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80cm`れても電容量の変化を検出できる高感度ICを国内ベンチャーが開発

電容量擬阿悩能j80cm`れても容量変化を検出できるICチップを国内のベンチャー企業エーシーティー・エルエスアイ(ACT-LSI)が開発、愛県江南xのサン電子が販売することになった。電容量擬哀札鵐気膿10cm以巛`れてもZ接X況や{`R定ができ、しかも電源電圧が3VUとごくk般的なこのICは「組み込みシステム開発\術t」でjきな反xを}んだ。

図1 ]Cへの応 ビーカーの外笋妨―价配線を5本き水C峺を電容量の変化として捉える
撮影協:サン電子とACT-LSI

図1 ]Cへの応 ビーカーの外笋妨―价配線を5本き水C峺を電容量の変化として捉える 撮影協:サン電子とACT-LSI


サン電子はこれまで組み込みUのボードコンピュータなどを}Xけてきた半導チップのユーザ企業であり、半導チップの販売は今vが初めて。つまり半導ベンダーとなった。半導ユーザが半導業cに参入したともいえる。しかも扱うは、\術的な優位性のかなり高いアナログ/ミクストシグナルICである。このチップを開発、設したのは国内ファブレスのACT-LSI社。

これまで電容量の変化を検出するセンサは接触だが、検出{`が極めて小さかった。iPhoneのタッチスクリーンのように指をガラスに触れるほどZづけなければ検出できないくらい低感度であった。このため電容量擬阿任呂擦い爾たmm以下の検出しかできない。今vのの\術のキモはセンサからの信、鯑Dり出すICチップにある。

東Bビッグサイトで行われたこのt会で、サン電子がブースで見せたデモはつあった。kつは、]Cとしてのセンサだ。電容量擬阿箸靴5本の直線Xの配線をいた。配線間の容量をR定することで、ガラスのビーカーに水を下から吸い屬欧討い時の水Cの高さをR定できる。ガラスの壁を通して配線間容量が水のありなしで変わるからだ。水に触れない水Cとして使える。しかも配線間容量をR定しているために水以外の]やジェル、e険な]などの]Cとしても使えるとしている。ビーカーのにあるバーXのLEDランプでは、]Cが峺するにつれ、光が次々と点iしていく。

もうkつのデモでは、Y(ポートレートなどのプレート)と人との{`に応じてLEDランプが点iしていく。YのガラスにITO(透電極)をWいており、ITOと人との間の電容量のごく微小な変化をR定する。人がZづいたことを表するのは、]Cの例と同様、LEDランプである。図2のYの後ろにある、細長く立てかけている白いがLEDランプで、下から順番に{`に応じて点iする。


図2 YにZづくとLEDランプが下から順に{`に応じて点iする 撮影協:サン電子とACT-LSI

図2 YにZづくとLEDランプが下から順に{`に応じて点iする
撮影協:サン電子とACT-LSI


最後にしたのは、建颪諒匹覆匹留である。ここでは壁の後ろに銅を張りけておく。その壁に誰かがZづけばアラームが鳴るという仕Xけだ。防瓩忙箸┐襦電容量の変化をRるため、間に絶縁があってもそれが変化しない限り検出可Δ任△襦


図3 電容量の変化で(導)を検出するため、颪箸隆屬縫灰鵐リートの壁があってもく問ない 撮影協:サン電子とACT-LSI

図3 電容量の変化で(導)を検出するため、颪箸隆屬縫灰鵐リートの壁があってもく問ない
撮影協:サン電子とACT-LSI


応はこれだけではない。工業、c效、さまざまなZ接センサを低コストにできるこのICを使えば応は広い。例えばアップルのiPhoneにもZ接センサは入っている。iPhoneで通Bしている間、スクリーンは消えているが、耳から`して通Bを終えると画Cが現れる。端から人が`れたことをZ接センサで検出しているのである。

開発したICSS1018は、容量変化を電圧に変換し、さらにA-D変換してデジタルで出する。容量R定は、容量の絶潅佑魃Rるのではなく、あくまでも相潅佑魃Rるため、検出アンプのフロントエンドは差動擬阿砲覆辰討い襦図1の例では、並`に5本の配線が真っすぐに30cmほどPばしてあり、ビーカーの表C笋膨イけている。


図4 5本の配線容量で図1の]Cを検出

図4 5本の配線容量で図1の]Cを検出


外笋2本は接地で、真ん中が配線B、その両笋配線Aとなっている。容量C1は配線Aと接地間、容量C2は配線Bと接地間の電容量を表し、Rするのは容量C1と容量C2との差である。容量R定には20〜30kHzの交流をいており、電荷の充放電の平均値としてR定する。配線の長さも同じに揃えており、ノイズの影xを]ち消す合う構]にしている。

ACT-LSI社はこれまで電容量擬阿MEMSセンサの開発で実績があり、pFの1/1000の単位のfF(フェムトファラッド)の変化を検出する\術を磨いてきた。ICのフロントエンドv路は秘中の秘。来、MEMSの圧センサはメンブレン内に形成したピエゾB^の変化をWするものがHいが、その理yは電容量擬阿慮―亢\術がMしかったからである。

SS1018は、センサICとして要なv路も集積しており、感度を調Dするためのプログラマブルゲインアンプやa度変化や信頼性劣化をするためのデータを格納するEEPROMも内鼎靴討い襦出はシリアルデータでマイコンと直Tできる。電源電圧は2.5~3.6V、割り込み出機Δ魴eち、出のデータレートは500kbps。入可Δ文―丱札鵐v路は8チャンネル分を集積している。検出の出電流は最j20mA。パッケージは6.5mm×6.4mmのTSSOP20Y。

ICは0.35μmのCMOSプロセスで設しており、ACT-LSIはv路設からシミュレーション、マスク設まで}Xけており、GDS-IIフォーマットのマスクデータをファウンドリに}渡す。ファウンドリには、ミクストシグナルの]で定hのあるドイツのX-Fab社をWしている。ファブレス半導メーカーのACT-LSI代表D締役の阿顯(図5)は、センサICとして20Qという経xに裏]ちされたを提供できるとO信に満ち溢れている。


図5 ACT-LSI代表D締役の阿顯

図5 ACT-LSI代表D締役の阿顯


サン電子は、センサとICを販売することに加え、IC単も販売するというビジネスになる。

(2012/05/18)
ごT見・ご感[
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