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\術分析(]・検h)

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アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテストは、ダイシングフィルム屬妊僖錙屡焼をテストできるシステムを開発した。数V、数Aという高電圧・j(lu┛)電流を扱うパワー半導では、W性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスターの経xlかなイタリアCREA(Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.)社を2022Q8月にA収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導のテスターに進出した。 [→きを読む]

ペロブスカイト陵枦澱咾亮唾化を`指すO動成膜を旟研が試作

ペロブスカイト陵枦澱咾亮唾化を`指すO動成膜を旟研が試作

噞\術総合研|所は、ペロブスカイト構]の陵枦澱咾亮唾化に向け、O動作システムを試作した。ペロブスカイト陵枦澱咾蓮∧儡晃率がシリコン以屬旅發じ率をす試作はHいが、バラつきがj(lu┛)きいと共に、経時変化がj(lu┛)きく劣化しやすい、j(lu┛)C積がMしいなどの問が兩僂漾少しでも}作業による作ではなくO動機によってバラツキをらす狙いでを開発した(図1)。 [→きを読む]

Keysight、最高帯域幅1GHz、14ビット分解Δ療合オシロを137万から

Keysight、最高帯域幅1GHz、14ビット分解Δ療合オシロを137万から

Keysight Technologiesは、周S数帯域200MHz~1GHz、サンプリングレート3.2Gサンプル/秒という2チャンネル/4チャンネルのオシロスコープ(図1)を137万から発売した。オシロスコープといってもFFTをXければスペクトラムアナライザになる屐⊃(gu┤)発昊_やロジックアナライザ機Δ眛鼎靴討り、統合R定_ともいえるが、分解Δ高くノイズが極めて低い。 [→きを読む]

Keysight、半導R定_を拡充、EDA管理ツールやIC内ワイヤーの破s検h

Keysight、半導R定_を拡充、EDA管理ツールやIC内ワイヤーの破s検h

半導の高周S性やさまざまなパラメータ性をR定するR_を設・]しているKeysight Technologyが、今Qで10v`となるプライベートt会Keysight Worldを東B・JPタワーホール&カンファレンスで開した。ここでVLSI 設データのライフサイクルマネージメントやチップレットの設ツール、電容量(sh┫)式によるボンディングワイヤーの破s検hなどを紹介している。 [→きを読む]

高NA EUVリソグラフィ1(gu┤)をIntelオレゴン工場に導入、組み立てた

高NA EUVリソグラフィ1(gu┤)をIntelオレゴン工場に導入、組み立てた

Intelは1.8nmプロセスノードに相当するIntel 18Aに向け、オランダASML社の高NAのEUVリソグラフィ「TWINSCAN EXE:5000」(図1)をプロセス開発拠点のあるオレゴン工場に導入した。まずIntel 18Aプロセスノードから導入し、Intel 14Aノードへと拡張していく予定だ。Intelのファウンドリ業陲導入しTSMCに{いつき{い越す画を進める。 [→きを読む]

Keysight、1でsパラ、変調歪、NFをk度にRれるVNAアナライザを顔見せ

Keysight、1でsパラ、変調歪、NFをk度にRれるVNAアナライザを顔見せ

5GやミリSなどRFチップの高周S性のR定では時間がかかることがHい。Keysight Technologyが先週、マイクロS関係のt会MWE2023で見せたENA-Xベクトルネットワークアナライザ(VNA)は、最j(lu┛)44GHzまでのsパラメータと変調歪解析、NFR定を1度の接でてRれる便W(w┌ng)なR定_だ。日本初のo開である。 [→きを読む]

パワーデバイスの真のスイッチング性をuるR定_をKeysightがデモ

パワーデバイスの真のスイッチング性をuるR定_をKeysightがデモ

ガレージ実x室から始まったHewlett-Packard社をルーツにeつKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高]パワーデバイスのダイナミック性をRるR_「PD1550A」(図1)をKeysight World 2023でtした。もともと高周SR定機に咾Keysightが、パワー半導のR定にもその咾澆鯣ァする。にSiCのスイッチング動作に椶泙気譴討たエンジニアには福音となる。 [→きを読む]

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの]充電_などに使われているが、GaNT晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルクT晶もwく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることがMしかった。ディスコが比較的~単にスライスできる\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%\やせることがわかった。 [→きを読む]

アドバンテスト、次世代IC向けのテスターを々発表

アドバンテスト、次世代IC向けのテスターを々発表

アドバンテストが次世代ICに向けたテスターをセミコンジャパン2022で相次いで発表した。メモリテスター「inteXcell」(図1)や、VR/ARなどのディスプレイやZ載高@度ディスプライドライバICテスター向けのモジュール「LCD HP」、USB-Type CのパワーデリバリーICテスター向けモジュールなど未来志向の向けのテスターやモジュールなどである。 [→きを読む]

sパラ、NF、変調性もk度にR定できるPXIアナライザをKeysightが発売

sパラ、NF、変調性もk度にR定できるPXIアナライザをKeysightが発売

次世代の5Gやビヨンド5GなどミリS官のRFチップの高周S性をR定するネットワークアナライザが驚くほど小型になった。高周SR定_で定hのあるKeysight Technologyは、PXIモジュールベースのネットワークアナライザ「M9834A/M9837A」(図1)を発売した。sパラメータだけではなくLNAのノイズ指数や変調解析も片}でeてるモジュールでR定できる。 [→きを読む]

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