Intel、バンド幅512GB/sのHBM2を集積したFPGAを発売
Intelは、バンド幅が512Gバイト/秒と極めて広いHBM2（High Bandwidth Memory）を搭載したFPGA「Stratix 10 MX」の販売を開始した。HBMはTSV（Through Silicon Via）を使って、DRAMメモリアレイチップを�eに�_ねた構�]を�eつ高密度メモリ。�j量のデータを�k気に流す����に適している。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
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AIスピーカーの感度を�屬欧�XMOSのマルチスレッドプロセッサ
�盜颪牧�れること3�Q。日本でもAIスピーカーが登場してきた。Googleが「Google Home」、 Amazonは「Amazon Echo」、LINEは「Clova WAVE」などが日本語を理解する音�m認識ソフトウエアを使ったAIスピーカーという�@称で登場してきた。音�mもビームフォーミングで指向性を調�Dすることで認識率を高めることができる。これを可�Δ砲垢襯船奪廚魃僖侫．屮譽垢�XMOSが投入している。 [→��きを読む]
ウェアラブル向け����センサ読み出しIC2�|とセキュア認証IC
IoT向けのチップは、センサごとにアナログフロントエンド�v路が異なるため、ウェアラブルや工業��IoTなど����を��めて設��する��要がある。Maxim Integratedは、心拍数���R��チップMAX86140/86141と、心電図・����インピーダンス���R��アナログフロントエンド（AFE）を集積したMAX30001を発表した。さらに複��できないセキュア認証��のチップDS28E38も�{加発表した。 [→��きを読む]
Lattice、よりエッジ�笋妊灰鵐團紂璽謄�ングを�t開
小��模FPGAで�T在感を��すLattice Semiconductorがエッジデバイスのインテリジェント化に小��模FPGAの��要性を訴求している。IoTシステムでは、データを��てクラウドに�屬押▲�ラウド�屬妊如璽申萢�するならあまりにもクラウドの負担が�jきくなる。このため、IoT端���笋任△諞�度データ処理すべきというのがエッジコンピューティングである。 [→��きを読む]
NXP、クルマ��ECU開発の共通化プラットフォームを提案
NXP Semiconductorがクルマ��ECUの開発を容易にする新しいプラットフォームを提案した。これは、ハードウエアをできるだけ共通化し、ソフトウエアをリユースしやすい形で保�Tするという考え�気亡陲鼎�。��来のツギハギだらけのクルマのECUのファブリックを階層構�]に変えていく。低コストで機���{加に�官�できる新しいクルマ向けアーキテクチャといえそうだ。 [→��きを読む]
Intel、CPU･FPGA･専��ASICのヘテロコンピューティングを推進
Intelが�k昨�QAlteraを�A収、傘下に組み込んだ後、初めてともいえるCPUとFPGAのコラボレーションについて��らかにした。Intelはデータカンパニーになることを�Yぼうしており、コンピューティングを加�]する6つの成長分野を定め、それらに�官�できるソリューションとして、CPUとASIC、FPGAからなる�@��のヘテロジニアスコンピューティングアーキテクチャ（図1）を提案した。 [→��きを読む]
ON Semi、USB Type-Cチップセットを��々開発
使い�M�}の良さを�_��しながらもUSB Type-Cソリューションで最�jスピード10Gbpsを実現したICチップセットにON Semiconductorが�R��している。Type-C��格は100Wの電��まで供給でき、コネクタの�峅爾�リバーシブルという��長がある。現在のスマートフォンの電源は���]充電でさえ12W��度だから、Type-Cは���]充電可�Δ���格にもなる。 [→��きを読む]
ST-MRAMは1Gビットに、Everspinがサンプル出荷
Everspin Technologies社は、1Gビットという高集積のST（spin torque）-MRAM（Magnetoresistive random access memory）チップのサンプル出荷を始めた。複数の��定ユーザー向けのチップであり、量��は未定。これまでのST-MRAMの最高集積度は256Mビットだった。 [→��きを読む]
ローム傘下のラピス、2�擬阿�IoT専��LPWA通信ICを開発
旧沖電気工業の半導���靆腓鮓士�とし、現在ローム傘下にあるラピスセミコンダクタが、�u�Tな通信�\術を�擇�し、IoT専��のLPWA（Low Power Wide Area）通信チップ「ML7404」を開発した。�q害�Sに�咾�IEEE802.15.4kと、普及しつつあるSigFoxの両モデムを内�鼎垢襪海箸如��官��J囲を広げる狙いだ。 [→��きを読む]
Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発
東��メモリと四日�x工場を共�~しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ�\術を使った、4ビット/セルの768Gビット（96Gバイト）メモリを開発した（図1）。��来と同じ数のメモリセルを�eつ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット（64Gバイト）だったが、これよりも50%�\加した。 [→��きを読む]
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