI/Oと、PLLなどの周辺v路を載せる要がある。マイクロンはコンピュータのDRAMがほとんどなのでよしとしても、ハイニックスの15〜18%よりもHい割合でモバイルDRAMを攵しているエルピーダの度がR`される。
k、こういったシリアルメモリーをWするシステムLSI笋、メモリーコントローラv路を少し変え、1.2VのDDR2信、0.1Vの差動信、鬚笋蠧Dりできるv路を設ける要がある。コンソシアムには、システムLSIメーカーとしてマーベルとサムスン、電子機_メーカーとしてLG電子とサムスン、メモリーメーカーとしてハイニックスとサムスン、IPベンダーとしてARMとシリコンイメージが参加しており、DRAMを設し作り使いSoCを設するというエコシステムが出来つつある。さらなる参加を}びXけている。