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\術分析(半導)

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単、ICからフュージョン、アルゴリズムまでのセンサてを提供するams

単、ICからフュージョン、アルゴリズムまでのセンサてを提供するams

オーストリアのアナログ半導メーカーamsは、機械的なセンサから光をW(w┌ng)するイメージセンサ、化学センサに至るまでさまざまなセンサとその応に化することに舵を切りえた。センサ単だけではなく、センサとのインタフェースICやアルゴリズムなどソリューションまで}を広げている。工業イメージセンサの責任vであるDIV Image Sensor SolutionsのシニアVP兼GMのStephane Curralが最Z来日、その狙いを聞いた。 [→きを読む]

Nvidia、デープラーニングの総合を見せつける

Nvidia、デープラーニングの総合を見せつける

Nvidiaは単なるファブレス半導メーカーにとどまっていない。AI(デープラーニング)やHPC(高性Ε灰鵐團紂璽謄ング)のマシンを設するコンピュータメーカーでもある。最咾GPUであるTesla V100(図1)を使いこなす。AIでは学{だけではなく推bにGPUを動かすための推bソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。O動運転プラットフォーム、IoTの推bアクセラレータも提供する。こんなeが浮かび屬る。 [→きを読む]

量i呂SiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設

量i呂SiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設

ロームはSiCパワー半導にを入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源を中心に出荷が\えている。2020QごろからのEV(電気O動Z)の拡j(lu┛)に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九Δ涼涕綛場(図1)にSiCデバイスの6インチラインを\設する。 [→きを読む]

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、O動運転向けU(ku┛)御へ

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、O動運転向けU(ku┛)御へ

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガスU(ku┛)/低\Jに官し、コネクテッドカー向けのセキュリティとj(lu┛)容量フラッシュメモリ容量、そして機WのASIL-Dに拠しO動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設したフラッシュマイコン。 [→きを読む]

組み込みM(j━n)RAMを今Qにファウンドリ2社が攵凮始

組み込みM(j━n)RAMを今Qにファウンドリ2社が攵凮始

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今Qからk気に加]しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ靆腓、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018Qに組み込みM(j━n)RAM(eMRAM)のリスクプロダクションを開始すると東j(lu┛)学主のCIES(Center for Innovative Integrated Electronic Systems)Technology Forumで発表した。 [→きを読む]

Qualcomm、家庭内機_(d│)をセキュアなWi-Fi Meshで何でもつなぐ戦S

Qualcomm、家庭内機_(d│)をセキュアなWi-Fi Meshで何でもつなぐ戦S

家庭内のWi-Fi機_(d│)が数会もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークにを入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON\術も開発した。 [→きを読む]

インテリジェントカーが故を(f┫)らす−カーエレtから(後)

インテリジェントカーが故を(f┫)らす−カーエレtから(後)

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICのx場としてもカーエレクトロニクスx場はj(lu┛)きい。ヘッドランプ/テールランプLEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも躍する。パワー関係もいくつかRってみる。 [→きを読む]

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

TSV(Through Silicon Via)を使い、シリコンチップを積み_ねて配線電極を楉未気擦3次元ICは、TSV工のコスト高が問でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み_ねた3次元ICであるHBM(High Bandwidth Memory)は、ハイエンドのHPC(High Performance Computing)分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルにTりてきた。 [→きを読む]

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