Micron、4ビット/セルの64層3D-NAND搭載SSDをPC/ゲーム向けに発売
Micron Technologyは、4ビット/セル(QLC)擬阿64層の3D-NANDの512Gビットチップを4個1パッケージに収容したICを2個実△靴拭500GBのSSDカード(図1)をk般x場に10月27日に発売する。「Crucial P1」と@けられた1TBのSSDカードは、最jシーケンシャル読み出し]度2000MB/s、書き込み]度1700MB/sだという。

図1 4ビット/セル、64層のSSDカード このカードを2.5インチSSDのに実
インターフェースにNVMe PCIe Gen 3を4チャンネル含み、PCやゲーム機などの立ち屬りを高]にする。このSSDカードを2.5インチのHDDと同じjきさのケースに実△垢襦昔からのストレージ格であるSATAインターフェースではなく、NVMe PCIe 3インターフェースを使い、性Δ屬欧討い襦P1 SSDとしては500GBと1TBのを27日に発売するが、2TBのはZいうちに発売する予定。500GBの[定価格は、1万4000。5Q保証はこれまでと同じ。
4ビット/セル擬阿64層の3D-NANDフラッシュは、NANDフラッシュメーカーが争して開発している。4ビット/セル擬阿蓮1と0の間を2の4乗分の1、すなわち1/16ステップに分割し、4ビット分を表現する擬阿如電圧マージンが極めて狭くなるため、誤りルv路がLかせない。また、64層の3次元プロセスで4ビット/セル擬阿NANDフラッシュのバリューx場へ出荷するのはこれが初めて。消Jvや中小企業向けを狙う。
Micronは、これまでCMOSv路の屬防碆^ゲート型メモリセルを構成する擬亜報H層配線のBOEL層に形成)をDってきたが、最Zこの擬阿鬚笋瓠東メモリやSamsungと同じMNOS擬阿吠僂┐襪海箸鯣表している。ただし、このがMNOSを適したかどうかについては、らかにしていない。1TBのSSDのキャッシュにはSLC(1ビット/セル)擬阿NANDフラッシュをい、DRAMは使わないことがHいという。
図2 k般消Jv向けSSDの仕様 QLCで64層3D-NANDを搭載 出Z:Micron Technology
その他の仕様として、ランダム読み出し]度は500GBが90K IOPS(I/O Per Second)、1TBは170K IOPS、ランダム書き込み]度は、それぞれ220K IOPS、240K IOPS、消J電は動作時平均100mW、総書き込みバイト数(TBW)はそれぞれ100TB、200TBである(図2)。