Infineonは、International Rectifierを昨�Q�A収し、GaNやGaN-on Si�\術を�}に入れた。今�vのWolfspeedの�A収により、SiCウェーハそのものも�}に入れた。SiCはまだ、トランジスタの段階であり複雑な集積�v路にはなっていないため、シリコンの半導��ビジネスとは違い、�貭湘�合が��を発ｧしやすい。ロームがSiCrystal社を�A収したことも同じ理�y(t┓ng)だ。

Infineonは、SiC�T晶ウェーハ会社を�A収してもそのユーザーであるSiC半導��メーカーとはライバル関係になる。しかし、Infineonはどこ吹く風で、SiCウェーハ会社を半導��メーカーが�A収した例は少なくないという。半導��メーカー�笋蓮▲ΕА璽魯瓠璽�ーに�瓦靴栃�数�P(gu─n)�Aするのが常識であるから、その内の1社がたとえ��合関係にあっても、材料メーカーとしては気にせずSiCウェーハを売っていくとしている。

相次ぎ�A収によりInfineonは、����ポートフォリオを広げた。これにより、ハイパワー半導��と、高周�S高出��半導��を?y┐n)���ポートフォリオとして�eつことができるようになる。耐圧が600VまでならGaNトランジスタ、1200VならSiCとそれぞれの役割分担もできている。高周�S出��にはGaNトランジスタを基地局などに売り込む。

SiC半導��では、MOSFETを?y┐n)���ポートフォリオに今�v加えることができた。これまで����化してきたSiC JFET（接合型FET）では、ノーマリオン型トランジスタ、すなわちゲート電圧をマイナスに引き込まなければオフできなかった。このため、ゲートにカスケード接���v路を導入することによって、単�k電源でノーマリオフ動作ができるようにしていた。InfineonはこれまでJFETのSiCトランジスタで�v路を組んできたが、カスケード接����の�v路もセットで��要になるため、やや複雑になっていた(参考�@料1、2)。これに�瓦靴�MOSFETははじめからノーマリオフ動作が可�Δ覆里如��v路が�~単になる。

SiCトランジスタを販売している��菱電機やローム、富士電機などの半導��メーカーは、はじめからMOSFETを開発してきた。これに�瓦靴�Infineonは開発に���}した1992�QにはMOSFETとJFETの両��(sh┫)をはじめから開発していた、と同社Industrial Power Control�靆�Senior Director SiCのPeter Friedrichs��(hu━)(図1)は述べている。信頼性と����を�_��することによってJFETを最初に商��化した。しかし、SiC MOSFETの����が�屬�り、JFETとそん色のないレベルにまで�屬�った。このため、�v路的に�~単になるMOSFETをこのほど����化した。

図1　Infineon Technologies　Senior Director SiCのPeter Friedrichs��(hu━)

これまでJFETを使っていた顧客に�瓦靴討蓮�MOSFETへの転換を��めていくとしている。ただし、ノーマリオンを要求するニッチ�x場もあるため、この顧客に�瓦靴討�JFET����も�M(f┬i)��する。

今�v、InfineonがリリースしたCoolSiC MOSFET����には、TO247�Y��パッケージのトランジスタからEasy1B PressFITモジュール、8ピンのSOPパッケージ��などがある。数Aの小電流から数��Aまでの�j(lu┛)電流まで揃えている。

狙う�x場は工業��と�O動�Z��、��に電気�O動�Zである。これまでのSiC MOSFETはまだ広く使われるほどには至っていない。価格がSiのIGBTの10倍以�屬塙發い�らだ。そこでSiCを使うことで工業��機�_(d│)インバータの効率が�屬�り、小型化が図れる(図2)というメリットをSi IGBTと比べて�]ち出すようになってきた。

図2　インバータの周�S数を�屬仮�型・高効率をSiCで実現　出�Z：Infineon Technologies

さらに�O動�Z��でも、SiCならではのメリットを出してコスト・パフォーマンスの良さをアピールしなければ、�x場に�pけ入れてもらえない。このため単��のトランジスタではなく、インバータなり実�△靴甚X��でのモジュールやサブシステムでSi IGBTと比べなければ採��されない。Infineonは、電気�O動�Zのバッテリ容量(サイズ)とSiCインバータのコストを訴求ポイントとして探している(図3の左)。これは、インバータの効率が�屬�れば、電池の容量は少なくて済むため、トータルのシステムコストは下がることを求めている。また、逆にインバータの効率を�屬押▲丱奪謄蠅離汽ぅ困鯤僂┐覆韻譴��踉��{(di┐o)�`を�Pばすことができる。�O動�ZメーカーにSiCの良さを訴求することで、広めていこうとしている。

図3　インバータ効率を�屬殴丱奪謄螢灰好箸魏爾欧�(左)、SiCパッケージは両�C冷却(��)　出�Z：Infineon Technologies

インバータにSiCデバイスを使う場合にチップの両�Cを冷却する(図3の��)ことで小型実�△魏��Δ砲任�、システムコストを下げることができる。こういった両�C冷却パッケージを開発し�X�B�^を下げる試みも行っている。

InfineonはSiC MOSFETでは日本勢に出��れたが、トレンチMOSFETの����が�屬�り、使いやすいMOSFETをリリースした。�x場で�pけ入れてもらうためのシステム化の提案ビジネスによって、���]に�{い越す勢いである。

参考�@料
1. 最初の商��SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−�i�� (2011/08/18)
2. 最初の商��SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後�� (2011/08/19)