MEMS発振�_が水晶を��え、データセンターなど高�@度・高信頼性分野へ
MEMSタイミングデバイスがこれまでの�a度�U御型水晶発振�_並みの�@度を高めるようになった。しかも水晶よりもずっと小型で、長時間の使��中にも性�ξ�化が少なく、長期、中期の信頼性も高い。この新����「Epoch Platform」（図1）を開発したSiTimeは、データセンターや�豢�宇宙、�噞などインフラ��向けの高�@度クロック�x場を狙う。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
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AMDの新Ryzen PRO7040、AIエンジンやセキュリティプロセッサを集積
AMDは2022�Qに�i�Q比44%�\の236億ドルを売り�屬押⊂�成長を�~げたが、そのカギはパソコンやデータセンター��サーバー向けCPU����の高性�Σ修鮨覆瓩燭世韻任呂覆�、旧Xilinxグループのアダプティブコンピュータ��の開発キットなど��ての����ポートフォリオをユーザーの使い�M�}を考慮したことだ。このほど発売した最高性�Δ�CPU「AMD Pro 7040」シリーズのプロセッサ（SoC）の考え�気���らかにした。 [→��きを読む]
Nvidiaの最新チップGH200になぜCPUとGPUを集積するのか
NvidiaがComputex Taipeiで�收�AI向けの最新チップGH200（図1）を発表し、それを「Grace Hopper」と�@��けた。GraceはCPU�霾�、HopperはGPU�霾�を指している。実はその�iにAMDもMI300Xという�收�AI向けのGPUチップを発表しているが、ここでもCPUとGPUを組み合わせて使う。なぜか。 [→��きを読む]
SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションで�M負
STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導��を�t��すると共に、AIを使ったモータ�U御やIO-Linkインターフェイスを使った�噞機�_ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導��を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導��単��では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦�Sだ。 [→��きを読む]
Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8��スタックした24GB HBM3を出荷
Micron Technologyがメモリ容量24GB（ギガバイト）で、転送レート（バンド幅）1.2TB/sという巨�jなHBM（High Bandwidth Memory）メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理�yは、�收�AIの学�{に向け、学�{時間の�]縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング��業�靆� VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan��は言う。 [→��きを読む]
AIの学�{・推�bに�咾�Nvidiaが�收�AIでも�咾ね��y
Nvidiaが半導��メーカーの中で唯�k、時価総�Y1兆ドルを��えた。同社の2024�Q度��1四半期（2023�Q2〜4月期）の売�幢Yはまだ�i�Qの金�Yにも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売�幢Yを�i四半期比53%�\の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動��は�收�AI向けのGPUだ。��に最高性�Δ�H100というGPUの供給が�Bりないため、�收�AI業�vはチップを���]するTSMCから順番待ちを�咾い蕕譴討い襦� [→��きを読む]
Arm、3�|類のCPUコアとGPUコア、共�~キャッシュ�b理をセットで提供
Armが次世代スマートフォン向けの最新版64ビットIPコアセット「Arm Total Compute 2023 (TCS23)」（図1）を発表した。スマホに�_要な最新のCPUコアとGPUコアをまとめただけではなく、様々なCPUと共�~キャッシュメモリを�k致させる（コヒーレントな）システムコアDSU-120も�k緒にしたパッケージである。 [→��きを読む]
Nordic Semiconductor、BLE+Wi-Fi+Thread+Matterの無線チップを����化
バッテリ動作が可�Δ閉秕嫡J電��ながら、Bluetooth LE（Low Energy）やWi-Fi、さらにメッシュネットワーク仕様のThreadにも�官�し、��ての��格に�官�できるMatterプロトコルを�eち、IoTセキュリティ��格PSA認証で最も高いレベル3にも�官�する�Z�{�`無線チップ「nRF54H20」をノルウェーのNordic Semiconductorが日本へ顔見せした。 [→��きを読む]
TI、SiCを効率よく�~動するドライバICでEVの走行�{�`を��ばす
Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC����「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの�L点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高�]にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発�擇靴�ちになる。TIのチップはこの�L点を解消した。 [→��きを読む]
未来�Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷
クロックの立ち�屬�りと�T下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）�\術は、これまでDRAMの高�]化�\術であった。これを高�]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは�Z載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍�]いという。 [→��きを読む]
