Samsung、DRAMアレイを12��TSVで積層、24GBのHBMをまもなく量��へ
Samsungは、12��のDRAMアレイチップを積層し、TSV（Through Silicon Via）で接��した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンド�x場向けにまもなく量��すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以�屬肪�するとしている。
図1 Samsungが開発したHBMメモリは12��をTSVで接�� 出�Z：Samsung
これまでは8��のDRAMチップをTSVでつないだHBM2����はあったが、12��はこれが初めてという。12���_ねてモールドでパッケージングしてもパッケージの厚さは、��来の8��構成と同じ720µmにとどめた(図1)。量�桵のHBM2����は1��が8Gビットのメモリ容量で8���_ねた8GBだったが、今�v開発したHBMは1��が16Gビットのメモリで12���_ねて24GBとなる。
このメモリセルアレイは、最下層のアレイを経て、プリント�v路基��の裏�笋房��△垢襯瓮皀螢灰鵐肇蹇璽蕕砲弔覆�(図2)。ワイヤボンドで接��する場合に比べ、配線経路がぐんと�]くなりメモリは高�]にアクセスできるようになる。メモリアレイへのアクセスはコントローラを通して行う。
図2 DRAMセルアレイを12��積層しアクセスはプリント版の裏�Cに設けたメモリコントローラから行う 出�Z：Samsung
Samsungはメモリではもはやムーアの法�Г�成り立たず、3Dで集積度を�屬欧襪靴�ないとして、3D-TSV�\術によるDRAM開発を進めている。HBM�擬阿魯瓮皀衢椴未肇▲�セスするバンド幅を広げるという二つの効果があり、これからのDRAMはHBM�擬阿妨�かうようだ。まずはデータセンターを中心とするHPC（High Performance Computing）とAIプロセッサ周りのハイエンド����にHBMを使う。ただし、SamsungはHBM2.5なのかHBM3なのか、��らかにしていない。
HBMではメモリコントローラがカギを�曚襦�HBMのメモリコントローラを設��しているファブレスのNorthwest LogicをRambusが�A収して�}に入れ、HBMをRambusが販売できるようになった。RambusはNorthwestのメモリコントローラを設��し、���]はSamsungなのかTSMCなのか、Rambusの�T向にかかっている。
参考�@料
1. Samsung Electronics Develops Industry’s First 12-Layer 3D-TSV Chip Packaging Technology
