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65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまでめに転じるスパンション

業績v復からめに転じ始めたスパンション社が来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへとを転換していく。このほど都内で記v会見を開き、NANDと比べて高]動作が可ΔNOR型フラッシュメモリーのをすべて65nmラインにえていく旨を発表した。

図1 ゲーム機とc擇jきなx場

図1 ゲーム機とc擇jきなx場


スパンションが開発してきたMirrorBit\術は、MNOS(metal nitride oxide semiconductor)構]をWしセル内の2ヵ所に電荷をQめる擬阿離侫薀奪轡絅瓮皀蝓爾任△、擇泙譴覆らに2ビット/セルという長をeっている。この\術の基本構]を発したイスラエルのサイファンセミコンダクタ(Saifun Semiconductor)社はNROM構]と@けていたが、このサイファンをA収したスパンションはセル構]やプロセス\術を改良し、MirrorBit\術と@iを変えた。

NOR型フラッシュはメモリーセルが並`接しているため書き込み・読み出し共にNANDよりも高]で、NANDフラッシュでは]度的に療]ちできない分野に使われている。最も古くからある応はコンピュータや組み込みシステム向けのBIOSである。何vか書き直す要がある屬坊搬單Bなどの組み込みシステムやコンピュータの立ち屬欧]くしたいため、マスクROMやNANDでは実現がMしい。最Zではゲーム(日本ではパチンコと言われている)分野にもj容量の1Gビット、2Gビットのが使われるようになってきた。

ゲーム応は小容量の時代にはマスクROMが主だったが、ゲームに美しいグラフィックスを採り入れたり、長いストーリーを収容したりするなどによってj容量化が求められるようになってきた(図1)。j容量ゆえにバグが入る確率が高くなり書き直す要にられるほか、ゲームの試作サンプルをk鞆x場に出し様子をみてからプログラムし直す、ということで書き換え可Δ淵瓮皀蝓爾箸靴NORフラッシュが求められるようになっているようだ。もちろんNANDと違ってランダムアクセスが可Δ箸いΔ海箸NORを使う理yとなっている。

NORフラッシュは高]な屬、信頼性が高いことも長だとしている。NANDフラッシュはj容量が最jのメリットであるため、メモリーを読み出すのにECC(誤りルv路)を~使してビットエラーを抑えている。容量がjきくなるにつれ、ECCに使うメモリービット数も\えてしまう。また1ビットエラーだとルしやすいが2ビットエラーが同時にきるとECCではエラールはMしい。加えてマルチビット/セルはMしい。1、0の高レベル・低レベルを2ビット/セルなら4つのレベル、3ビット/セルだと8レベルに分割しなければならず、電圧マージンが狭くなる。例えば3ビット/セルなら0V〜3Vを8分割するのである。ちょっとしたノイズが加わると電圧がらいだり、レベル検出を間違えたりしやすくなるためECCはLかせない。

今v65nmプロセスによりゲーム以外のも\えてきたため、64Mビット未満から64M、128M、256M、512M、1G、2Gといったのラインアップを揃える(図2)。さらにj容量を求めるに瓦靴討2011Q中に3Dグラフィックスゲームに4Gビットを導入する画だ。

図2 ピン互換性を保ち性Δ屬欧

図2 ピン互換性を保ち性Δ屬欧


低容量のは中国におけるワイヤレスx場だ。エントリーレベルの携帯電BにGL-Sシリーズを使い64M未満から256Mビットまで揃えていく。

GL-Sシリーズは、電源電圧は3V単kで動作し、性εには高]ページ読みだし]度が98.5Mバイト/秒と合他社よりも45%]いとしている。書き込みのプログラム時間も1.2Mバイト/秒とi世代のGLシリーズよりも6倍]く、消去時間は655Kバイト/秒という。チップのセキュリティを守るため、OTP(1vしか書き込めないROM)によるシグネチャー(電子サイン)機Δ箸靴1Kビット分を確保している新シリーズは、BGAパッケージで9mm×9mmと43%小型化したが、ボールピッチやボールマトリクス、ボール径、高さはく変えていない。このため、これまでGLシリーズを使っていたボード屬NORフラッシュをそっくりそのままDりえることができる。

スパンションは、エルピーダと提携しNANDフラッシュも}Xける。それも残TvW益を採りに行く。同社マーケティング担当バイスプレジデントのアボ・カナジアン(Avo Kanadjian)によると、サムスンが攵を中Vした1ビット/セル構]の4GビットNANDフラッシュにはまだニーズがあり、低容量・高の応を狙っていく。顧客サーベイによって組み込みUユーザー向けにNANDフラッシュのがあることを見つけた。このx場にはエルピーダの広工場をファウンドリとして、43nmプロセスを使い攵していく。同は、もしエルピーダ1社でいきれない場合には他のファウンドリも使う予定だとしている。

スパンションはデジタルテレビやZ載ダッシュボードなどのに、シリアルアクセスのSPI(serial peripheral interface)モードのにもを入れる。これはシリアルアクセスするようなストリーミングデータを少ないピン数で読み出すのに適している。同によると、O動Z分野では高集積なSPIインターフェースを求めるという。リコールがあったときにエンジンのXなどストリームデータをSSDに読み込むのに使うとする。かつてのシリアルアクセスモードのメモリーは少容量だったが、最ZではO動Zや噞、医などの分野が高集積なSPIインターフェースのNORフラッシュを求めるとしている。

65nmプロセスを使ったGL-Sシリーズのは、盜颯謄サスΕースチンのFab25 200mmラインと、中国SMICの300mm漢工場で攵する。

同によると、NANDフラッシュを推進するサムスンやマイクロンはコモディティであり、顧客官は気にしないが、スパンションは顧客との関係を_し、予R可Δ要を捉えることができるため、収益性は高いという。

(2011/02/25)
ごT見・ご感[
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